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王佳宇

作品数：9 被引量：5H指数：1
供职机构：吉林大学更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 2篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 4篇电子电信
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 4篇刻蚀
  • 3篇热沉
  • 2篇电子封装
  • 2篇氧化铈
  • 2篇生长面
  • 2篇丝网印刷
  • 2篇抛光
  • 2篇硝酸
  • 2篇硝酸镧
  • 2篇金属化
  • 2篇金属化工艺
  • 2篇刻蚀工艺
  • 2篇基板
  • 2篇机械抛光
  • 2篇封装
  • 2篇CVD
  • 1篇电子领域
  • 1篇药物
  • 1篇英文
  • 1篇元件

机构

  • 9篇吉林大学

作者

  • 9篇王佳宇
  • 7篇白亦真
  • 7篇金曾孙
  • 5篇陈宏宇
  • 4篇吕宪义
  • 2篇纪红
  • 1篇姜志刚
  • 1篇纪红
  • 1篇金爱子
  • 1篇孙越
  • 1篇曹培江
  • 1篇杨广亮
  • 1篇顾长志

传媒

  • 1篇无机材料学报
  • 1篇功能材料与器...

年份

  • 1篇2022
  • 1篇2003
  • 2篇2002
  • 2篇2001
  • 2篇2000
  • 1篇1994
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
金刚石厚膜热沉基板的金属化工艺
本发明属金刚石厚膜热沉基板的金属化工艺、采用MnO<Sub>2</Sub>、Ni、Au三种浆料、顺序分三次丝网印刷在金刚石厚膜生长面上，每次印刷后都在400～550℃温度下预烧5～20分钟，最后在真空度10<Sup>-2...
王佳宇陈宏宇吕宪义白亦真金曾孙
文献传递
底成本高品质金刚石膜生长技术和热沉应用
金曾孙顾长志吕宪义白亦真姜志刚王佳宇纪红曹培江杨广亮孙越
该项目为“863”新材料领域重大项目，该项目建立低成本高导热金刚石膜的制备方法和制备技术，即用直流热阴极PCVD方法实现高导热大面积金刚石膜的快速生长。采用微波PCVD方法制备大面积高纯金刚石薄膜，满足SOD材料的制备要...
关键词：
关键词：金刚石膜热沉
高分子聚合物湿敏材料及其元件的研制
王佳宇
金刚石厚膜热沉基板的金属化工艺
本发明属金刚石厚膜热沉基板的金属化工艺,采用MnO<Sub>2</Sub>、Ni、Au三种浆料,顺序分三次丝网印刷在金刚石厚膜生长面上,每次印刷后都在400～550℃温度下预烧5～20分钟,最后在真空度10<Sup>-2...
王佳宇陈宏宇吕宪义白亦真金曾孙
文献传递
稀土化合物浆料及金刚石厚膜的表面刻蚀方法
本发明属金刚石厚膜的表面刻蚀方法。采用稀土化合物浆料,如以氧化铈和硝酸镧为原料的浆料,印刷于金刚石厚膜生长面,再经400～600℃烧结2～5小时,最后用浓硫酸清洗。浆料是将原料与溶剂混合研磨再加调和剂配制而成。本发明原料...
王佳宇陈宏宇白亦真金曾孙
文献传递
基于表面增强拉曼高通量靶向药物筛选技术的研究
王佳宇
CVD金刚石厚膜的稀土化合物浆料刻蚀(英文)
2001年
与现有的金刚石膜抛光工艺相匹配的高效刻蚀技术，是目前研究的热点。自行研制的稀土 化合物浆料对 CVD金刚石厚膜进行了刻蚀研究，刻蚀过程在低于金刚石氧化点的温度下和大气 环境中完成。其刻蚀结果，用扫描电子显微镜给出。实验表明 ,该工艺采用廉价的稀土化合物为 原料，具有简单、安全、高效的特点。
王佳宇白亦真陈宏宇吕宪义金曾孙纪红
关键词：CVD刻蚀
稀土化合物浆料及金刚石厚膜的表面刻蚀方法
本发明属金刚石厚膜的表面刻蚀方法。采用稀土化合物浆料，如以氧化铈和硝酸镧为原料的浆料，印刷于金刚石厚膜生长面，再经400～600℃烧结2～5小时，最后用浓硫酸清洗。浆料是将原料与溶剂混合研磨再加调和剂配制而成。本发明原料...
王佳宇陈宏宇白亦真金曾孙
文献传递
稀土化合物浆料对CVD金刚石厚膜的刻蚀被引量：5
2002年
ＣＶＤ金刚石厚膜具有极高的硬度，使得对其进行表面抛光极为困难．传统的机械抛光方法既不经济又耗费时间，而一些新的抛光技术又由于实验条件限制而难以推广．针对以上情况，我们寻求到一种新的化学刻蚀方法，即利用稀土化合物浆料对金刚石厚膜生长表面进行刻蚀，破坏表面的晶粒使之成为晶骸，降低表面的耐磨性，以提高表面粗糙的金刚石厚膜的抛光效率．
王佳宇金爱子白亦真纪红金曾孙
关键词：CVD刻蚀表面形貌
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