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黄念宁

作品数：9 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
相关领域：医药卫生电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇医药卫生

主题

  • 3篇半导体
  • 2篇电性能
  • 2篇电性能测试
  • 2篇电子迁移率
  • 2篇增强型
  • 2篇势垒
  • 2篇迁移率
  • 2篇挖槽
  • 2篇肖特基
  • 2篇肖特基势垒
  • 2篇金属化
  • 2篇晶体管
  • 2篇开启电压
  • 2篇技术成熟度
  • 2篇键合剂
  • 2篇耗尽型
  • 2篇高电子迁移率
  • 2篇高电子迁移率...
  • 2篇背面金属化
  • 2篇ALGAN/...

机构

  • 9篇中国电子科技...

作者

  • 9篇黄念宁
  • 5篇王彦硕
  • 3篇高建峰
  • 3篇邹鹏辉
  • 3篇吴少兵
  • 2篇章军云
  • 2篇张斌
  • 2篇陈元坤
  • 2篇李信
  • 2篇赵玲
  • 1篇王维波
  • 1篇任春江
  • 1篇陈堂胜
  • 1篇余旭明
  • 1篇陈金远
  • 1篇王溯源
  • 1篇曹敏华

年份

  • 1篇2021
  • 1篇2019
  • 3篇2018
  • 2篇2017
  • 2篇2012
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
一种在片测试直流探针卡
本发明公开了一种在片测试直流探针卡，能够克服传统直流探针卡存在寄生电感效应的缺陷，能够适用于各种微波单片集成电路的在片测试需要。包括环型介质基板，基板的上表面焊接有直流馈电探针与接地探针，探针上接有电容，直流馈电探针与电...
洪希依陈金远章军云黄念宁
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一种提升衬底有效芯片数目的曝光方法
本发明涉及一种提升衬底有效芯片数目的曝光方法，包含如下步骤：1）制作掩模版：所述掩模版的每层光刻图形包含纯芯片层和PCM层两种版图，两种版图尺寸相同；2）设定曝光位置：按照PCM测试位置的要求，在需进行PCM测试的位置设...
王溯源俞勇章军云黄念宁
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一种增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制备方法
本发明涉及的是一种增强型AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管，其外延结构包括SiC衬底、GaN沟道层、GaN高阻缓冲层和Al含量渐变的AlGaN势垒层。其制备方法，包括如下工艺步骤：（1）源漏金属体系的制备；（2）栅脚...
吴少兵王彦硕黄念宁
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一种用于半导体超薄器件的背面工艺方法
本发明公开了一种用于半导体超薄器件的背面工艺方法，其主要步骤有：1）表面涂覆高温键合剂的圆片与涂覆低温键合剂的第一载体键合；2）圆片减薄成超薄片，其后依次完成背面通孔、背面金属化等常规背面工艺；3）超薄片与第一载体分离；...
邹鹏辉王彦硕高建峰黄念宁李信赵玲陈元坤
一种增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制备方法
本发明涉及的是一种增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管，其外延结构包括SiC衬底、GaN沟道层、GaN高阻缓冲层和Al含量渐变的AlGaN势垒层。其制备方法，包括如下工艺步骤：（1）源漏金属体系的制备；（2）栅脚介...
吴少兵王彦硕黄念宁
一种用于半导体超薄器件的背面工艺方法
本发明公开了一种用于半导体超薄器件的背面工艺方法，其主要步骤有：1）表面涂覆高温键合剂的圆片与涂覆低温键合剂的第一载体键合；2）圆片减薄成超薄片，其后依次完成背面通孔、背面金属化等常规背面工艺；3）超薄片与第一载体分离；...
邹鹏辉王彦硕高建峰黄念宁李信赵玲陈元坤
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一种桥臂无错位对称型Lange桥
本发明公开一种桥臂无错位对称型Lange桥，包括第一端口平衡馈入结构、第二端口平衡馈入结构、第一桥臂耦合结构、第二桥臂耦合结构、输入端馈入网络、平衡吸收负载网络、直通端、耦合端和桥臂连接网络；所述的第一端口平衡馈入结构、...
王维波张斌黄念宁曹敏华
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分散式镜像高功率管芯
本发明涉及一种分散式镜像高功率管芯，所述管芯包括基板、HEMT晶胞1a、1b、1c、1d、功率分配网络、功率合成网络及源条接地散热通孔，所述HEMT晶胞1a、1b、1c、1d、功率分配网络、功率合成网络及源条接地散热通孔...
张斌余旭明陈堂胜任春江黄念宁
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一种轮式金刚刀划片方法
本发明公开了一种轮式金刚刀划片方法，其主要步骤有：1）圆片减薄至目标厚度并完成背面工艺；2）将圆片通过粘性膜固定在绷环上；3）使用轮式金刚刀在设定步进、压力、速度下对圆片进行划片，形成凹槽；4）使用裂片机将圆片沿凹槽位置...
邹鹏辉高建峰黄念宁吴少兵王彦硕汤朦
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