李岱青
- 作品数：11 被引量：1H指数：1
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- MeV级Si^＋高温注入GaAs的晶格损伤积累与注入剂量的关系
- 1995年
- 用卢瑟福背散射／沟道技术研究了１ＭｅＶＳｉ＋加温注入ＧａＡｓ所造成的晶格损伤积累与注入剂量的关系．观察到三个不同的损伤剂量区：在５×１０１４─２×１０１５ｉｏｎｓ／ｃｍ２的低剂量区内，晶格损伤轻微并且几乎与注入剂量无关；在２×１０１５─１×１０１６ｉｏｎｓ／ｃｍ２的中等剂量区域内，在几乎无损伤的表面区域以下形成损伤埋层，晶格损伤积累随注入剂量的增加而迅速增加；在高于１×１０１６ｉｏｎｓ／ｃｍ２的高剂量区域内，晶格损伤积累随注入剂量的增加而缓慢增加．从级联碰撞和空位扩散迁移的角度分析了相关的物理过程．
- 李岱青万亚任廷琦朱沛然徐天冰
- 关键词：砷化镓离子注入
- Ne^+、Ar^+注入铜靶所产生的溅射原子角分布与离子入射角的关系
- 1992年
- 在100keV入射能量下.分别测量了Ne^-、Ar^+在铜靶上所产生的溅射原子角分布与离子入射角度的关系 实验结果表明在40°和70°斜入射条件下,Ar^+所产生的溅射原子角分布的溅射优先方向分别位于表面法线的两侧,溅射原子角分布关于表面法线明显不对称;而Ne^+所对应的溅射优先方向都位于表面法线方向,且溅射原子角分布关于表面法线是对称的、用TRIM程序计算了Ne^+和Ar^+在铜靶中的能损和投影射程,并依据所计算的结果用级联碰撞理论分析了实验结果,比较了Ne^+和Ar^+各自溅射机制上的不同.
- 李岱青官宝安万亚刘家瑞徐天冰
- 关键词：溅射铜
- 100keV Ar^+、Ne^+轰击铜靶所产生的溅射原子角分布与离子入射角的关系被引量：1
- 1992年
- 在40°和70°斜入射条件下,用100keV Ar^+、Ne^+轰击铜靶,Ar^+所产生的溅射原子角分布的溅射优先方向分别位于表面法线的两侧,溅射原子角分布对于表面法线明显不对称;而Ne^+所对应的溅射优先方向都位于表面法线方向,且溅射原子角分布对于表面法线是对称的。用级联碰撞理论分析了所得到的实验结果,并比较了Ar^+和Ne^+溅射机制上的不同。
- 李岱青刘家瑞徐天冰张德龙
- 关键词：溅射角分布入射角
- Yb注入Si后的退火结晶、杂质迁移及光致发光规律
- 1995年
- 用卢瑟福背散射/沟道技术和光致发光测试技术研究了室温下350keVYb^+以1×10^(15)Yb·cm^(-2)的剂量注入单晶硅后,在不同快速热退火温度下表面非晶层的固相外延结晶,结晶过程中Yb的迁移和其光致发光发射。在800,900和1000℃快速热退火温度下,表面非晶层的固相外延结晶都在掺杂区域发生中断,同时观察到Yb在晶体/非晶界面和表面的双偏析新现象,并且Yb的光致发光强度随退火温度的增加而增加。但在1200℃退火温度下,表面非晶层则完全结晶,伴随着结晶过程Yb几乎全部堆积到了表面附近,并导致了光致发光发射的完全消失。讨论了相应过程的微观机制。
- 李岱青任廷琦宫宝安朱沛然徐天冰孙慧龄
- 关键词：单晶硅镱光致发光
- 金属铜在100keVAr^+轰击下的溅射特性
- 1991年
- 金属铜在100keVAr^+的垂直入射和40°以及70°入射角的倾斜入射下,溅射原子角分布有较大的变化。垂直入射时溅射原子角分布关于金属表面法线是对称的;40°和70°角倾斜入射时溅射原子角分布的对称线关于表面法线分别偏离了7°和-12°产生这一现象的微观机制在于倾斜入射时入射离子所产生的反冲原子级联是非线性的。
- 李岱青刘家瑞徐田冰张德龙
- 关键词：铜溅射
