冯春
- 作品数：63 被引量：11H指数：2
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学院知识创新工程国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术文化科学金属学及工艺更多>>
- 具有复合空间层的氮化镓场效应晶体管结构及制作方法
- 本发明提供一种具有复合空间层的氮化镓场效应晶体管结构及制作方法，该结构，包括：一衬底；一成核层，该成核层制作在衬底的上面；一非有意掺杂高阻层，该非有意掺杂氮化镓制作在成核层的上面；一非有意掺杂高迁移率沟道层，该非有意掺杂...
- 王翠梅王晓亮彭恩超肖红领冯春姜丽娟陈竑
- 文献传递
- 密封传动装置
- 本发明提供了一种密封传动装置。该密封传动装置具有传动轴高度可调节功能，可以更好的控制薄膜沉积腔室内托盘与加热电阻丝的距离，从而选取最适合晶体外延生长的温区。
- 王晓亮崔磊肖红领殷海波冯春姜丽娟陈竑
- 文献传递
- 双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法
- 一种双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构，包括：一衬底；一成核层，该成核层制作在衬底上面；一非有意掺杂高阻层，该非有意掺杂高阻层制作在成核层上面；一非有意掺杂插入层，该非有意掺杂插入层制作在非有意掺杂高阻层上面；一非...
- 王晓亮王翠梅肖红领彭恩超冯春姜丽娟陈竑
- 文献传递
- AlGaN/GaN异质结气体传感器对低体积分数CO的响应研究被引量：1
- 2008年
- 研究了基于AlGaN/GaN异质结材料的肖特基二极管气体传感器对于体积分数为2×10-4～10-3的CO气体的响应状况。在2V正向偏压下,器件对于低至体积分数2×10-4的CO仍表现出了明显的响应(电流增大0.7mA),随着CO体积分数的升高,器件的电流变化愈加明显,但在反向偏压下,通入CO气体对器件的电流大小无明显影响。对器件在不同体积分数CO下的灵敏度与外加偏压的关系也进行了研究,在正向偏压下,器件的灵敏度随着CO体积分数的升高而增大。当CO气体撤消时,器件表现出了迅速的恢复性能,2V的恒定电压下,器件的恢复速度约为3mA/min。
- 冯春王晓亮杨翠柏肖红领王翠梅侯奇峰马泽宇王军喜李晋闽王占国侯洵
- 关键词：ALGAN-GAN肖特基气体传感器氧化碳
- 一种超宽带功率放大器
- 本公开提供一种超宽带功率放大器，包括：晶体管M1，源极接地，栅极作为输入端，漏极作为输出端；输入匹配电路，接收射频输入信号，用于将功率放大器的输入阻抗与射频源的输出阻抗匹配；栅极偏置电路，用于对晶体管M1的栅极进行直流供...
- 李巍王晓亮王茜冯春贺腾肖红领姜丽娟
- 制备增强型铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的方法
- 本发明公开了一种制备增强型铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的方法，包括以下步骤：在衬底上生长氮化镓成核层；在氮化镓成核层上生长氮化镓缓冲层；在氮化镓缓冲层上生长高迁移率氮化镓层；在高迁移率氮化镓层上生长氮化铝插入层；在氮...
- 王晓亮张明兰肖红领王翠梅唐健冯春姜丽娟
- 晶圆的室温等静压金属键合方法
- 本公开提供一种晶圆的室温等静压金属键合方法，包括：步骤S1：清洗待键合晶圆，去除晶圆表面杂质；步骤S2：在清洗干净的晶圆表面沉积金属中间层；步骤S3：将分别完成金属中间层沉积的两晶圆正面对准贴合，固定后装入模具内，采用真...
- 王晓亮郭芬肖红领王权姜丽娟冯春王茜李巍刘宏新
- 可调节的感应线圈装置
- 本发明公开了一种可调节的感应线圈装置，包括：N匝感应线圈，N为正整数；陶瓷盘，与感应线圈所在平面平行设置；螺栓和螺母，用于连接并固定N匝感应线圈和陶瓷盘，通过螺栓和螺母的配合使得各匝感应线圈沿着垂直于线圈平面方向上的高度...
- 王晓亮冯春王权姜丽娟肖红领李巍
- 文献传递
- 用于金属有机化合物化学气相沉积设备反应室的进气顶盘
- 本发明提供了一种用于金属有机化合物化学气相沉积设备反应室的进气顶盘。该进气顶盘包括：上层进气盘和下层匀气盘，下层匀气盘为三层台阶盘体，在上层进气盘和下层匀气盘之间形成三个独立的进气腔-第一进气腔、第二进气腔和第三进气腔，...
- 王晓亮殷海波肖红领姜丽娟冯春
- 氮化镓基光电导开关及其制备方法
- 本发明提供一种氮化镓基光电导开关及其制备方法，氮化镓基光电导开关包括衬底，高阻层位于衬底上，低阻层位于高阻层上，低阻层包括间隔设置的两个低阻单元；欧姆接触层位于低阻层上，欧姆接触层包括间隔设置的两个欧姆电极，两个欧姆电极...
- 姜丽娟蔡平肖红领冯春徐健凯周淼王茜
