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杨眉

作品数：18 被引量：0H指数：0
供职机构：西安电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信文化科学自动化与计算机技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 17篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 3篇文化科学
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇电气工程

主题

  • 7篇势垒
  • 5篇势垒层
  • 4篇底电极
  • 4篇电流
  • 4篇晶体管
  • 3篇电子迁移率
  • 3篇瞬态
  • 3篇图像
  • 3篇图像融合
  • 3篇迁移率
  • 3篇高电子迁移率
  • 3篇高电子迁移率...
  • 3篇BEAMLE...
  • 2篇低频
  • 2篇低频子带
  • 2篇电池
  • 2篇电池组
  • 2篇电池组件
  • 2篇电力
  • 2篇电力电子

机构

  • 18篇西安电子科技...

作者

  • 18篇杨眉
  • 13篇马晓华
  • 8篇郝跃
  • 5篇张鹏
  • 4篇吕玲
  • 4篇王宏
  • 4篇孙静
  • 4篇毛维
  • 2篇苗启广
  • 2篇许晟瑞
  • 2篇陈为胜
  • 2篇宋建锋
  • 2篇曹艳荣
  • 2篇李伟生
  • 2篇石程
  • 2篇张春福
  • 2篇李鹏
  • 2篇郑雪峰
  • 2篇陈大正
  • 2篇习鹤

年份

  • 5篇2024
  • 1篇2023
  • 1篇2022
  • 2篇2021
  • 2篇2020
  • 2篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2011
共 18 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
包芯纱工艺封装的叠层电池组件及制备方法、可穿戴织物
本发明公开了一种包芯纱工艺封装的叠层电池组件，包括叠层子电池、导电纤维芯线和外包透明纤维，其中，叠层子电池通过导电纤维芯线依次串联，得到叠层电池组件，前一个叠层子电池的阴极通过导电纤维芯线与后一个叠层子电池的阳极连接；外...
朱卫东杨眉王天然巴延双陈大正张春福郝跃
易失型忆阻式PUF器件及其制备方法、装置和PUF加密芯片
本发明公开了一种易失型忆阻式PUF器件及其制备方法、装置和PUF加密芯片，使用水溶性惰性金属材料，在衬底上制备底电极，在底电极上沉积活性金属材料，得到底层活性金属层，使用水溶性介质材料，在底层活性金属层上制备阻变转换层，...
马晓华孙静王宏杨眉
文献传递
薄势垒增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法
本发明公开了一种薄势垒增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件及其制作方法，主要解决现有同类器件击穿性能差和输出电流小的问题。其技术方案是：在器件的SiN钝化层生长工艺中引入自对准技术、利用薄厚SiN钝化层对沟道的...
曹艳荣何文龙张亚松李鹏戴峰马晓华郝跃郑雪峰吕玲习鹤杨眉毛维许晟瑞
文献传递
物理瞬态阈值开关器件及其制备方法和装置
本发明公开了一种物理瞬态阈值开关器件及其制备方法和装置，使用惰性金属材料，在衬底上制备底电极，将聚乙烯醇溶液滴在所述底电极上，以使聚乙烯醇溶液覆盖所述底电极的面积大于所述底电极表面积的一半，使用旋涂机进行旋涂，以使聚乙烯...
马晓华孙静王宏杨眉
一种制作T型栅结构的电子束光刻方法
一种制作T型栅结构的电子束光刻方法，包括以下步骤：在GaN异质结平面材料上，涂覆低灵敏度高光刻剂量的一号光刻胶并烘烤；再在一号光刻胶上涂覆二号光刻胶并烘烤；二号光刻胶采用PMMA‑MAA胶，PMMA‑MAA胶的灵敏度高于...
张鹏杨眉马晓华郝跃武盛
以ScAlN为势垒层的多沟道MOSHEMT器件及制备方法
本发明公开了一种以ScAlN为势垒层的多沟道MOSHEMT器件及制备方法，包括：层叠设置的衬底、成核层和缓冲层；多沟道势垒层，位于缓冲层上方，多沟道势垒层包括层叠设置的第一单元和多个第二单元；第一单元包括层叠设置的第一G...
杨眉李毅凡马晓华张鹏鲁炯岐
基于Beamlet与小波变换的图像融合方法
本发明公开了一种结合小波与Beamlet变换的图像融合方法，克服了现有技术基于小波变换的图像融合方法在图像边缘和细节位置模糊的不足，实现的步骤为：(1)输入源图像；(2)小波分解；(3)低频子带系数融合；(4)提取图像边...
苗启广陈为胜杨眉许鹏飞李伟生石程宋建锋
文献传递
Beamlet分析及其在图像处理中的应用算法研究
一般传统方法在提取被噪声严重污染的图像中的线性特征时存在巨大困难。Beamlet分析是由Donoho提出的一种高维奇异性分析方法,作为一种多尺度几何分析的有效工具,具有分级、多尺度的优良特性,特别适合于提取图像中的线性特...
杨眉
关键词：多尺度几何分析BEAMLET变换边缘检测图像融合
浮空型漏场板电流孔径器件及其制作方法
本发明公开了一种浮空型漏场板电流孔径器件，其自下而上包括：肖特基漏极(11)、GaN衬底(1)、GaN漂移层(2)、孔径层(3)、两个对称的电流阻挡层(4)、沟道层(6)、势垒层(7)和栅极(10)，势垒层(7)上的两侧...
毛维边照科王海永郝跃马晓华杨眉吕玲祝杰杰
一种N面GaN/ScAlGaN高电子迁移率晶体管及其制备方法
本发明公开了一种N面GaN/ScAlGaN高电子迁移率晶体管及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括：依次层叠设置的衬底、缓冲层、Si掺GaN层、势垒层、插入层、沟道层和帽层；其中，势垒层位于沟道层下方，形成背势垒；源极和...
马晓华杨眉付祯鲁炯岐张鹏宓珉瀚
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