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朱晓东

作品数:43 被引量:59H指数:5
供职机构:中国科学技术大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家基础科学人才培养基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术电子电信核科学技术更多>>

文献类型

  • 21篇期刊文章
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  • 2篇学位论文
  • 2篇科技成果

领域

  • 25篇理学
  • 5篇电子电信
  • 5篇一般工业技术
  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇核科学技术
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇医药卫生

主题

  • 27篇等离子体
  • 11篇刚石
  • 10篇金刚石
  • 5篇金刚石薄膜
  • 5篇辉光
  • 4篇直流辉光
  • 4篇偏滤器
  • 4篇化学气相
  • 4篇化学气相沉积
  • 4篇CVD金刚石
  • 3篇等离子体射流
  • 3篇电子温度
  • 3篇中等离子体
  • 3篇离子
  • 3篇离子特征
  • 3篇膜过程
  • 3篇辉光放电
  • 2篇导电
  • 2篇导电材料
  • 2篇等离子

机构

  • 34篇中国科学技术...
  • 11篇中国科学院
  • 1篇宝山钢铁股份...
  • 1篇中国科技大学
  • 1篇中国科学院等...

作者

  • 43篇朱晓东
  • 19篇詹如娟
  • 13篇温晓辉
  • 11篇周海洋
  • 9篇丁芳
  • 7篇杨宽
  • 5篇汤中亮
  • 4篇李唤
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  • 2篇吴丛凤
  • 2篇倪天灵
  • 2篇丁芳

传媒

  • 6篇物理学报
  • 6篇真空科学与技...
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  • 4篇第十五届全国...
  • 2篇核技术
  • 1篇中国科学(A...
  • 1篇核聚变与等离...
  • 1篇第十六届全国...
  • 1篇第九届全国等...

