黄凤珍
- 作品数：5 被引量：20H指数：2
- 供职机构：河南师范大学物理与信息工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金河南省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 应变GaN量子点中激子态的研究(英文)被引量：2
- 2006年
- 利用有效质量方法和变分原理,考虑内建电场效应和量子点的三维约束效应,研究了约束在GaN/AlxGa1-xN圆柱形量子点中的激子特性与量子点的结构参数以及势垒层中Al含量之间的关系。结果表明:对给定大小的量子点,随其高度的增加激子结合能出现一最大值,此时载流子被最有效的约束在量子点内;内建电场使量子点的有效带隙减小,电子、空穴产生明显分离,从而影响量子点的光学性质。理论计算的光跃迁能和实验结果一致。
- 戴宪起黄凤珍史俊杰
- 关键词：激子结合能
- 类氢杂质对In_xGa_(1-x)N/GaN量子点中激子的基态能和结合能的影响被引量：1
- 2005年
- 在效质量近似下,运用变分方法,考虑内建电场效应和量子点的三维约束效应,研究了类氢杂质对InxGa1-xN/GaN量子点中激子的基态能和结合能的影响。结果表明:量子点中心引入类氢杂质,量子点的结构参数(半径、高度)和In含量存在临界值,当参数大于临界值时,约束在QD中激子的基态能减小,结合能增大,激子态的稳定性增强。杂质位于量子点上界面时,激子的基态能最小,结合能最大,系统最稳定。随着杂质从量子点的上界面沿着Z轴移至下界面,激子基态能增大,结合能减小。
- 郑冬梅戴宪起黄凤珍
- 关键词：类氢杂质激子结合能
- In_xGa_(1-x)N/GaN应变量子点中激子的结合能被引量：1
- 2005年
- 利用有效质量方法和变分原理,考虑内建电场效应和量子点的三维约束效应,研究了In xGa1-xN/GaN应变量子点中的激子结合能随量子点结构参数和量子点中In含量x的变化规律.结果表明,随着量子点高度L和半径R的增加,结合能降低,随着量子点中In含量的增加,激子的结合能增大.对给定体积的量子点,激子结合能存在一最大值,此时电子、空穴被最有效的约束在量子点内.对不同体积的量子点,最大值的位置在量子点高度L=1.7nm附近取得.
- 郑冬梅黄凤珍
- 关键词：量子点激子结合能
- Al含量对GaN/Al_xGa_(1-x)N量子点中激子态的影响被引量：17
- 2005年
- 利用有效质量方法和变分原理,考虑内建电场和量子点的三维约束效应,研究了Al含量对局域在GaN/AlxGa1-xN量子点中激子性质的影响.结果表明,随着Al含量的增加,GaN/AlxGa1-xN异质界面处的导带不连续性增强,势垒变高,载流子受到的约束增强,激子结合能增加,电子空穴的复合率先增大后减小,且存在最大值.对给定体积的量子点,随其高度的变化激子结合能存在最大值,相应的电子空穴被最有效约束,激子态最稳定.
- 戴宪起黄凤珍郑冬梅
- 关键词：量子点激子结合能
- GaN/Al_xGa_(1-x)N量子点中类氢杂质位置对激子态的影响被引量：2
- 2005年
- 利用有效质量方法和变分原理,考虑内建电场效应和量子点(QD)的三维约束效应,研究类氢杂质对GaN/AlxGa1-xN量子点中激子态的影响.结果表明:量子点中心的类氢杂质使激子的结合能升高,基态能降低,QD系统的稳定性增强,发光波长红移.杂质位于量子点上界面时,激子的基态能最小,结合能最大,系统最稳定.随着杂质从量子点的上界面沿着Z轴移至下界面,激子基态能增大,结合能减小,带间发光蓝移.
- 戴宪起郑冬梅黄凤珍
- 关键词：类氢杂质量子点激子结合能发光波长
