- 氦诱生微孔对硅二极管漏电流特性的改善
- 2003年
- 高剂量的氦离子注入并热处理在硅中形成对金属具有高吸杂作用的微孔。以低金属杂质浓度的硅平面二极管的反向漏电流为指标,研究了吸除的热处理过程对微孔吸杂效果的影响。在适当的热处理温度和冷却条件下,观测到二极管反向漏电流的显著改善,部分样品漏电流可降低3个数量级。
- 唐有青李恒游志朴张坤李仁豪李作金
- 关键词：二极管漏电流
- He^+注入诱生微孔对金吸除作用的研究被引量：1
- 2003年
- 高注量的氦注入硅中并经热处理所形成的微孔,对金属原子的吸除作用已为大量的研究所证实.作者报道了该技术应用于平面二极管中对金杂质吸除的研究.其结果表明,在粗糙研磨表面上形成的氦诱生微孔,同样具有良好的吸除效果.
- 李恒唐有青游志朴
- 关键词：金反向漏电流氦硅金属杂质平面二极管
- 高剂量Ge离子注入直接形成nc-Ge的研究被引量：3
- 2004年
- 报道了分别采用剂量为 1× 1 0 1 6 ,1× 1 0 1 7,5× 1 0 1 7和 1× 1 0 1 8cm- 2的高剂量 Ge离子注入 ,不需退火即可在 Si O2中直接形成 Ge纳米晶的新现象 .采用掠入射 X射线衍射和激光喇曼谱等实验手段对样品进行了物相分析 .结果表明 ,高剂量 Ge离子注入可在 Si O2 薄膜中直接形成 Ge纳米晶 (nc- Ge) ;非晶态 Ge向晶态 Ge发生相变的阈值剂量约为 1× 1 0 1 7cm- 2 ,离子注入直接形成的 nc- Ge内部具有较大压应力 ,随着注入剂量的提高 ,nc- Ge的尺寸和含量均有提高 .对纳米晶形成机理的研究认为 ,在 Ge离子注入剂量达到阈值 ,此时膜中 Ge非晶态团簇浓度达到饱和甚至过饱和 ,新入射的 Ge离子把动能传递给膜中的非晶态 Ge原子 ,使其部分析出并团聚形成能量最低且最稳定的
- 曾颖秋卢铁城沈丽如李恒杨经国邹萍林理彬
- 关键词：离子注入