- Al_（0．3）Ga_（0．7）As／GaAs超晶格在高能高温注入下的晶格损伤
- 1994年
- 用卢瑟福背散射／沟道技术研究了ＩＭｅＶＳｉ￣＋衬底加温注入Ａｌ_（０．３）Ｇａ_（０．７）Ａｓ／ＧａＡｓ超晶格和作为比较的ＧａＡｓ晶体后晶格的损伤积累与注入剂量的关系。实验结果表明，在注入剂量比较小的情况下，两种晶体都只有很轻微的损伤；动态退火过程的存在抑制了晶格损伤的积累。但在较高的注入剂量下，在几乎无损伤的表面下两种晶体中都形成了损伤埋层，且ＧａＡｓ中损伤峰处的损伤程度和损伤峰的宽度都大于Ａｌ_（０．３）Ｇａ_（０．７）Ａｓ／ＧａＡｓ超晶格中的情形，根据级联碰撞理论分析了晶体中的损伤积累过程，并从化学键相对强度差异的角度定性地解释了ＧａＡｓ和Ａｌ_（０．３）Ｇａ_（０．７）Ａｓ／ＧａＡｓ超晶格实验结果的不同。
- 李岱青任廷琦宫宝安万亚朱沛然徐天冰
- 关键词：超晶格离子注入
- 超晶格Al_xGa_（1－x）As／GaAs中相对键强度的研究
- 1994年
- 用半经验的ＣＮＤＯ／２量子化学计算方法，对一组模拟超晶格ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ的原子簇体系作了第一性原理的电子结构研究。结果表明，化学键Ａｌ—Ａｓ和Ｇａ—Ａｓ的强度，在ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ环境中的结果均高于它们在纯晶体ＡｌＡｓ和ＧａＡｓ环境中的数值；随着ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ中Ｘ值的增大，Ｇａ－Ａｓ键强度相应地提高，但平均键强度计算结果，Ｇａ－Ａｓ总低于同环境中的Ａｌ－Ａｓ。本文结果同ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ红外光谱键强度分析等实验事实相吻合，而且为离子注入ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ中引起的晶格损伤分布行为提供了合理的解释。
- 宫宝安万亚李岱青任廷琦
- 关键词：超晶格量子化学
- 高能硅离子注入GaAs的晶格损伤研究
- 1994年
- 用卢瑟福背散射／沟道技术研究了１ＭｅＶＳｉ￣＋在３５０℃高温和室温下以不同剂量注入ＧａＡｓ后的晶格损伤。在衬底加温注入下，观察到ＣａＡｓ中存在一个动态退火速率与缺陷产生速率相互平衡的剂量范围以及两种速率失去平衡时的临界剂量。用级联碰撞理论分析了所观察到的实验结果。
- 万亚李岱青朱沛然徐天冰
- 关键词：离子注入硅砷化镓
- Yb^+注入Si(100)所引起的晶格损伤和快速热退火后Yb的再分布及光激活规律研究
- 1994年
- 稀土元素不完全充满的4f电子壳层被它外部的5p和6s电子壳层有效地屏蔽.这一独特的电子结构使得稀土掺杂半导体材料中4f电子-声子耦合被减弱,因而稀土的发光具有锐利,热稳定性好等优点.近几年国际上已有很多关于用离子注入技术实现稀土掺杂的报道.离子注入具有掺杂浓度高,掺杂分布易于控制,可重复性好和操作简便等优点.
- 李岱青任廷琦万亚朱沛然徐天冰孙慧龄
- 关键词：离子注入热退火镱
- Sigmund热尖峰溅射模型的研究
- 1993年
- 对Singmund热尖峰溅射模型进行了修正.用平均能量淀积密度近似代替了Singmund热尖峰溅射模型中的表面能量淀积密度近似.并用TRIM87程序对Sb^+,Bi^+轰击银靶的能量淀积过程进行了模拟计算.将计算所得到的平均能量淀积密度代入修正后的Sig-mund热尖峰溅射模型中,所得到的起始热尖峰区尺寸与能量淀积理论相容.
- 万亚宫宝安李岱青叶维祎
- 关键词：溅射
