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王一红

作品数:3 被引量:12H指数:3
供职机构:北京师范大学物理学系更多>>
发文基金:国家自然科学基金教育部高等学校骨干教师资助计划高等学校骨干教师资助计划更多>>
相关领域:理学一般工业技术电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇一般工业技术
  • 2篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇光谱
  • 3篇光致
  • 3篇光致发光
  • 3篇光致发光谱
  • 3篇发光
  • 2篇导体
  • 2篇吸收谱
  • 2篇量子
  • 2篇量子点
  • 2篇光吸收谱
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体量子点
  • 1篇三元化合物
  • 1篇室温
  • 1篇量子尺寸效应
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米晶
  • 1篇纳米晶体
  • 1篇界面态
  • 1篇晶体

机构

  • 3篇北京师范大学

作者

  • 3篇王一红
  • 3篇刘惠民
  • 3篇桑丽华
  • 2篇田强
  • 2篇吴畅书
  • 1篇王若桢
  • 1篇孙萍
  • 1篇王引书
  • 1篇郑东

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇发光学报
  • 1篇北京师范大学...

年份

  • 2篇2003
  • 1篇2002
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
玻璃中CdSeS纳米晶体的室温光致发光谱被引量:5
2003年
对掺有过饱和的镉、硒和少量硫的玻璃在500~800℃分别退火4h,生长了不同尺寸的CdSe1-xSx纳米晶体。测量了纳米晶体的室温吸收光谱和光致发光(PL)光谱,550℃生长的样品在300~800nm的范围没有观察到吸收和发光峰,表明温度低于550℃玻璃中不能形成纳米晶体。生长温度在600~650℃,纳米晶体的PL光谱主要为两个宽的发光带,即带边激子发光带和通过表面态复合的发光带。随着生长温度的升高,带边复合发光的蓝移减小,通过表面态的发光逐渐消失,并出现了叠加于宽发光带上的一系列明显的弱发射峰。不同温度生长的样品中,叠加峰的能量相同。同一样品中叠加峰的能量不随激发光波长的变化而变化。
王引书郑东孙萍王一红刘惠民桑丽华王若桢
关键词:纳米晶体室温光致发光谱
半导体CdSSe量子点10K光致发光谱和光吸收谱研究被引量:4
2002年
在 10K温度下 ,通过光致发光和光吸收谱实验研究半导体CdSSe量子点 ,并进行了变温测量 .分析了半导体量子点的量子尺寸效应、量子点电子能级的温度效应。
吴畅书田强刘惠民王一红桑丽华
关键词:半导体量子点光致发光谱光吸收谱量子尺寸效应
玻璃中半导体CdSSe量子点的界面态发光被引量:4
2003年
研究了玻璃中半导体 Cd SSe量子点的界面态发光 .在 10 K温度下 ,通过 PL 和吸收光谱实验 ,研究了半导体Cd SSe量子点 ,并进行了变温测量 .分析了半导体量子点的量子尺寸效应、温度对 PL 和吸收光谱的影响 .实验发现PL 谱中在 1.84e V和 1.91e V有两个尖锐的发光峰 ,且峰位不随量子点尺寸大小变化而漂移 ,这是来源于与量子点尺寸无关的界面态的发光 ;同时 ,界面态的发光强度应与量子点半径成反比 ,实验结果与之相符 .
吴畅书田强刘惠民王一红桑丽华
关键词:半导体量子点界面态光致发光谱光吸收谱
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