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胡少坚

作品数：148 被引量：29H指数：3
供职机构：上海集成电路研发中心更多>>
发文基金：国家自然科学基金上海市青年科技启明星计划上海汽车工业科技发展基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术一般工业技术理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 127篇专利
  • 19篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 29篇电子电信
  • 7篇自动化与计算...
  • 3篇一般工业技术
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电气工程
  • 1篇理学

主题

  • 37篇电路
  • 34篇晶体管
  • 21篇感器
  • 21篇传感
  • 21篇传感器
  • 15篇载流子
  • 15篇纳米
  • 15篇场效应
  • 14篇图像
  • 13篇量子
  • 13篇半导体
  • 12篇刻蚀
  • 11篇碳纳米管
  • 11篇量子点
  • 11篇漏极
  • 11篇纳米管
  • 10篇刻蚀工艺
  • 10篇光电
  • 8篇接触电极
  • 7篇图像传感器

机构

  • 141篇上海集成电路...
  • 9篇华东师范大学
  • 6篇中国科学院
  • 1篇南京电子器件...
  • 1篇中国科学院上...
  • 1篇成都微光集电...

作者

  • 148篇胡少坚
  • 58篇任铮
  • 53篇陈寿面
  • 46篇周伟
  • 18篇唐逸
  • 18篇郭奥
  • 15篇曹永峰
  • 14篇朱建军
  • 14篇王勇
  • 14篇耿阳
  • 11篇赵宇航
  • 9篇石艳玲
  • 8篇彭娟
  • 8篇叶红波
  • 6篇夏冠群
  • 6篇彭兴伟
  • 5篇王全
  • 4篇李曦
  • 3篇冯明
  • 3篇李小进

传媒

  • 4篇Journa...
  • 4篇电子器件
  • 3篇集成电路应用
  • 2篇功能材料与器...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇机械工程学报
  • 1篇仪器仪表学报
  • 1篇仪表技术与传...
  • 1篇微电子学
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇中国仪器仪表...

年份

  • 1篇2022
  • 3篇2021
  • 7篇2020
  • 15篇2019
  • 20篇2018
  • 10篇2017
  • 16篇2016
  • 11篇2015
  • 13篇2014
  • 4篇2013
  • 6篇2012
  • 13篇2011
  • 10篇2010
  • 4篇2009
  • 7篇2008
  • 1篇2006
  • 2篇2004
  • 1篇2003
  • 4篇2002
共 148 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种工艺波动自适应锁相环频率综合器
本实用新型公开了一种工艺波动自适应锁相环频率综合器，包括：鉴频鉴相器；电荷泵，和所述鉴频鉴相器相连；环路滤波器，和所述电荷泵相连；压控振荡器，和所述环路滤波器相连；MOSFET工艺波动反馈电路，和所述压控振荡器相连；分频...
任铮胡少坚周伟曹永峰顾学强唐逸
文献传递
图像传感器及图像传感器的像素信号采集方法
本发明提供一种图像传感器及图像传感器的像素信号采集方法，所述图像传感器包括衬底、接触电极和量子点层，所述衬底中设置有读出电路单元，所述读出电路单元包含传输管和溢出电容，所述溢出电容通过一溢出电容选择管连接所述传输管，所述...
耿阳胡少坚陈寿面
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高介电常数薄膜-氧化铝叠层结构绝缘薄膜及其制备方法
本发明提供了一种高介电常数薄膜‑氧化铝叠层结构绝缘薄膜及其制备方法，分别采用溶胶凝胶法来制备高介电常数材料凝胶和氧化铝凝胶，经旋涂工艺，在基底上先后形成高介电常数薄膜和氧化铝薄膜，并且重复上述旋涂过程，制备出多层高介电常...
彭娟胡少坚
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片上中心抽头差分电感
本实用新型公开一种片上中心抽头差分电感，所述差分电感由绕线线圈、绕线线圈交叠区以及由绕线线圈末端引出的中心抽头组成，所述绕线线圈交叠区和中心抽头制作在同一金属层中，所述绕线线圈制作在另一金属层中，所述中心抽头呈“M”型或...
王勇叶红波任铮胡少坚朱建军周伟曹永峰周炜捷陈寿面赵宇航
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MOSFET器件电学特性变化测量方法
本发明提供一种MOSFET器件电学特性变化测量结构，包括：有源区，位于有源区之上的栅极，所述栅极为开尔文结构的电阻，所述栅极的两端各具有两个多晶硅电阻端点。本发明的优点在于区别和确定栅长变化、栅氧厚度变化和掺杂变化对MO...
彭兴伟胡少坚任铮
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LED芯片的模组化封装方法
本发明提供了一种LED芯片的模组化封装方法，包括：提供封装基板，并且对封装基板的表面进行绝缘处理；在封装基板中形成用于放置芯片的孔槽；在孔槽底部和侧壁电镀反射层；在孔槽底部涂覆固晶胶；将芯片安装于所述孔槽底部的固晶胶上；...
彭娟胡少坚陈寿面
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电压电流转换器
本发明公开一种电压-电流转换器，包含：一超级源跟随器及一电流镜像电路，其利用超级源跟随器结合电流镜像电路降低输出电阻，并通过电流镜像电路将电流反馈至超级源跟随器以稳定超级源跟随器，实现电压-电流转换器输出端的低阻抗，从而...
任铮周伟胡少坚唐逸
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一种堆叠式围栅纳米线CMOS场效应管结构及制作方法
本发明公开了一种堆叠式围栅纳米线CMOS场效应管结构，包括：半导体衬底，上下堆叠设于所述半导体衬底上的围栅纳米线N型场效应管和围栅纳米线P型场效应管，所述围栅纳米线N型场效应管和围栅纳米线P型场效应管之间以介质层相隔离。...
尚恩明胡少坚陈寿面
文献传递
一种MOSFET频率特性偏差检测器及检测方法
本发明提出了一种MOSFET频率特性偏差检测器及其检测方法。所提供的MOSFET频率特性偏差检测器用以探测集成电路制造过程中由于半导体工艺引起的MOSFET频率特性的波动，其包括参考电荷电路、计数器电路和电压控制振荡器，...
任铮胡少坚周伟曹永峰叶红波李琛
文献传递
以碳纳米管为掩膜制备鳍形结构的方法
本发明提供一种以碳纳米管为掩膜制备鳍形结构的方法，包括：提供一个半导体衬底；在半导体衬底上形成介质层，在介质层上平行排列一维碳纳米管阵列结构；利用碳纳米管平行阵列结构做掩膜层，在介质层中形成沟槽阵列结构；在沟槽阵列结构中...
郭奥任铮胡少坚周伟
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