朱骏
- 作品数：46 被引量：96H指数：6
- 供职机构：扬州大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金江苏省教育厅自然科学基金江苏省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电气工程化学工程更多>>
- (Bi,La)_4Ti_3O_(12)Sr(Bi,La)_4Ti_4O_(15)共生结构铁电材料性能研究被引量：8
- 2003年
- 采用固相烧结工艺 ,制备了不同La掺杂量 (x =0 0 0 ,0 2 5 ,0 50 ,0 75 ,1 0 0 ,1 2 5和 1 50 )的 (Bi,La) 4 Ti3 O1 2 Sr(Bi,La) 4 Ti4O1 5(SrBi8-xLaxTi7O2 7)共生结构铁电陶瓷样品 .用x射线衍射对其进行微结构分析 ,并测量铁电、介电性能 .结果发现 ,La掺杂未改变Bi4Ti3 O1 2 SrBi4Ti4O1 5共生结构铁电材料的晶体结构 .随掺杂量的增加 ,样品的矫顽场(Ec)略有增加 ,剩余极化 (2Pr)先增大 ,后减小 .在x =0 50时 ,2Pr 达到极大值 ,为 2 5 6 μC·cm-2 ,与Bi4Ti3 O1 2 SrBi4Ti4O1 5相比 ,2Pr 增加了近 60 % ,而Ec 仅增加约 1 0 % .随La掺杂量的增加 ,样品的居里温度TC 逐渐降低 ,x =0 50时 ,TC=556℃ .在x=1 50时 。
- 朱骏卢网平刘秋朝毛翔宇惠荣陈小兵
- 关键词：铁电材料LA掺杂弛豫铁电体
- 非晶态SiO_2过渡层上高C轴取向LiNbO_3薄膜的PLD生长被引量：1
- 2005年
- 利用脉冲激光沉积(PLD)技术在单晶硅衬底的非晶态Si O2过渡层上外延生长了具有优良结晶品质和高度c轴取向性的Li NbO3光波导薄膜.利用X射线衍射、高分辨电镜和原子力显微镜等手段对Li NbO3薄膜的结晶品质和c轴取向性等进行了系统的分析,确定了薄膜c轴外延生长的最佳沉积参数.非晶态Si O2过渡层上的Li NbO3薄膜由尺度约为150×150nm的四方柱状c轴取向的单晶畴紧密排列而成,并且具有陡峭的界面结构.此外,对于Li NbO3薄膜在非晶过渡层上择优取向生长的物理机制和薄膜基底效应进行了初步探讨,提出其生长机制很可能符合光滑晶面上三维岛状成核生长的Vol mer模式.
- 何军辉朱骏毛翔宇陈小兵叶志镇
- 关键词：C轴取向硅基
- La掺杂SrBi_4Ti_4O_(15)铁电材料性能研究被引量：21
- 2003年
- 按x=0 0 0 ,0 10 ,0 2 5 ,0 5 0 ,0 75和 1 0 0 ,采用固相烧结工艺 ,制备了不同La掺杂量的SrBi4-xLaxTi4O1 5的陶瓷样品 .用x射线衍射对其微结构进行了分析 ,并测量了铁电、介电性能 .结果发现 ,La掺杂未改变SrBi4Ti4O1 5的晶体结构 .随掺杂量的增加 ,样品的矫顽场 (Ec)下降 ,剩余极化 ( 2Pr)先增大 ,后减小 .在x =0 2 5时 ,2Pr 达到极大值 ,为2 4 2 μC·cm- 2 ,这时Ec=60 8kV·cm- 1 ,与SrBi4Ti4O1 5相比 ,2Pr 增加了近 5 0 % ,而Ec 下降了近 2 5 % ,材料铁电性能显著提高 .SrBi4-xLaxTi4O1 5的相变温度Tc 随x的增加逐渐降低 ,x =0 2 5时 ,Tc=45 1℃ .在x =0 75 ,1 0 0时 。
- 朱骏卢网平刘秋朝毛翔宇惠荣陈小兵
- 关键词：LA掺杂镧掺杂铁电材料铁电随机存储器SRBI4TI4O15
- Nb掺杂SrBi_4Ti_4O_(15)陶瓷的铁电介电性能
- 2005年
- 用传统的固相烧结工艺,制备了铌掺杂SrBi_4Ti_4O_(15)(SBTi)铁电陶瓷SrBi4-x/3Ti4-xNbxO15(SBTN-x),Nb掺杂量x=0.00,0.003,0.012,0.03和0.06.X射线衍射的结果表明,所有样品均为单一的层状钙钛矿结构相,Nb掺杂未改变SBTi的晶体结构.铁电测量结果表明,Nb掺杂使SBTi的铁电性能得到较大改善.随掺杂量x的增加,样品的剩余极化(2Pr)呈现出先增大,后减小的规律.在x=0.03时,2Pr达到最大值24.7μC/cm2,而SrBi4Ti4O15的2Pr仅为15.8μC/cm2,掺杂使2Pr提高近60%.同时,样品的矫顽场几乎不随掺杂量的改变而变化.掺杂后,样品的居里温度变化很小,表明Nb对SrBi_4Ti_4O_(15)的B位掺杂基本未影响材料的热稳定性能.
