您的位置: 专家智库 > >

施靖

作品数:2 被引量:1H指数:1
供职机构:美国犹他大学更多>>
相关领域:理学更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学

主题

  • 1篇电子束光刻
  • 1篇亚微米
  • 1篇英文
  • 1篇载流子
  • 1篇载流子注入
  • 1篇微米
  • 1篇光刻
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体界面
  • 1篇LSMO
  • 1篇磁场效应
  • 1篇磁化
  • 1篇磁化强度
  • 1篇磁阻
  • 1篇MNO

机构

  • 1篇东南大学
  • 1篇中国科学技术...
  • 1篇犹他大学
  • 1篇美国犹他大学

作者

  • 2篇施靖
  • 1篇熊祖洪
  • 1篇李晓光
  • 1篇吴镝
  • 1篇张雪云
  • 1篇翟亚

传媒

  • 1篇物理
  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇2006
  • 1篇2002
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
磁场增强的La_(2/3)Sr_(1/3)MnO_3有机半导体界面载流子注入被引量:1
2006年
文章作者制备了以多种π-共轭有机半导体(orgnanic semincondutor,简称OSEC)为中间层,La2/3Sr1/3MnO3(LSMO)和另一铁磁或非磁性金属为电极的有机二极管,测量了器件的磁致电阻和磁电致发光效应.器件显示了与LSMO电极类似的负磁电阻效应,但是它的电阻变化比LSMO电极本身的变化大3个数量级,而且器件还有正的磁电致发光效应.文章作者认为,这些磁场效应源于磁场作用下LSMO费米能级的异常移动,导致载流子在LSMO-OSEC界面注入的增强.
吴镝熊祖洪李晓光Z.V.Vardeny施靖
关键词:磁场效应LSMO磁阻
电子束光刻亚微米矩形阵列的坡莫合金薄膜铁磁共振谱的研究(英文)
2002年
报告了对电子束刻蚀的亚微米矩形阵列坡莫合金NiFe薄膜系统的铁磁共振 (FMR)研究及对矩形阵列不均匀退磁场和铁磁共振谱进行的理论拟合 .计算出样品的有效磁化强度M ,回旋磁比γ以及兰德因子g等参数 ,并且得出了共振场与所加磁场方位关系的理论曲线 .结果与实验曲线一致 .研究证明矩形单元导致了单轴平面磁各向异性 .本文还发现了在外磁场加在垂直于膜面的方向时 ,在主共振峰的低场侧出现了一系列规则的卫星峰 。
张雪云石林翟亚施靖
关键词:电子束光刻磁化强度
共1页<1>
聚类工具0