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郑冬梅

作品数：36 被引量：61H指数：5
供职机构：三明学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金福建省教育厅科技项目福建省自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信机械工程文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 33篇期刊文章
  • 2篇专利

领域

  • 29篇理学
  • 3篇电子电信
  • 2篇机械工程
  • 2篇文化科学

主题

  • 17篇量子
  • 17篇量子点
  • 12篇柱形量子点
  • 9篇激子
  • 7篇结合能
  • 7篇XGA
  • 6篇类氢杂质
  • 6篇激子结合能
  • 6篇光学
  • 6篇GAN
  • 5篇电场
  • 5篇内建电场
  • 5篇X
  • 4篇束缚能
  • 4篇激子态
  • 4篇发光
  • 4篇氢
  • 4篇O
  • 3篇施主
  • 3篇施主杂质

机构

  • 31篇三明学院
  • 8篇河南师范大学
  • 2篇福建师范大学
  • 2篇安阳师范学院
  • 2篇三明高等专科...
  • 1篇清华大学

作者

  • 35篇郑冬梅
  • 16篇王宗篪
  • 9篇黄思俞
  • 7篇戴宪起
  • 4篇魏茂金
  • 4篇黄凤珍
  • 4篇肖波齐
  • 3篇肖荣辉
  • 3篇杨秀珍
  • 2篇闫迎利
  • 2篇许晓赋
  • 1篇郑明志
  • 1篇林丽梅
  • 1篇郑彦敏
  • 1篇彭福川
  • 1篇魏炽旭
  • 1篇王宇航
  • 1篇张晓玉
  • 1篇苏春燕

传媒

  • 9篇三明学院学报
  • 3篇量子电子学报
  • 3篇淮北煤炭师范...
  • 2篇光子学报
  • 2篇原子与分子物...
  • 2篇贵州师范大学...
  • 1篇物理实验
  • 1篇河北师范大学...
  • 1篇Journa...
  • 1篇光学技术
  • 1篇厦门大学学报...
  • 1篇河南师范大学...
  • 1篇发光学报
  • 1篇量子光学学报
  • 1篇闽江学院学报
  • 1篇福建教育学院...
  • 1篇三明高等专科...
  • 1篇淮北师范大学...

