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欧明娣

作品数：4 被引量：12H指数：2
供职机构：昆明物理研究所更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇探测器
  • 2篇红外
  • 2篇红外探测
  • 2篇红外探测器
  • 2篇薄膜生长
  • 2篇HG1-XC...
  • 2篇LPE
  • 1篇电子显微术
  • 1篇液相外延
  • 1篇碲镉汞
  • 1篇碲镉汞晶体

机构

  • 4篇昆明物理研究...

作者

  • 4篇欧明娣
  • 3篇董先庆
  • 2篇黄晖
  • 2篇莫玉东
  • 2篇雷春红
  • 2篇陈建才
  • 1篇姚英
  • 1篇蔡毅
  • 1篇宋炳文
  • 1篇朱惜辰
  • 1篇梁宏林

传媒

  • 2篇红外技术
  • 1篇第十三届全国...
  • 1篇第十三届全国...

年份

  • 2篇1998
  • 2篇1994
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
磨抛工艺中HgCdTe晶片的表面损伤被引量：10
1994年
用Ｘ射线反射形貌术研究了磨抛工艺在用Ｔｅ溶剂法和布里奇曼法生长的碲镉汞晶片表面引入的损伤，发现精磨精抛的ＨｇＣｄＴｅ晶片表面的损伤结构与切割、粗磨造成的损伤结构明显不同。根据实验结果分析，认为机械划痕是精磨精抛过程中的主要损伤结构，并提出一个新的表面损伤模型──表面不完全损伤模型。用Ｘ射线形貌相测出了精磨精抛ＨｇＣｄＴｅ晶片表面的平均损伤和最大损伤深度。结合压痕实验，确定了机械划痕周围的晶格应变区是高密度位错增殖区；在特定条件下，测出两者之间的比值约为５。最后讨论了最大损伤深度和平均损伤深度对探测器性能的影响。
姚英蔡毅欧明娣梁宏林朱惜辰
关键词：红外探测器
LPE Hg1-xCdxTe薄膜生长工艺的研究
该文介绍昆明物理研究所开管、水平滑块、富Tc源方式下，生长 Hg1-xCdxTe(MCT)薄膜的液相外延(LPE)工艺技术，对外延膜的一些特性进行了分析。相外延，碲锅汞。
雷春红陈建才欧明娣莫玉东黄晖董先庆
关键词：薄膜生长液相外延
LPE Hg1-xCdxTe薄膜生长工艺的研究
介绍昆明物理研究所开管、水平滑块、富Tc源方式下，生长 Hg1-xCdxTe(MCT)薄膜的液相外延(LPE)工艺技术，对外延膜的一些特性进行了分析。相外延，碲锅汞。
董先庆黄晖莫玉东欧明娣陈建才雷春红
关键词：薄膜生长
碲镉汞晶体结构性质的电子显微术研究被引量：2
1994年
采用扫描电子显微术对布里奇曼法、固态再结晶法和碲溶剂法生长的Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ晶体的结构性质进行了研究，结果表明位错和亚晶界是三种方法所得晶体的主要缺陷，而位错和亚晶界的形态与分布则取决于被研究面的结晶学取向。实验还观察到经过长期高温退火的晶体中单个位错成规则的点阵分布，或排列成位错墙。此外也观察到孪晶，多晶以及第二相等结构缺陷。
唐家钿宋炳文董先庆欧明娣
关键词：红外探测器碲镉汞晶体电子显微术
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