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汪磊

作品数:2 被引量:2H指数:1
供职机构:中国科学技术大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇电极
  • 1篇电流
  • 1篇氧化硅薄膜
  • 1篇射频
  • 1篇梳状电极
  • 1篇硅薄膜
  • 1篇放电
  • 1篇放电电流
  • 1篇表面放电

机构

  • 2篇中国科学技术...

作者

  • 2篇汪磊
  • 1篇程诚
  • 1篇陈牧笛
  • 1篇周海洋
  • 1篇柯博
  • 1篇温晓辉
  • 1篇倪添灵
  • 1篇詹如娟
  • 1篇张锐
  • 1篇丁芳
  • 1篇朱晓东
  • 1篇徐蕾

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 1篇2010
  • 1篇2004
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
梳状电极结构对大气压表面放电的影响被引量:1
2004年
研究了梳状电极结构对大气压表面放电的影响 ,发现频率固定时放电电流随着外加电压的增加而增加 ,而电压固定时在某个频率范围内放电电流有最大值 ;在相同的电压和频率下较宽的电极条宽可以产生较大的放电电流 ,而电极条间距对放电电流几乎没有影响 ;用整块金属板做接地电极相比于梳状接地电极可以产生较大的放电电流 ;另外 ,较厚的高压电极可以在介质板表面产生更明亮。
张锐汪磊徐蕾程诚詹如娟
关键词:表面放电梳状电极放电电流
电子回旋共振-射频双等离子体沉积氧化硅薄膜过程中的射频偏压效应被引量:1
2010年
本文利用六甲基乙硅氧烷(HMDSO)和氧气(O2)为反应气体,利用微波电子回旋共振-射频双等离子体化学气相沉积法沉积氧化硅薄膜,并利用发射光谱对等离子体特性进行原位诊断.研究表明,RF偏压对氧化硅薄膜沉积速率和薄膜中的化学键结构产生有意义的影响.小的直流自偏压会略微提高沉积速率;但随着直流自偏压的增加,离子轰击效应及刻蚀作用加强,薄膜的沉积速率下降.在13.56MHz和400kHz两个不同射频频率条件下所沉积的薄膜中,O和Si的比例基本相同,均超过2∶1;但400kHz射频偏压下薄膜中的碳成分比例比13.56MHz条件下的要高得多.这可以归因为高的射频偏压的应用不仅可增强离子轰击效应,而且与体等离子体相互作用,使高活性的氧原子增多;而低频偏压的作用主要是增强离子轰击效应.
柯博汪磊倪添灵丁芳陈牧笛周海洋温晓辉朱晓东
关键词:氧化硅薄膜
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