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文献类型

  • 4篇专利
  • 2篇学位论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 3篇刻蚀
  • 2篇电子封装
  • 2篇氧化铈
  • 2篇生长面
  • 2篇丝网印刷
  • 2篇抛光
  • 2篇热沉
  • 2篇硝酸
  • 2篇硝酸镧
  • 2篇金属化
  • 2篇金属化工艺
  • 2篇刻蚀工艺
  • 2篇基板
  • 2篇机械抛光
  • 2篇封装
  • 1篇电子领域
  • 1篇英文
  • 1篇装料
  • 1篇微电子
  • 1篇微电子领域

机构

  • 7篇吉林大学

作者

  • 7篇陈宏宇
  • 5篇王佳宇
  • 5篇白亦真
  • 5篇金曾孙
  • 3篇吕宪义
  • 1篇纪红

传媒

  • 1篇功能材料与器...

年份

  • 1篇2003
  • 1篇2002
  • 1篇2001
  • 4篇2000
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
金刚石厚膜热沉基板的金属化工艺
本发明属金刚石厚膜热沉基板的金属化工艺、采用MnO<Sub>2</Sub>、Ni、Au三种浆料、顺序分三次丝网印刷在金刚石厚膜生长面上,每次印刷后都在400~550℃温度下预烧5~20分钟,最后在真空度10<Sup>-2...
王佳宇陈宏宇吕宪义白亦真金曾孙
文献传递
稀土化合物浆料对CVD金刚石厚膜表面刻蚀及金刚石厚膜板图形金属化的研究
陈宏宇
金刚石厚膜热沉基板的金属化工艺
本发明属金刚石厚膜热沉基板的金属化工艺,采用MnO<Sub>2</Sub>、Ni、Au三种浆料,顺序分三次丝网印刷在金刚石厚膜生长面上,每次印刷后都在400~550℃温度下预烧5~20分钟,最后在真空度10<Sup>-2...
王佳宇陈宏宇吕宪义白亦真金曾孙
文献传递
稀土化合物浆料及金刚石厚膜的表面刻蚀方法
本发明属金刚石厚膜的表面刻蚀方法。采用稀土化合物浆料,如以氧化铈和硝酸镧为原料的浆料,印刷于金刚石厚膜生长面,再经400~600℃烧结2~5小时,最后用浓硫酸清洗。浆料是将原料与溶剂混合研磨再加调和剂配制而成。本发明原料...
王佳宇陈宏宇白亦真金曾孙
文献传递
CVD金刚石厚膜的稀土化合物浆料刻蚀(英文)
2001年
与现有的金刚石膜抛光工艺相匹配的高效刻蚀技术,是目前研究的热点。自行研制的稀土 化合物浆料对 CVD金刚石厚膜进行了刻蚀研究,刻蚀过程在低于金刚石氧化点的温度下和大气 环境中完成。其刻蚀结果,用扫描电子显微镜给出。实验表明 ,该工艺采用廉价的稀土化合物为 原料,具有简单、安全、高效的特点。
王佳宇白亦真陈宏宇吕宪义金曾孙纪红
关键词:CVD刻蚀
稀土化合物浆料及金刚石厚膜的表面刻蚀方法
本发明属金刚石厚膜的表面刻蚀方法。采用稀土化合物浆料,如以氧化铈和硝酸镧为原料的浆料,印刷于金刚石厚膜生长面,再经400~600℃烧结2~5小时,最后用浓硫酸清洗。浆料是将原料与溶剂混合研磨再加调和剂配制而成。本发明原料...
王佳宇陈宏宇白亦真金曾孙
文献传递
稀土化合物浆料对CVD金刚石厚膜表面刻蚀及金刚石厚膜基板上图形金属化的研究
该文利用稀土化合物浆料对CVD金刚石厚膜表面进行刻蚀.研究了不同刻蚀温度和刻蚀时间对刻蚀效果的影响.总结了刻蚀作用的主要过程.通过机械抛光对比实验,获得了较好的抛光结果.通过真空下的烧结实验、X射线衍射、XPS、热重法分...
陈宏宇
文献传递
共1页<1>
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