任敏
- 作品数：52 被引量：58H指数：5
- 供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学航空宇航科学技术一般工业技术更多>>
- 一种具有辅助埋层的恒流JFET
- 本文提出一种具有辅助埋层的恒流JFET,借助Medici仿真软件,通过对传统恒流JFET和本文所提具有辅助埋层的恒流JFET的恒流特性进行比较可得,本文所提的恒流JFET能有效的提高器件的恒流特性,在同等参数条件下,恒流...
- 刘建李泽宏张金平任敏张波
- 关键词：发光二极管电流变化率
- 文献传递
- 双极型晶体管电流增益的温度特性研究
- 本文分析了影响双极型晶体管电流增益温度特性的各种因素，讨论了大注入效应对温度特性的影响，建立了双极型晶体管电流增益温度解析模型。选取3DD167进行不同温度不同工作条件的测试分析，实验结果表明，在特定的工作条件下，该器件...
- 李婷李吉李泽宏张金平任敏
- 关键词：双极型晶体管电流增益温度特性
- 文献传递
- 绝缘栅双极型晶体管的研究进展
- 本文主要概述了绝缘栅双极型晶体管的演变历程以及主要技术发展，同时对我国绝缘栅双极型晶体管的发展现状进行了分析。
- 张金平张波徐中川常捷戴黎徐晓然杨文韬李泽宏任敏陈万军
- 关键词：功率半导体器件绝缘栅双极型晶体管
- 文献传递
- 双极型晶体管电流增益的温度特性研究被引量：5
- 2012年
- 分析了大注入效应对双极型晶体管电流增益温度特性的影响,建立了双极型晶体管电流增益温度解析模型。选取产品3DD167来进行不同温度不同工作条件下的测试分析。实验结果表明,在特定工作条件下,该器件在不同温度时其电流增益都有一个零温度点。实验结果和模型吻合较好。
- 何建徐学良王健安李吉李泽宏张金平任敏
- 关键词：双极晶体管正温度系数电流增益
- 电流驱动对称磁多层结构微波振荡器
- 电流驱动对称磁多层结构微波振荡器，属于微波技术领域，其特征在于：由两个铁磁膜组成，具有相同厚度，在2－6纳米间，中间被一薄的非磁层隔开，厚度1－3纳米(对非磁金属层)或0.5－1.5纳米(对绝缘层)。纳米磁多层柱的上、下...
- 陈培毅董浩邓宁任敏
- 文献传递
- 高压C-SenseFET器件温度特性研究
- C-SenseFET是一种可用于功率转换电路中的具有电流探测和自供电功能的高压集成器件.C-SenseFET有两种工作模式:在电流采样模式下,器件工作在线性区,通过改变第二栅极电压可以调整从LDMOS采样的电流值;在自充...
- 赖亚明李泽宏张金平任敏高巍
- 关键词：温度特性
- 文献传递
- 热效应对电流驱动磁开关的影响
- 2009年
- 回顾了热助磁开关理论的发展,包括了Neel-Brown弛豫时间理论和Z.Li小组的有效温度或势垒降低模型,前者很好地解释了磁场驱动磁化矢量翻转的热开关过程,但是不能解释电流驱动磁开关工作机理;后者弥补了Neel-Brown理论的不足,较好地说明了电流驱动的磁开关机制,与实验基本符合。有效温度模型解释了开关电流随温度和测量脉冲宽度的下降;按照不同的脉冲宽度划分了开关的热开关和磁动力学开关工作区。在热开关区,临界电流较小,具有低的功耗,但是器件临界电流随温度而变,工作不够稳定且开关速度较慢;在磁动力学开关区,开关速度高,临界电流不随温度变化,工作稳定,但是功耗较大。实际应用中,应考虑适当的折衷。
- 董浩陈培毅张磊任敏邓宁
- 关键词：热效应FOKKER-PLANCK方程
- 具有ESD防护及过流保护功能的VDMOS设计
- 2012年
- 提出了一种芯片集成实现ESD防护及过流保护功能的VDMOS器件设计。在对电流采样原理分析的基础上,提出了一种适用于功率器件的局域电流采样方法及对应的过流保护电路结构,该方案具有结构简单、低功耗的特点。利用反向串联多晶硅二极管实现对VDMOS器件栅氧化层的ESD保护。完成了VDMOS的工艺流程设计,实现了保护电路中各子元件与主功率器件的工艺兼容。二维数值模拟表明:所设计的过流保护电路在室温下能实现38.4 A的限流能力,ESD保护能够达到2 000 V(HBM),能有效提高VDMOS在系统中的稳定性和可靠性。
- 何建谭开洲陈光炳徐学良王建安谢家雄任敏李泽宏张金平
- 关键词：过流保护功率器件
- 电流驱动对称磁多层结构微波振荡器
- 电流驱动对称磁多层结构微波振荡器，属于微波技术领域，其特征在于：由两个铁磁膜组成，具有相同厚度，在2-6纳米间，中间被一薄的非磁层隔开，厚度1-3纳米(对非磁金属层)或0.5-1.5纳米(对绝缘层)。纳米磁多层柱的上、下...
- 陈培毅董浩邓宁任敏
- 文献传递
- IGBT过渡区可靠性的分析
- 近年来,随着IGBT等栅控器件向更大功率和更高频率的方向发展,新的失效模式在应用中凸显出来,其中最为显著的是IGBT等器件的过渡区失效.本文借助仿真软件MEDICI采用热-电耦合方式对所设计的一款600V FS-TIGB...
- 韩天宇李泽宏张金平任敏高巍张波
- 关键词：绝缘栅双极晶体管过渡区关断特性可靠性分析
- 文献传递
