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管伟华

作品数：20 被引量：16H指数：2
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 14篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 2篇科技成果
  • 1篇学位论文

领域

  • 6篇自动化与计算...
  • 1篇电子电信

主题

  • 17篇存储器
  • 9篇纳米
  • 9篇纳米晶
  • 7篇微电子
  • 7篇衬底
  • 5篇硅衬底
  • 5篇浮栅
  • 4篇载流子
  • 4篇非挥发性存储...
  • 3篇受性
  • 3篇耐受
  • 3篇耐受性
  • 3篇金属
  • 3篇金属纳米
  • 3篇金属纳米晶
  • 3篇挥发
  • 3篇非挥发性
  • 3篇产率
  • 2篇电子器件
  • 2篇电子制造

机构

  • 20篇中国科学院微...
  • 1篇安徽大学

作者

  • 20篇管伟华
  • 19篇龙世兵
  • 19篇刘明
  • 10篇刘琦
  • 9篇胡媛
  • 7篇李志刚
  • 6篇贾锐
  • 4篇杨清华
  • 2篇李维龙
  • 2篇陈宝钦
  • 2篇王永
  • 2篇王艳
  • 2篇王琴
  • 1篇张森
  • 1篇涂德钰
  • 1篇左青云
  • 1篇陈军宁
  • 1篇杨潇楠
  • 1篇牛洁斌
  • 1篇吕杭炳

传媒

  • 2篇微纳电子技术
  • 1篇物理

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 2篇2010
  • 10篇2009
  • 5篇2008
  • 1篇2007
共 20 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
纳米晶浮栅存储器的模拟、制备和电学特性
2009年
介绍了在纳米晶浮栅存储器数据保持特性方面的研究工作,重点介绍了纳米晶材料的选择与制备和遂穿介质层工程。研究证明,金属纳米晶浮栅存储器比半导体纳米晶浮栅存储器具有更好的电荷保持特性。并且金属纳米晶制备方法简单,通过电子束蒸发热退火的方法就能够得到质量较好的金属纳米晶,密度约4×1011cm-2,纳米晶尺寸约6～7nm。实验证明,高介电常数隧穿介质能够明显改善浮栅存储器的电荷保持特性,所以在引入金属纳米晶和高介电常数遂穿介质之后,纳米晶浮栅存储器可能成为下一代非挥发性存储器的候选者。
郭婷婷刘明管伟华胡媛李志刚龙世兵陈军宁
关键词：纳米晶金属纳米晶
二元过渡族金属氧化物非挥发电阻转变型存储器
本发明公开了一种基于离子注入的二元过渡族金属氧化物非挥发电阻转变型存储器，该存储器包括：一上导电电极；一下导电电极；一位于该上导电电极与下导电电极之间的二元过渡族金属氧化物薄膜，该二元过渡族金属氧化物薄膜中注入有离子。本...
刘琦刘明龙世兵贾锐管伟华
文献传递
多介质复合隧穿层的纳米晶浮栅存储器及其制作方法
本发明涉及微电子技术领域，公开了一种多介质复合遂穿层的纳米晶浮栅存储器，包括：硅衬底、硅衬底上重掺杂的源和漏导电区、源漏导电区之间载流子沟道上覆盖的SiO<Sub>2</Sub>材料介质/高k材料介质/高k或SiO<Su...
胡媛刘明龙世兵杨清华管伟华李志刚
文献传递
带有自整流效应的非易失电阻转变型存储器
本发明公开了一种带有自整流效应的非易失电阻转变型存储器，该非易失电阻转变型存储器由上Pt电极、下Pt电极、二元过渡族金属氧化物薄膜和PtO<Sub>x</Sub>界面层构成，其中，二元过渡族金属氧化物薄膜位于上Pt电极与...
刘明刘琦龙世兵管伟华
文献传递
一种制作自隔离电阻转变型存储器的方法
本发明涉及微电子制造及存储器技术领域，公开了一种制作自隔离电阻转变型存储器的方法，包括：A.在绝缘衬底上形成导电薄膜作为下电极；B.在形成下电极的结构上涂敷光刻胶；C.通过光刻方法在上述光刻胶上定义器件的大小；D.依次生...
管伟华龙世兵刘明
文献传递
阻变存储器及集成的基础研究
刘明刘琦管伟华龙世兵王艳吕杭炳牛洁斌左青云
该成果属于半导体存储技术领域。阻变存储器（RRAM)具有高密度、低功耗、高速等优异性能，是重要的下一代新型存储技术。主要发现点有：发现阻变功能层中缺陷的产生和再分布与阻变的关系规律，阐明了缺陷类型对阻变的影响；提出了功能...
关键词：
关键词：半导体存储技术
阻变式存储器存储机理被引量：13
2008年
阻变式存储器(resistive random access memory,RRAM)是以材料的电阻在外加电场作用下可在高阻态和低阻态之间实现可逆转换为基础的一类前瞻性下一代非挥发存储器.它具有在32nm节点及以下取代现有主流Flash存储器的潜力,成为目前新型存储器的一个重要研究方向.但阻变式存储器的电阴转变机理不明确,制约它的进一步研发与应用.文章对阻变式存储器的体材料中几种基本电荷输运机制进行了归纳,总结了目前对阻变式存储器存储机理的理论模型.
王永管伟华龙世兵刘明谢常青
关键词：非挥发性细丝
多层纳米晶浮栅结构的非挥发性存储器及其制备方法
本发明涉及非挥发性存储器技术领域，公开了一种多层纳米晶浮栅结构的非挥发性存储器，包括：用于支撑整个非挥发性存储器的半导体衬底11；在半导体衬底11中掺杂形成源极9和漏极10；在源极9和漏极10之间的沟道12；位于沟道12...
王琴管伟华刘琦胡媛李维龙龙世兵贾锐陈宝钦刘明
文献传递
双层隧穿介质结构的纳米晶浮栅非易失存储器及制作方法
本发明涉及微电子技术领域，公开了一种双层隧穿介质结构的纳米晶浮栅非易失存储器，包括：硅衬底1、硅衬底1上重掺杂的源导电区7和漏导电区8、源漏导电区之间载流子沟道上覆盖的SiO<Sub>2</Sub>材料隧穿介质层2，Si...
胡媛刘明龙世兵杨清华管伟华李志刚
文献传递
前瞻非挥发性半导体存储器研究
FLASH存储器是目前非挥发性半导体存储器市场上的主流器件。但是随着微电子技术节点不断向前推进，基于传统浮栅结构的FLASH技术正在遭遇严重的技术难点，其中最主要的问题是其随技术代发展的可缩小性受阻。在这种局面下，工业界...
管伟华
关键词：半导体存储器非挥发性纳米晶
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