年份

  • 2篇2023
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  • 1篇2017
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  • 3篇2013
  • 6篇2011
  • 3篇2010
  • 1篇2008
  • 1篇2006
  • 2篇2005
  • 1篇2003
  • 1篇2002
  • 3篇2001
  • 1篇2000
  • 4篇1999
  • 3篇1997
  • 1篇1995
43 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
等离子体化学气相沉积金刚石膜过程中光发射谱和朗谬尔探针原位诊断被引量:4
2001年
报道了利用光发射谱 (OES)和朗谬尔探针对热阴极直流放电等离子体化学气相沉积金刚石薄膜的等离子体条件进行原位研究的部分结果 ,研究了几种过程参数变化中等离子体状态 ,并与金刚石膜的沉积相联系。当CH4 浓度变化时 ,CH基团的发射强度和电子密度ne 的变化表现出相似趋势 ,均出现一极大值。而在高CH4 浓度 ,C2 的发射出现。在气压变化过程中 ,CH的发射强度和ne 均随气压的升高而下降 ,C2 的发射强度变化不大。用OES和朗谬尔探针测量的电子温度Te 所显示的结果是一致的。在这些过程中 ,电子碰撞应该是CH发射的主要机制 ,C2
朱晓东温晓辉周海洋詹如娟
关键词:电子温度电子密度金刚石薄膜等离子体化学气相沉积
常压线状冷等离子体射流产生装置
本发明提出一种常压线状冷等离子体射流产生装置,包括:介质板;固定在所述介质板的一个表面上的梳状悬空电极;固定在所述介质板的另一个表面上、与所述梳状悬空电极绝缘、且与音频交流功率源的输出端相连的交流电压电极板;中间开有一条...
朱晓东倪添灵丁芳温晓辉周海洋詹如娟
文献传递
高气压直流等离子体放电特性和材料应用研究
<正>我们建立了一套高气压脉冲直流辉光等离子体产生装置,它可在气压为100Torr-200Torr的范围内,在氢气、甲烷和氩气的混合气体中产生功率约15kW,最大直径80mm的辉光放电等离子体,并可连续稳定运行600小时...
丁芳郑仕健汤中亮倪天灵柯博朱晓东
文献传递
氢分子束流引入对ECR氢等离子体中离子特征的影响
2017年
利用质量能量分析仪研究了微波电子回旋共振(ECR)氢等离子体的离子特征以及氢分子束流引入对离子特征的影响。在工作气压1 Pa的放电条件下,探测到了H+、H_2^+和H_3^+三种氢离子,其中H_2^+为主要离子;随放电功率的增加,探测到的离子通量增加。维持氢气放电条件不变,在工作区引入微量的氢分子束流。在束流增加的初始阶段,电子-离子的复合反应增强,探测到的三种离子通量都减小;相对于高能离子,低能区的离子数显著减少;三种离子归一化后H_2^+相对含量增加,H_3^+相对含量减少,而H^+的相对含量基本不变;相对含量的变化与不同离子-分子间碰撞的差异有关。随着氢气束流进一步增加,各种离子相对含量趋于稳定。
石正雨张一川杨宽李唤朱晓东
关键词:氢等离子体离子特征
水-等离子体界面动力学特征研究
<正>水下放电等离子体的工作气压在一个大气压以上,如此高的气压下,产生的等离子体具有超高密度和高活性的独特优势,这为其在生物、化学以及新材料方面的应用提供了极为有利的条件。水中气泡内的高气压除了导致了激烈的碰撞效应和超高...
郑仕健张一川柯博丁芳朱晓东
文献传递
RF等离子体沉积硅基纳米结构研究
<正>一维硅基纳米结构的可控生长,包括结构和物理特性的控制,一直是纳米结构生长研究的重要方向,尤其是纳米线的定向生长,掺杂等方面的研究备受期待。在容性耦合射频放电六甲基乙硅氧烷(HMDSO)/氢气(H_2)等离子体中沉积...
柯博陈牧笛杨宽朱晓东
文献传递
直流辉光等离子体装置及金刚石片的制备方法
本发明实施例公开了一种直流辉光等离子体装置,包括:电极系统、水冷真空系统和电源控制系统,所述电源控制系统包括脉冲直流电源。本发明提供的装置可以在高气压条件下采用放电的脉冲运行,有效地抑制辉光向弧放电转移,能够得到稳定的高...
朱晓东丁芳詹如娟倪天灵柯博
文献传递
HMDSO/H_2等离子体化学气相沉积非晶包覆纳米α-SiC薄膜的实验研究被引量:1
2006年
本文利用六甲基二硅氧烷(HMDSO)作为先驱物质、氢气为稀释气体,进行了等离子体化学气相沉积碳硅薄膜的实验研究。运用X射线衍射、拉曼光谱、扫描电子显微镜和X射线光电子能谱对薄膜的成份和结构进行了分析。结果表明,在生长温度为750℃的条件下成功地得到了纳米-αSiC沉积,碳化硅晶粒被包覆在非晶的SiOxCy∶H成分中。薄膜由椭球状的颗粒组成,且随着HMDSO比例的增加,薄膜的结晶度和表面均匀性都得到改善。高流量氢气和HMDSO单体的使用被认为有效地促进了-αSiC晶体的形成。
颜官超丁斯晔朱晓东周海洋温晓辉丁芳
关键词:纳米HMDSO
CVD金刚石电子基板的研制及其过程中等离子体环境的研究
朱晓东
关键词:CVD金刚石等离子体
微波ECR氮-氩等离子体离子特征及制备FeN磁性薄膜的研究
<正>在等离子体材料加工过程中,离子起着不可或缺的作用,在包括离子注入、等离子体刻蚀与沉积在内的等离子体工艺中都扮演着关键的角色。了解放电所产生的各种离子的行为,包括离子的种类、能量分布等参数,对于材料的表面形貌、结构乃...
张一川谢新华郑仕健汤中亮李唤朱晓东
文献传递
共5页<12345>
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