年份

  • 2篇2021
  • 2篇2019
  • 3篇2018
  • 2篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 3篇2012
  • 3篇2011
  • 4篇2010
  • 1篇2009
  • 2篇2008
  • 1篇2007
  • 2篇2006
  • 5篇2005
  • 1篇2004
  • 1篇2003
共 36 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
反应磁控溅射Cu_2O薄膜的结构和电学性质
2010年
用X射线衍射仪检测薄膜的结构;用分光光度计测量薄膜的透射率和反射率,采用拟合正入射透射谱数据的方法计算薄膜的厚度;用Van der Pauw方法测量薄膜表面电阻和霍尔迁移率,并计算出电阻率和载流子浓度.结果表明,生成单相Cu2O薄膜的氧气流量范围很小,在氧气流量为5-7sccm范围,薄膜主要成分为Cu2O,其中氧氩流量比为6∶25时,生成单相多晶结构的Cu2O薄膜,其表面电阻0.68MΩ/□,电阻率58.29Ω.cm,霍尔迁移率4.73cm2·V-1·s-1,载流子浓度3×1016cm-3.
肖荣辉林丽梅郑明志彭福川郑冬梅
关键词：CU2O反应磁控溅射电学性质
类氢杂质对In_xGa_(1-x)N/GaN量子点中激子的基态能和结合能的影响被引量：1
2005年
在效质量近似下,运用变分方法,考虑内建电场效应和量子点的三维约束效应,研究了类氢杂质对InxGa1-xN/GaN量子点中激子的基态能和结合能的影响。结果表明:量子点中心引入类氢杂质,量子点的结构参数(半径、高度)和In含量存在临界值,当参数大于临界值时,约束在QD中激子的基态能减小,结合能增大,激子态的稳定性增强。杂质位于量子点上界面时,激子的基态能最小,结合能最大,系统最稳定。随着杂质从量子点的上界面沿着Z轴移至下界面,激子基态能增大,结合能减小。
郑冬梅戴宪起黄凤珍
关键词：类氢杂质激子结合能
In_xGa_(1-x)N/GaN应变量子点中激子的结合能被引量：1
2005年
利用有效质量方法和变分原理,考虑内建电场效应和量子点的三维约束效应,研究了In xGa1-xN/GaN应变量子点中的激子结合能随量子点结构参数和量子点中In含量x的变化规律.结果表明,随着量子点高度L和半径R的增加,结合能降低,随着量子点中In含量的增加,激子的结合能增大.对给定体积的量子点,激子结合能存在一最大值,此时电子、空穴被最有效的约束在量子点内.对不同体积的量子点,最大值的位置在量子点高度L=1.7nm附近取得.
郑冬梅黄凤珍
关键词：量子点激子结合能
太阳光栅光谱仪光学系统优化方法、装置、设备和存储介质
本发明公开了一种太阳光栅光谱仪光学系统优化方法、装置、设备和存储介质，包括：获取用户选取的太阳物理科学目标；根据太阳物理科学目标，选取对应的光栅类型和多个特征谱线；其中，光栅类型参数包括光栅常数、光栅闪耀角；当光栅入射角...
郑联慧杨秀珍郑冬梅魏茂金纪峰辉陈江祥赖艺彬郭守章
文献传递
双电子柱形量子点基态能的杂质效应
2011年
在有效质量和有限高势垒近似下,变分研究了在双电子柱形GaN/Al0.2Ga0.8N量子点中掺入不同类型杂质时,杂质电子体系的基态能随杂质电荷、量子点的高度及杂质位置的变化规律。结果表明,随量子点高度增加,杂质电子体系的基态能单调递减;杂质带负电时,体系的基态能量都比较大,不易形成稳定的束缚态。随着杂质由量子点下界面沿z轴上移至上界面,对于类氢施主杂质,体系的基态能先减小后增大,在z0=1.0 nm处取得极小值;而受主杂质,变化趋势相反:体系的基态能先增大后减小,在z0=1.0 nm处取得极大值;若掺入中性杂质,杂质电子体系的基态能不变。
郑冬梅王宗篪
关键词：双电子柱形量子点GAN束缚能
大学物理实验教学体系改革探索与实践被引量：4
2010年
大学物理实验是高等院校理工科学生必修的一门重要基础课,在提高学生的科学素质、培养学生的创新精神和实践能力中具有特殊的作用。文中从实验教学体系、实验教材、实验教学手段、实验教学方法及实验考核等五个方面阐述了三明学院大学物理实验教学体系改革与建设。
郑冬梅黄思俞魏炽旭杨秀珍
关键词：大学物理实验教学改革教学体系
杂质对柱形量子点系统束缚能的影响被引量：4
2009年
在有效质量近似和变分原理的基础上,考虑内建电场(BEF)效应和量子点的三维约束效应,研究了纤锌矿结构的GaN/AlxGa1-xN单量子点中杂质体系的基态能量与杂质电荷的关系,讨论了杂质电子的束缚能随量子点的主要结构参数(量子点高度L和量子点半径R)以及杂质在量子点中不同位置的变化规律,并研究了考虑量子点内外电子有效质量失配对杂质电子束缚能的影响.
郑冬梅王宗篪
关键词：GAN/ALXGA1-XN柱形量子点束缚能
普通物理实验教材的新体系构想被引量：1
2003年
提出大学普通物理实验教材按实验课题进行编排实验内容 ,建立新的实验教材体系。
郑冬梅闫迎利
纤锌矿GaN柱形量子点中类氢施主杂质态被引量：5
2010年
在有效质量近似和变分原理的基础上,选取含两个变分参数的波函数,研究了纤锌矿结构的GaN/AlxGa1-xN单量子点中类氢施主杂质体系的结合能随量子点(QD)尺寸以及杂质在量子点中位置的变化,并与以前使用不同尝试波函数的计算结果进行了比较。结果表明:由我们选取的两变分参数波函数得到的结果与前人选取的两变分参数波函数得到的结果相比有所改进,而与选取一个变分参数波函数得到的结果一致。同时我们还计算了体系的维里定理值随量子点半径的变化情况,所得结果与前人工作结果一致,说明本文选取的两变分参数波函数能很好地描述柱形量子点中施主杂质态的运动。
郑冬梅王宗篪肖荣辉
关键词：柱形量子点内建电场
GaN/Al_xGa_(1-x)N量子点中的激子态被引量：1
2006年
在有效质量近似框架内,运用变分方法,考虑内建电场效应和量子点的三维约束效应,研究了含类氢杂质的G aN/A lxG a1-xN量子点中的激子态.结果表明:量子点中心的类氢杂质使激子的基态能降低,结合能升高,Q D系统的稳定性增强,光跃迁能减小;杂质位于量子点上界面时,激子的基态能最小,结合能最大,系统最稳定;随着杂质从量子点的上界面沿着z轴移至下界面,激子基态能和光跃迁能增大,结合能减小.
郑冬梅戴宪起
关键词：类氢杂质激子结合能
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