宋波
- 作品数：3 被引量：6H指数：1
- 供职机构：哈尔滨工业大学基础与交叉科学研究院更多>>
- 发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金国家自然科学基金更多>>
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- 铁电极化调控SnSe薄膜光电性质研究
- 2016年
- 利用脉冲激光沉积(PLD)技术在铌酸锂基片上沉积SnSe薄膜,研究了不同极化方向的铁电基片对SnSe薄膜光电性质的影响.控制PLD沉积时间,在铌酸锂基片上沉积出不同厚度的SnSe薄膜.X射线衍射和X射线光电子能谱的结果显示制备了高取向的单相SnSe薄膜.薄膜横截面高分辨透射电镜结果显示了薄膜具有较高的结晶质量.在无光照情况下,当铁电极化方向指向薄膜时,极化场可向SnSe薄膜中注入电子,使p型SnSe薄膜的电阻增加;当极化方向背离薄膜时,极化场可向SnSe薄膜中注入空穴,使p型SnSe薄膜的电阻降低.当用仅能使SnSe薄膜发生电子-空穴分离的632 nm激光照射时,不同极化方向的样品都表现出光电导增加的现象.当用405 nm激光照射时,不同极化方向的铌酸锂与薄膜界面处发生的电子-空穴分离使SnSe薄膜表现出完全不同的光电导效应.利用能带模型解释了不同铁电极化方向的铁电基片对SnSe薄膜光电导性质调控的机理.
- 宋波韩杰才郝润豹李加杰王先杰
- 关键词：铌酸锂脉冲激光沉积
- 封面图片说明
- 2016年
- 封面图片来自本期论文＂铁电极化调控Sn Se薄膜光电性质研究＂,是哈尔滨工业大学航天学院所制作的Sn Se薄膜在不同波长照射下光电导的变化情况及电荷转移过程示意图.Sn Se作为一种p型窄禁带半导体（约为0.86 e V）,可吸收大部分波段的太阳光.作为一种典型的铁电材料,极化后的铌酸锂晶体上下表面分别带异号的电荷,当铌酸锂晶体表面沉积Sn Se薄膜时,在铌酸锂退极化场的作用下,
- 宋波韩杰才郝润豹李加杰王先杰
- 关键词：铌酸锂晶体退极化场电荷转移过程图片说明光电性质异号
- 氮化铝晶体生长技术的研究进展被引量：6
- 2012年
- 氮化铝(AlN)是一种重要的宽带隙(6.2eV)半导体材料,在高温、高频、大功率电子器件、光电子器件、激光器件等半导体器件中有着良好的应用前景。物理气相传输法(PVT)是制备AlN体单晶最有效的途径之一,目前,美国Crystal IS公司、俄罗斯N-Crystals公司在该领域处于领先地位,可以制备出直径为2inch(5.08cm)的体单晶。为了获得大尺寸、高质量的AlN晶体,需要不断寻找合适的籽晶材料。从最早的SiC籽晶,发展到近年来的AlN籽晶、SiC/AlN复合籽晶,加上不断改进的PVT工艺条件,少数研究机构已经可以获得直径跨度大、缺陷密度低的AlN晶体。近两年,高品质的AlN晶体也已成功应用于紫外LED的研制。
- 赵超亮宋波张幸红韩杰才
- 关键词：氮化铝籽晶
