刘惠民
- 作品数：9 被引量：42H指数：4
- 供职机构：北京师范大学物理学系更多>>
- 发文基金：国家理科基地创建名牌课程项目国家自然科学基金教育部高等学校骨干教师资助计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术文化科学更多>>
- 玻璃中半导体CdSSe量子点的界面态发光被引量：4
- 2003年
- 研究了玻璃中半导体 Cd SSe量子点的界面态发光 .在 10 K温度下 ,通过 PL 和吸收光谱实验 ,研究了半导体Cd SSe量子点 ,并进行了变温测量 .分析了半导体量子点的量子尺寸效应、温度对 PL 和吸收光谱的影响 .实验发现PL 谱中在 1.84e V和 1.91e V有两个尖锐的发光峰 ,且峰位不随量子点尺寸大小变化而漂移 ,这是来源于与量子点尺寸无关的界面态的发光 ;同时 ,界面态的发光强度应与量子点半径成反比 ,实验结果与之相符 .
- 吴畅书田强刘惠民王一红桑丽华
- 关键词：半导体量子点界面态光致发光谱光吸收谱
- 纳米氧化锌颗粒的荧光光谱特性及测试条件的影响被引量：6
- 2006年
- 分别用沉淀法和有机物单源的热分解方法从溶液中生长了不同尺寸的氧化锌纳米晶体,研究了纳米晶体的荧光特性及其对测量样品状态的依赖关系.尺寸比较大的ZnO纳米晶体在固态下其荧光光谱为宽阔的发光带,并在宽阔发光带上出现一系列明显的精细结构,而分散于有机溶剂中时其荧光由激子复合发射和通过氧空位的复合发射组成.分散于有机溶剂中的中等尺寸的表面包裹的纳米ZnO晶体的荧光由激子荧光、通过浅杂质的发射和通过本征缺陷复合的荧光组成,其强度随着测量浓度的升高而增强,并且激子的荧光发生红移;尺寸比较小的表面包裹的纳米晶体的荧光为激子复合和通过氧空位复合的荧光组成,激子荧光强度、通过氧空位的发光强度及其相对强度随着纳米晶体浓度的变化而变化,测量浓度的升高,激子发光峰没有位移,但与缺陷态相关的激发光荧光发生红移.
- 林传金王引书郑东刘惠民丁凤莲樊洁平
- 关键词：荧光特性
- 光吸收介质的吸收系数与介电函数虚部的关系被引量：16
- 2009年
- 讨论了相对介电函数虚部和消光系数与光吸收的关系,指出吸收系数与消光系数成正比,而吸收系数与相对介电函数虚部成正比是有条件的.
- 樊洁平刘惠民田强
- 关键词：介电函数消光系数
- “纳米晶体性能”研究性实验教学模块
- 介绍了围绕玻璃中CdSeS半导体纳米晶体的生长、量子受限效应和光学非线性等系列实验组成的“纳米晶体性能”研究性实验教学模块的内容、教学要求和教学理念。
- 王引书刘惠民樊洁平孙萍
- 关键词：纳米晶体研究性实验教学模块
- “纳米晶体性能”实验研究性教学被引量：2
- 2009年
- 介绍了围绕玻璃中CdSeS半导体纳米晶体的生长、量子受限效应和光学非线性等系列实验组成的"纳米晶体性能"研究性实验教学模块的内容、教学要求和教学理念.
- 王引书刘惠民樊洁平孙萍
- 关键词：纳米晶体研究性实验教学理念
- 玻璃中CdSeS纳米晶体的室温光致发光谱被引量：5
- 2003年
- 对掺有过饱和的镉、硒和少量硫的玻璃在500～800℃分别退火4h,生长了不同尺寸的CdSe1-xSx纳米晶体。测量了纳米晶体的室温吸收光谱和光致发光(PL)光谱,550℃生长的样品在300～800nm的范围没有观察到吸收和发光峰,表明温度低于550℃玻璃中不能形成纳米晶体。生长温度在600～650℃,纳米晶体的PL光谱主要为两个宽的发光带,即带边激子发光带和通过表面态复合的发光带。随着生长温度的升高,带边复合发光的蓝移减小,通过表面态的发光逐渐消失,并出现了叠加于宽发光带上的一系列明显的弱发射峰。不同温度生长的样品中,叠加峰的能量相同。同一样品中叠加峰的能量不随激发光波长的变化而变化。
- 王引书郑东孙萍王一红刘惠民桑丽华王若桢
- 关键词：纳米晶体室温光致发光谱
- 半导体CdSSe量子点10K光致发光谱和光吸收谱研究被引量：4
- 2002年
- 在 10K温度下 ,通过光致发光和光吸收谱实验研究半导体CdSSe量子点 ,并进行了变温测量 .分析了半导体量子点的量子尺寸效应、量子点电子能级的温度效应。
- 吴畅书田强刘惠民王一红桑丽华
- 关键词：半导体量子点光致发光谱光吸收谱量子尺寸效应
- 固体物理学中平衡态的热力学条件分析被引量：3
- 2005年
- 在具体分析和讨论肖特基缺陷热平衡浓度的热力学平衡条件的基础上,指出其热力学平衡条件是自由焓Φ最小的态;对于固体物理学中采用自由能F最小作为热力学平衡态的条件进行了分析和讨论,在压强为大气压或压强足够低的条件下,自由焓Φ最小近似为自由能F最小.
- 刘惠民田强
- 关键词：固体物理平衡态自由能
- 共熔法在玻璃中生长的半导体量子点的电偶极矩被引量：3
- 2005年
- 理论分析了共熔法在玻璃中生长的CdSe0.9S0.1半导体量子点在恒定外场作用下的电偶极矩.由于玻璃介质与量子点的互溶,共熔法在玻璃中生长的量子点是球形梯度量子点,其相对介电常数沿径向的变化可以采用指数函数模拟.在球坐标系中通过分离变量法求解电势满足的方程,得到球形梯度量子点的电偶极矩与量子点体积成正比,以及与半导体和玻璃介电常数的定量关系.
- 田强刘惠民樊洁平杨永刚
- 关键词：电偶极矩极化
