高丽华
- 作品数：6 被引量：6H指数：1
- 供职机构：昆明物理研究所更多>>
- 发文基金：国家科技重大专项中国人民解放军总装备部预研基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信化学工程更多>>
- RHEED优化MBE生长中波MCT薄膜工艺被引量：1
- 2008年
- 在分子束外延(MBE)中波HgCdTe薄膜过程中,利用反射式高能电子衍射(RHEED)对衬底表面脱氧和生长过程中生长参数对材料特性的影响进行研究。通过观察RHEED图样的变化,确定了衬底的脱氧状况,获得了生长中衬底温度等生长参数变化引起材料结晶的变化规律,为MBE生长HgCdTe薄膜实验的可控生长提供有效帮助;生长结束后,通过SEM、Hall等手段对HgCdTe的表面缺陷、电学参数等性能进行了初步研究,证明实验说成长的材料基本满足器件制备的要求。
- 曲海成李艳辉苏栓杨春章谭英高丽华王善力
- 关键词：分子束外延HGCDTE
- Ge(211)衬底上分子束外延CdTe薄膜被引量：1
- 2011年
- 采用分子束外延在3英寸Ge(211)衬底上生长了10μm厚的CdTe(211)B薄膜。CdTe表面镜面光亮,3英寸范围厚度平均值9.72μm,偏差0.3μm;薄膜晶体质量通过X射线双晶迴摆曲线进行评价,FWHM平均值80.23 arcsec,偏差3.03 arcsec;EPD平均值为4.5×106 cm-2。通过研究CdTe薄膜厚度与FWHM和EPD的关系,得到CdTe的理想厚度为8～9μm。
- 李艳辉杨春章苏栓谭英高丽华赵俊
- 关键词：CDTE薄膜
- 量子阱红外探测器材料技术研究
- 周旭昌谭英杨春章李艳辉苏栓齐航高丽华李东升
- 关键词：量子阱红外探测器分子束外延
- 分子束外延(MBE)生长用Ge(211)衬底生长前腐蚀
- 本文介绍了通过使用碱性腐蚀液NH4OH:H2O2:H2O多次次循环腐蚀处理,以及酸性腐蚀液H3PO4:H2O2:H2O快速腐蚀的组合腐蚀方法,对Ge (211)衬底进行生长前处理,能够有效去除GeO2氧化层,人工制备了G...
- 杨春章李艳辉谭英齐航高丽华赵俊李东升
- 关键词：MBE化学腐蚀RHEEDEPDXRD
- 长波量子阱红外探测器材料技术研究被引量：4
- 2013年
- 针对红外探测应用开展了长波GaAs/AlGaAs量子阱材料技术研究。系统地介绍了量子阱红外探测器材料的材料设计、生长和表征。基于一维薛定谔方程的求解获得量子阱材料的能带结构,进行量子阱材料的设计。采用分子束外延技术进行量子阱材料的生长研究。对量子阱材料的室温光荧光谱和高分辨率X射线衍射测试结果表现出材料高度晶格完整性以及平整界面。基于布鲁斯特角配置的傅立叶红外光谱测试获得了量子阱材料子带间跃迁吸收产生的红外吸收谱。采用该材料制备出高性能的量子阱红外焦平面探测器。
- 周旭昌谭英杨春章李艳辉苏栓齐航高丽华李东升
- 关键词：分子束外延
- 分子束外延生长Hg1-_xCd_xTe材料原位退火研究
- 2009年
- 对分子束外延(MBE)生长了Hg1-xCdxTe薄膜材料进行原位退火研究。显微镜观察可知,原位退火可以得到光滑的材料表面,并可以降低材料的腐蚀坑密度(EPD)。霍尔测试结果表明,通过调整退火温度和汞束流可以明显地改善Hg1-xCdxTe材料的电学性能。研究表明Hg1-xCdxTe材料的原位退火技术在改善材料的微观结构和电学性能方面有着重要的意义。
- 苏栓李艳辉周旭昌杨春章谭英高丽华李全保
- 关键词：HG1-XCDXTE