- 金灿朱骏陈小兵
- 关键词：居里温度
- n型多孔硅光致发光研究
- 2011年
- 对在无光照条件下,电化学阳极腐蚀方法制备的n型多孔硅进行了光致发光性能研究。在325nm的激发光照射下,多孔硅样品的发光峰在620nm处,其橙红色的发光肉眼可见,并随阳极电流密度与腐蚀时间乘积的增加,先增强,后减弱。其发光峰位置与量子限制效应、表面态及缺陷态有关,发光强度与样品表面深度较浅孔洞所占的面积比成正比。
- 杨义军吴悦迪朱骏
- 关键词：电化学腐蚀光致发光
- Fe_(69.5)Cu_(1.5)V_7Si_(12)B_8Al_2合金机械合金化研究
- 2002年
- 采用机械合金化的方法 ,制备了 Fe69.5Cu1.5V7Si12 B8Al2 纳米合金样品 .研究了球磨时间对样品非晶化程度的影响 ,并测量了这些样品压结体的高频特性 .结果发现 ,球磨可形成合金化 ,随球磨时间的增加 ,样品的非晶化逐渐加强 .当球磨超过一定时间后 ,出现新的相 ,引起样品磁特性的变化 .复数磁导率实部 μ1随球磨时间 t的增加而增大 ,超过 72 h后 ,μ1开始下降 .在 4～ 1 3MHz范围内 ,μ1值随频率 f 的变化不大 .损耗角正切 tgδ随
- 朱骏朱路扬毛翔宇姜玉梅陈小兵陈允鸿
- 关键词：机械合金化纳米软磁合金高频特性磁性能
- La掺杂诱发层状钙钛矿型铁电体弛豫性相变的介电研究被引量：19
- 2004年
- 制备了La掺杂层状钙钛矿铁电体材料SrBi4 Ti4 O1 5,Sr2 Bi4 Ti5O1 8以及共生结构Bi4 Ti3O1 2 SrBi4 Ti4 O1 5,通过研究样品的变温介电特性发现 ,SrBi4 -xLaxTi4 O1 5(x=1 0 ) ,Sr2 Bi4 -xLaxTi5O1 8(x≥ 0 5 ) ,(Bi,La) 4Ti3O1 2 Sr(Bi,La) 4Ti4 O1 5(x=1 5 0 )样品的介电常数随温度变化曲线都具有弛豫性相变特征 ,La含量的变化对介电温度特性曲线有重要影响 ,随着La含量的增加 ,其弛豫程度明显增加 .弛豫的起源与La离子的存在引起局域出现的微畴有关 ,而正常铁电体—弛豫铁电体自发相变相对应的微观机理是正常铁电体的宏畴向弛豫铁电体微畴的转变 .
- 惠荣朱骏卢网平毛翔宇羌锋陈小兵
- 关键词：镧掺杂层状钙钛矿铁电体介电性能弛豫铁电体
- FeNi合金超细微粒的蒸发冷凝法制备及其微结构被引量：2
- 1994年
- 在Ｎ２气氛中，采用蒸发冷凝工艺制备了不同成份的ＦｅＮｉ合金超细微粒．合金超细微粒的平均粒径在一定的Ｎ２气压强范围内，随Ｎ２气压强增加而增大．当Ｎ２气压强大于某一值后，平均粒径随Ｎ２气压强增加呈减小趋势．在相同的Ｎ２气压强下，平均粒径随合金Ｎｉ含量减少而增大．用同一种原材料制备的不同平均粒径的合金超细微粒，其合金成份某本不变，但与原材料相比，超细微粒的Ｎｉ含量有所减少，Ｆｅ含量相应有所增加．合金超微粒的晶面间距随Ｎｉ含量变化而变化．Ｎｉ含量高的超细微粒为γ－ｆｃｃ结构；Ｎｉ含量低的为α’－ｂｅｅ结构和γ－ｆｃｃ结构二相并存．α’－ｂｃｃ相随平均粒径减小明显增强．
- 陈允鸿姜玉梅朱骏陆怀先王锦辉
- 关键词：超细微粒微结构
- Mo掺杂SrBi_4Ti_4O_(15)陶瓷的铁电介电性能被引量：2
- 2006年
- 用传统的固相烧结工艺,制备了钼掺杂铁电陶瓷样品SrBi4Ti4O15(SBTi)铁电陶瓷SrBi4-2x/3Ti4-xMoxO15(x=0.00,0.003,0.012,0.03,0.06,0.09).X射线衍射的结果表明,样品均为单一的层状钙钛矿结构相,Mo掺杂未改变SBTi的晶体结构.通过扫描电子显微镜观测发现,样品晶粒为片状,随掺杂量的增加,晶粒逐渐变小.铁电测量表明,Mo掺杂使SBTi的铁电性能得到较大改善.随掺杂量x的增加,样品的剩余极化(2Pr)呈现出先增大,后减小的规律.在x=0.06时,2Pr达到最大值26.5μC/cm2,与SrBi4Ti4O15(2Pr=12.2μC/cm2)相比,提高117%.材料的矫顽场Ec在掺杂后增加仅为20%左右.SBTi的居里温度受掺杂的影响甚微,说明Mo对SrBi4Ti4O15的掺杂基本未影响材料原有的良好的热稳定性.
- 金灿朱骏毛翔宇何军辉陈小兵
- 关键词：SRBI4TI4O15居里温度
- 钒掺杂SrBi_4Ti_4O_(15)拉曼光谱和X射线光电子能谱研究
- 2005年
- 适量的钒掺杂,大大增加了SrBi4Ti4O15(SBTi)铁电材料的剩余极化2Pr,并改善了材料的耐压性能.SBTi拉曼模的位置,基本不受V掺杂的影响,但对应Ti O6氧八面体的拉曼模在掺杂明显宽化,这与V5+取代进入Ti O6中的Ti4+后,材料局部无序性增大,应力增加有关.X射线光电子能谱表明,不同掺杂量样品的Bi4f和Ti2p的结合能未有明显变化,这与B位高价掺杂减少氧空位的特殊机制有关.材料的2Pr增加,是高价阳离子掺杂导致材料中氧空位浓度的减少,局部无序性的增加共同作用的结果.
- 朱骏何军辉陈小兵
- 关键词：氧空位
