洪姣
- 作品数：10 被引量：15H指数：3
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- 螯合剂在TSV CMP中对铜膜抛光效果的影响
- 2015年
- 化学机械抛光(CMP)是硅通孔(TSV)工艺中的关键步骤之一,抛光工艺和抛光液是影响抛光效果的两大决定因素。主要研究了抛光液中螯合剂在TSV CMP中对铜膜去除速率及抛光后铜膜表面粗糙度的影响,由实验结果可知,随着抛光液中螯合剂体积分数的增加,铜膜去除速率先增加后趋于平衡,螯合剂体积分数为5%时铜膜的去除速率最大,约为1 450 nm/min;随着抛光液中螯合剂体积分数的增加,抛光后铜膜表面粗糙度先减小后增大,螯合剂体积分数为5%时铜膜表面粗糙度最小,约为1.77 nm。
- 洪姣刘玉岭牛新环王辰伟闫辰奇张金张燕
- 关键词：螯合剂碱性抛光液去除速率
- 一种适用于低下压力的铜化学机械精抛光液
- 本发明公开了一种适用于低下压力的铜化学机械精抛光液。本发明所述抛光液中包含研磨颗粒、络合剂、氧化剂，表面活性剂、抑菌剂和水，抑菌剂的含量为重量百分比0.001～1％；研磨颗粒含量为重量百分比3～15％；络合剂的含量为重量...
- 何彦刚王娟唐继英黄妍妍武鹏洪姣王胜利刘玉岭
- 文献传递
- 不同体积分数螯合剂对Cu-BTA去除的影响被引量：4
- 2014年
- 化学机械抛光（CMP）过程中苯并三氮唑（BTA）与金属铜反应生成表面难溶、难以去除的Cu—BTA钝化膜，是抛光后清洗过程中主要去除的对象。采用自主研发的FA／OⅡ型碱性螯合剂作为清洗液的主要成分，并对清洗过程中有效去除Cu—BTA的螯合剂体积分数进行了研究。通过Cu—BTA膜厚生长实验，确定Cu—BTA的生长方式。根据BTA在不同FA／O型螯合剂中溶解度对比实验，确定FA／OⅡ型螯合剂为清洗液的主要成分。通过大量实验得到，FA／OⅡ型螯合剂体积分数为0．0075％～0．015％时，能有效去除Cu—BTA钝化膜及表面其他残留物，接触角下降到29°，表面粗糙度得到改善约为3．91nm。此外，静态腐蚀速率实验进一步验证接触角的测试结果，确定有效去除Cu—BTA的螯合剂体积分数。
- 苗英新王胜利刘玉岭王辰伟孙铭斌洪姣
- 关键词：螯合剂接触角
- CMP后清洗中活性剂对SiO_2颗粒去除的影响被引量：1
- 2016年
- 主要研究了碱性清洗剂中不同体积分数FA/O型活性剂对SiO_2颗粒沾污去除的影响。由金相显微镜实验可以看出,随着FA/O型活性剂体积分数的增加,SiO_2颗粒沾污去除效果先升高后降低,在体积分数为0.25%时效果最优。由原子力显微镜(AFM)测试实验可以得出,当FA/O型活性剂体积分数为0.25%时铜光片表面粗糙度最小,说明此时SiO_2颗粒沾污得到了有效去除,适当的FA/O型活性剂体积分数能有效提高清洗后铜光片的表面质量。通过扫描电子显微镜(SEM)随机扫描,对SiO_2颗粒沾污进行统计计算,得出当FA/O型活性剂体积分数为0.25%时SiO_2颗粒沾污缺陷占总缺陷的百分比最小,说明FA/O型活性剂可以有效去除化学机械抛光后铜光片表面的SiO_2颗粒沾污。
- 洪姣牛新环刘玉岭王辰伟孙鸣高宝红韩力英
- 关键词：SIO2颗粒金相显微镜
- 低磨料质量分数碱性阻挡层抛光液的研究被引量：1
- 2016年
- 主要研究了低磨料质量分数阻挡层抛光液的抛光性能,并将其与商用抛光液进行了对比。由实验结果可以看出,当固定抛光液中的磨料质量分数时,铜的去除速率随着磨料粒径的减小而升高。当固定磨料粒径不变时,铜的去除速率随着磨料质量分数的升高而迅速升高,而钽略有升高但不明显。当磨料质量分数为5%时,铜和钽的去除速率选择比最优。通过对比实验可以看出,用磨料质量分数为5%的抛光液抛光后,晶圆表面粗糙度较商用抛光液降低了约30%,并且磨料质量分数为5%的抛光液抛光后的晶圆蝶形坑明显优于商用抛光液抛光后的晶圆蝶形坑。
- 洪姣牛新环刘玉岭王辰伟王如孙鸣高宝红岳昕李祥州李月
