梁琨
- 作品数：23 被引量：25H指数：4
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 基于VCSEL的RCE探测器光电响应特性
- 2002年
- 对垂直腔面发射激光器 (VCSEL )及由此制成的谐振增强型 (RCE)光电探测器进行分析研究。激光器的 Ith=3m A、ηd=15 %、λp=839nm和 Δλ1 / 2 =0 .3nm;作为探测器 ,光电流谱峰值响应在 839nm,响应谱线半宽 2 .4 nm、具有良好的波长选择特性 ,量子效率 5 %～ 35 % (0 V～ 5 V)。优化设计顶镜反射率 ,还能得到量子效率峰值和半宽优化兼容的 VCSEL基
- 梁琨陈弘达杜云唐君杨晓红吴荣汉
- 关键词：垂直腔面发射激光器VCSELRCE光电探测器
- 倒装焊组装的光电混合集成RCE探测器面阵被引量：4
- 2003年
- 报道了一种可用于并行光传输系统的64×64光探测器面阵。器件结构采用谐振腔增强型(RCE),吸收区由3层InGaAs/GaAs量子阱构成,谐振腔是由2组多层布拉格结构的反射镜组成,工作波长位于980nm。该器件利用倒装焊技术,将GaAs基的谐振腔增强型光探测器面阵与相应的Si基标准CMOS集成电路混合集成在一起,形成具备64×64路光并行接收及处理的大规模光电集成探测器面阵器件,并对光探测器面阵的主要特性进行了测试,测试结果显示该面阵具有均匀的电特性,反向偏压均大于14V,暗电流约为10nA数量级。
- 裴为华陈弘达邓晖毛陆虹杜云唐君梁琨吴荣汉王启明
- 关键词：倒装焊谐振腔增强型INGAAS/GAAS量子阱
- InGaAs/GaAs多量子阱光电子集成倒装焊面阵器件
- 陈弘达王启明吴荣汉毛陆虹杜云唐君邓晖梁琨斐为华
- 该项目深入研究了GaAs基不同结构形态量子阱中的室温激子行为，特别是非线性光学特性；利用量子限制Stark效应(QCSE)和激子非线形特性优化设计，研制出以InGaAs/GaAs多量子阱作为有源区的64×64面阵光子集成...
- 关键词：
- 关键词：光电子集成多量子阱
- GaAs基谐振腔增强型光电探测器
- 2002年
- 本文报道了利用MBE和MOCVD方法生长外延材料并制作出GaAs基谐振腔增强型光电探测器，进行理论分析和实验研究的结果。
- 梁琨杨晓红吴荣汉
- 关键词：GAAS谐振腔增强型光电探测器MBEMOCVDRCE光电探测器光电特性
- 基于激子效应的多量子阱光调制器/探测器列阵
- 一种基于激子效应的多量子阱光调制器/探测器列阵器件，列阵中的每个光调制器/探测器的结构相同，其中包括：一衬底；一布拉格反射镜，该布拉格反射镜制作在衬底上；一多量子阱光吸收区，该多量子阱光吸收区制作在布拉格反射镜上，该多量...
- 陈弘达吴荣汉杜云毛陆虹唐君裴为华梁琨
- 文献传递
- 垂直腔面发射激光器的光收发一体模块
- 本发明一种垂直腔面发射激光器的的光收发一体模块，包括：一用于集成发射和接收组件的高频印制电路板；一光发射组件，包括垂直腔面发射激光器及驱动电路，该垂直腔面发射激光器与驱动电路连接；一光接收组件，包括探测器及接收电路，该探...
- 陈弘达申荣铉毛陆虹吴荣汉杜云唐君梁琨
- 文献传递
- 基于激子效应的多量子阱光调制器/探测器列阵
- 一种基于激子效应的多量子阱光调制器/探测器列阵器件，列阵中的每个光调制器/探测器的结构相同，其中包括：一衬底；一布拉格反射镜，该布拉格反射镜制作在衬底上；一多量子阱光吸收区，该多量子阱光吸收区制作在布拉格反射镜上，该多量...
- 陈弘达吴荣汉杜云毛陆虹唐君裴为华梁琨
- 文献传递
- RCE光电探测器顶部 DBR的优化(英文)
- 2001年
- 对研制的 VCSEL 结构外延片制成的谐振腔增强型 (简称 RCE)光电探测器进行了物理分析和实验研究 ,由于 VCSEL 与 RCE光电探测器对谐振腔反射镜的反射率要求不同 ,通过腐蚀 VCSEL 器件顶部 DBR,改变顶镜反射率 ,能够得到量子效率峰值和半宽优化兼容的 RCE光电探测器 ,实现 VCSEL 与 RCE探测器的单片集成 .
- 梁琨陈弘达邓晖杜云唐君吴荣汉
- 关键词：垂直腔面发射激光器谐振腔增强型光电探测器
- GaAs基谐振腔增强型(RCE)发射器和接收器
- 本文报导了GaAs基近红外RCE型发射器和接收器的实验结果,并对用相同生长结构的芯片制作发射器和接收器的可行性、兼容性及其优化进行了物理分析.
- 吴荣汉杨晓红梁琨
- 关键词：谐振腔增强型光发射器光接收器砷化镓
- 文献传递
- 大规模光电集成RCE探测器面阵器件
- 大规模光电集成RCE探测器面阵器件，该面阵器件的每个器件的机构都是相同的，该面阵器件都是由两部分构成，即砷化镓基光探测器和硅基后处理电路，包括：一衬底；一布拉格反射镜，该布拉格反射镜制作在衬底上；一多量子阱光吸收区，该多...
- 陈弘达裴为华毛陆虹吴荣汉杜云唐君邓晖梁琨
- 文献传递
