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李加杰

作品数:12 被引量:0H指数:0
供职机构:哈尔滨工业大学更多>>
相关领域:理学电气工程一般工业技术化学工程更多>>

文献类型

  • 6篇专利
  • 3篇会议论文
  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电气工程
  • 3篇理学
  • 2篇化学工程
  • 2篇一般工业技术

主题

  • 9篇石墨
  • 9篇石墨烯
  • 4篇掺杂
  • 3篇原位制备
  • 2篇氮掺杂
  • 2篇氮含量
  • 2篇氮元素
  • 2篇电池
  • 2篇氧化石墨
  • 2篇氧还原
  • 2篇氧还原反应
  • 2篇石英管
  • 2篇市场售价
  • 2篇双氰胺
  • 2篇气体传感
  • 2篇气体传感器
  • 2篇铌酸锂
  • 2篇稀硫酸
  • 2篇稀硝酸
  • 2篇硫酸

机构

  • 12篇哈尔滨工业大...

作者

  • 12篇李加杰
  • 11篇韩杰才
  • 9篇宋波
  • 9篇张宇民
  • 2篇王先杰
  • 2篇姚泰
  • 2篇宋波

传媒

  • 2篇哈尔滨工业大...

年份

  • 1篇2018
  • 2篇2017
  • 6篇2016
  • 2篇2015
  • 1篇2014
12 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
改性石墨烯的设计制备及电化学储能研究
为了保证航天器的各种仪表设备正常运行,需要航天电源系统支持。化学能源是航天电源系统的重要组成部分,其包括各种离子电池和燃料电池。针对复杂的空间环境,化学能源目前主要的研究重点之一是开发高容量、高稳定性电池电极材料。石墨烯...
李加杰
关键词:燃料电池电极材料
文献传递
模板法制备三维石墨烯的方法
模板法制备三维石墨烯的方法,它涉及一种模板法制备三维石墨烯的方法。本发明是要解决制备三维多孔氮掺杂石墨烯的成本高、操作复杂的技术问题。本方法:一、制备分散液;二、将稀硝酸、稀硫酸或磷酸加入步骤一所得分散液中,得到沉淀;三...
宋波李加杰张宇民姚泰韩杰才
文献传递
一种三维孔状石墨烯骨架的制备方法
一种三维孔状石墨烯骨架的制备方法,涉及一种石墨烯骨架的制备方法。本发明是要解决目前很难制备高性能、高稳定性的三维孔状结构石墨烯的技术问题。本发明的方法为:将氧化石墨在真空或充入气体的条件下密封于石英管中,将石英管转移到马...
韩杰才宋波李加杰张宇民
文献传递
硫,氮掺杂石墨烯及其在非金属氧还原催化方面的应用
掺杂碳基氧还原催化剂价格便宜,活性接近铂/碳催化剂,在燃料电池和金属空气电池方面有潜在的应用1.一般情况下,通过掺杂一种原子,碳材料的催化活性有一定改进,但很多情况下其催化活性还不能与铂/碳催化剂相比.最近有报道,掺杂两...
李加杰韩杰才张宇民宋波
关键词:氧还原反应非金属催化剂
一种一步原位制备氮含量和种类可调的掺杂石墨烯的方法
一种一步原位制备氮含量和种类可调的掺杂石墨烯的方法,它涉及一种制备氮含量和种类可调控的掺杂石墨烯的方法。本发明的目的是要解决目前氮掺杂石墨烯制备工艺复杂,制备成本较高,难以工业化以及制备的氮掺杂石墨烯中氮元素含量和种类可...
韩杰才宋波李加杰张宇民
文献传递
三聚氰胺模板法制备三维石墨烯及其在钠离子电池上的应用
随着近年来便携电子设备和新能源汽车的快速发展,锂离子电池等储能器件受到越来越多的关注.但是锂离子电池的关键材料金属锂在地球上储量有限,相对于锂来说,钠在地球上的储量更加丰富而且便宜,因此开发新型钠离子电池正受到越来越多的...
李加杰韩杰才张宇民宋波
关键词:钠离子电池红磷
一种三维孔状石墨烯骨架的制备方法及其应用
一种三维孔状石墨烯骨架的制备方法及其应用,涉及一种石墨烯骨架的制备方法及其应用。本发明是要解决目前很难制备高性能、高稳定性的三维孔状结构石墨烯的技术问题。本发明的方法为:将氧化石墨在真空或充入气体的条件下密封于石英管中,...
韩杰才宋波李加杰张宇民
文献传递
模板法制备三维石墨烯的方法
模板法制备三维石墨烯的方法,它涉及一种模板法制备三维石墨烯的方法。本发明是要解决制备三维多孔氮掺杂石墨烯的成本高、操作复杂的技术问题。本方法:一、制备分散液;二、将稀硝酸、稀硫酸或磷酸加入步骤一所得分散液中,得到沉淀;三...
宋波李加杰张宇民姚泰韩杰才
文献传递
氮化碳原位制备氮掺杂石墨烯及其在非金属氧还原催化方面的应用
碳基氧还原催化剂价格便宜,活性接近铂/碳催化剂,在燃料电池和金属空气电池方面有潜在的应用1.目前,关于碳基氧还原催化剂催化活性的来源还存在许多争议,尤其是所制备碳材料中含有微量金属对催化活性位点的确定有较大影响2.本文利...
李加杰韩杰才张宇民宋波
关键词:氧还原反应非金属催化剂
铁电极化调控SnSe薄膜光电性质研究
2016年
利用脉冲激光沉积(PLD)技术在铌酸锂基片上沉积SnSe薄膜,研究了不同极化方向的铁电基片对SnSe薄膜光电性质的影响.控制PLD沉积时间,在铌酸锂基片上沉积出不同厚度的SnSe薄膜.X射线衍射和X射线光电子能谱的结果显示制备了高取向的单相SnSe薄膜.薄膜横截面高分辨透射电镜结果显示了薄膜具有较高的结晶质量.在无光照情况下,当铁电极化方向指向薄膜时,极化场可向SnSe薄膜中注入电子,使p型SnSe薄膜的电阻增加;当极化方向背离薄膜时,极化场可向SnSe薄膜中注入空穴,使p型SnSe薄膜的电阻降低.当用仅能使SnSe薄膜发生电子-空穴分离的632 nm激光照射时,不同极化方向的样品都表现出光电导增加的现象.当用405 nm激光照射时,不同极化方向的铌酸锂与薄膜界面处发生的电子-空穴分离使SnSe薄膜表现出完全不同的光电导效应.利用能带模型解释了不同铁电极化方向的铁电基片对SnSe薄膜光电导性质调控的机理.
宋波韩杰才郝润豹李加杰王先杰
关键词:铌酸锂脉冲激光沉积
共2页<12>
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