- 关键词：阻挡层去除速率粗糙度
- 新型碱性清洗剂对BTA去除的研究被引量：3
- 2014年
- 为了有效去除化学机械抛光(CMP)后清洗中的苯并三氮唑(BTA)沾污,分析了碱性清洗剂中FA/OⅡ型螯合剂和FA/OⅠ型表面活性剂对BTA去除的影响规律。铜光片上的单因素实验中,通过测试铜光片清洗前后铜表面与去离子水的接触角得出:FA/OⅡ型螯合剂是影响铜光片上BTA去除的主要因素,FA/OⅠ型表面活性剂对铜光片上BTA的去除有一定的作用。利用扫描电镜测试采用不同体积分数和不同配比的清洗液清洗后的图形片上的BTA沾污,通过对比清洗后铜光片上残留的BTA沾污数量可知,清洗剂中FA/OⅡ型螯合剂体积分数为0.01%和FA/O I型表面活性剂体积分数为0.25%时,清洗剂清洗BTA沾污效果最好,基本上无BTA沾污残留,并且清洗后未发现氧化铜颗粒和硅溶胶颗粒沾污。
- 洪姣刘玉岭王辰伟苗英新段波
- 关键词：螯合剂表面活性剂接触角
- 多层铜布线CMP后BTA去除和铜表面腐蚀抑制被引量：1
- 2017年
- 有机残余(主要是苯并三氮唑(BTA))和铜表面腐蚀是多层铜布线化学机械抛光(CMP)后晶圆缺陷中的两个重要问题,针对BTA去除和铜表面腐蚀抑制提出了一种新的碱性清洗剂。该清洗剂主要由FA/O螯合剂和FA/O表面活性剂组成。FA/O螯合剂对于去除BTA起主要作用,FA/O表面活性剂不仅能抑制腐蚀而且促进了BTA的去除。通过接触角测量、扫描电镜(SEM)、金相显微镜、静态腐蚀速率(SER)等实验及线上测试研究了该清洗剂的性能,结果表明清洗剂能有效去除BTA且在抑制铜表面腐蚀方面效果明显,有效解决了极大规模集成电路(GLSI)多层铜布线CMP后清洗中的多项技术难题。
- 唐继英刘玉岭王辰伟洪姣
- 关键词：铜腐蚀
- GLSI多层铜布线低磨料碱性阻挡层CMP材料与工艺的研究
- 随着半导体集成电路的发展,特征尺寸不断缩小,集成电路制造工艺越来越复杂。化学机械平坦化是集成电路制造的关键工艺之一,是多层铜布线实现局部和全局平坦化的核心技术。阻挡层CMP是多层铜布线平坦化的最后一道工序,抛光质量直接影...
- 洪姣
- 关键词：阻挡层化学机械平坦化碱性抛光液
- 文献传递
- 碱性条件下对铜—BTA的去除被引量：1
- 2013年
- 为有效去除铜片表面难溶的、具有复杂结构的铜-BTA,主要对铜片清洗过程中起关键作用的清洗液的组分和浓度进行了研究。采用自主研发的FA/O II型螯合剂作为清洗液,反复进行了大量实验。结果表明,当FA/O II型螯合剂体积分数为7.5%,清洗液pH值为10.05时,能有效去除铜-BTA和表面的其他颗粒物,接触角可降到28.5°,同时该清洗液不会在表面沾留和造成腐蚀,表面粗糙度可降到3.52 nm。此外,通过红外测试铜-BTA所在的波段,利用电化学工作站验证了铜-BTA膜的存在,并进一步验证了实验结果。通过与KOH配制的相同pH值的清洗液进行对比,接触角和表面粗糙度均无较大变化,从而确定FA/O II型螯合剂对铜-BTA的去除起主要作用。
- 杨昊鹍刘玉岭王辰伟张宏远洪姣孙铭斌
- 关键词：螯合剂接触角
- 300mm硅晶圆粗抛速率优化被引量：4
- 2016年
- 针对直径300 mm硅晶圆的粗抛,研究了不同稀释比例的FA/O型硅片粗抛液对硅去除速率的影响,发现按1∶30的体积比稀释时硅片背面去除速率偏低。通过深入分析1∶30的稀释体积比下温度与硅去除速率的关系,对抛光液和工艺进行调整优化,提高了硅片去除速率。优化结果表明,硅晶圆背面和正面抛光的启动温度和最高温度均上升了约1℃,同时5.5 min内背面去除量由3.34μm增至3.67μm,15 min内正面去除量由10.075μm提高到12.285μm,均满足工业要求。进而对抛光液循环使用寿命进行了验证,结果表明FA/O型硅粗抛液使用寿命可达300 min,有利于降低生产成本。
- 张文倩刘玉岭王辰伟洪姣王娟栾晓东
- 关键词：硅晶圆温度使用寿命
