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李全宝

作品数：6 被引量：1H指数：1
供职机构：上海大学更多>>
相关领域：一般工业技术电子电信环境科学与工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇环境科学与工...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇半导体
  • 2篇蒸发
  • 2篇蒸发技术
  • 2篇烧瓶
  • 2篇室温
  • 2篇四氧化三锰
  • 2篇退火
  • 2篇纳米
  • 2篇环境友好型
  • 2篇降解
  • 2篇分形
  • 2篇抽滤
  • 2篇催化
  • 2篇催化降解
  • 1篇电学
  • 1篇电学特性
  • 1篇电子器件
  • 1篇电子元
  • 1篇电子元件
  • 1篇形貌特征

机构

  • 6篇上海大学

作者

  • 6篇李全宝
  • 5篇陈志文
  • 5篇焦正
  • 5篇吴明红
  • 4篇陈琛
  • 2篇王剑
  • 2篇沈杨
  • 1篇王利军
  • 1篇潘登余
  • 1篇刘延雨
  • 1篇张海娇

年份

  • 1篇2013
  • 4篇2012
  • 1篇2011
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
具有锗晶分形团簇的Al/Ge双层膜的制备方法
本发明涉及到一种制备技术简单、形貌可控、重复性良好的Al/Ge双层膜中Ge分形团簇的Al诱导合成方法，也即是一种具有锗晶分形团簇的Al/Ge双层膜的制备方法，属于半导体薄膜制备工艺技术领域。本发明方法的主要内容是：利用真...
陈志文李全宝陈琛刘延雨王利军焦正吴明红
文献传递
3D花状结构四氧化三锰材料的合成方法
本发明涉及3D花状结构四氧化三锰材料的合成方法。该方法是将一定量的MnSO<Sub>4</Sub>·H<Sub>2</Sub>O、CO(NH<Sub>2</Sub>)<Sub>2</Sub>、CTAB和去离子水按照摩尔比...
陈志文李全宝沈杨王剑陈琛焦正吴明红
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(0,1,2和非整数)维数锗纳米可控结构的制备方法
本发明涉及到一种简单的、形貌可控的、微结构奇异的、重复性良好的(0,1,2和非整数)维数半导体锗纳米可控结构的制备方法，属于半导体纳米材料制备工艺技术领域。本发明方法的主要要点是：将高纯锗（纯度：99.9wt.%）和高纯...
陈志文李全宝潘登余张海娇焦正吴明红
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具有非线性电学特性的Au/Ge分形纳米薄膜的制备方法
本发明涉及一种制备金（Au）诱导非晶半导体锗（Ge）的晶化方法及其分形纳米薄膜的非线性电学特性。本发明主要内容是：利用真空热蒸发技术，将高纯Ge（纯度：99.9wt.%）和高纯Au（纯度：99.99wt.%）分别放置于真...
陈志文李全宝陈琛焦正吴明红
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锗纳米团簇的金属诱导合成及其微结构与性能特征
金属/半导体复合薄膜是信息功能材料领域中广泛研究的热点课题，尤其在微电子器件、光电子元件以及太阳能电池等方面具有广阔的应用前景。薄膜技术作为器件微型化的关键技术，是制备各种新型功能薄膜与器件的重要手段。薄膜的制备方法很多...
李全宝
关键词：微结构金属诱导晶化分形维数
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3D花状结构四氧化三锰材料的合成方法
本发明涉及3D花状结构四氧化三锰材料的合成方法。该方法是将一定量的MnSO<Sub>4</Sub>·H<Sub>2</Sub>O、CO(NH<Sub>2</Sub>)<Sub>2</Sub>、CTAB和去离子水按照摩尔比...
陈志文李全宝沈杨王剑陈琛焦正吴明红
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