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胡维央

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇探测器
  • 2篇光电
  • 2篇光电探测
  • 2篇光电探测器
  • 1篇性能比较
  • 1篇性能分析
  • 1篇雪崩
  • 1篇雪崩光电探测...
  • 1篇势垒
  • 1篇肖特基
  • 1篇肖特基势垒
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体器件
  • 1篇PIN光电探...
  • 1篇AAS
  • 1篇INGAAS
  • 1篇T-G
  • 1篇GAAS

机构

  • 2篇中国科学院上...

作者

  • 2篇胡维央
  • 1篇郭康瑾
  • 1篇程宗权
  • 1篇王惠民
  • 1篇姚文兰

传媒

  • 1篇电子科学学刊
  • 1篇全国第三次光...

年份

  • 1篇1992
  • 1篇1986
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
InGaAs PIN光电探测器的结构设计和性能比较
胡维央程宗权王惠民
关键词：光电探测器性能分析半导体器件
Pt-GaAs肖特基势垒雪崩光电探测器的研究
1992年
Pt-GaAs肖特基势垒雪崩光电探测器已研制成功。器件制作在施主浓度为0.5～3×10^(15)cm^(-3)、厚度约为20μm的GaAs外延层上。为防止边缘击穿,用能量为500keV、剂量为1×10^(15)cm^(-2)的质子轰击,在直径为150μm的光敏区外形成高阻保护区。半透明的Pt肖特基势垒膜用特殊的蒸发法形成。器件的峰值响应波长随偏压的改变可以从8600(?)移动到8835(?),截止波长可延伸到9700(?),观察到明显的Franz-Keldysh效应。器件倍增可达100以上;暗电流仅几纳安;过剩噪声系数为7;上升、下降时间短于1ns。这种器件可与FET实现平面集成。
郭康瑾胡维央姚文兰陈莲勇
关键词：雪崩光电探测器GAAS肖特基势垒
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