刘学超
- 作品数：92 被引量：98H指数：5
- 供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市科委纳米专项基金中国科学院知识创新工程重要方向项目更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术化学工程更多>>
- 晶体生长用籽晶下置式装置
- 本发明提供一种晶体生长用籽晶下置式装置，包含圆筒状的下置式坩锅和圆筒状的保温结构，保温结构紧密地包裹在下置式坩锅的周围；保温结构包括：保温结构中部圆筒；设置于保温结构中部圆筒上方的保温结构上封顶盖；设置于保温结构中部圆筒...
- 卓世异刘学超严成锋忻隽孔海宽施尔畏
- 文献传递
- 正对电极结构型碳化硅光导开关的制备与性能研究被引量：7
- 2012年
- 采用钒掺杂半绝缘6H-SiC衬底,以Ni/Au为接触电极制备了一系列正对电极结构型光导开关,对SiC光导开关进行了不同外加电压、激发光强、激发光波长条件下的测试,着重研究了SiC光导开关的光电吸收效应和光电响应性能.实验结果表明,532 nm的激光激发的脉冲信号宽度远小于1064 nm的激光激发的脉冲信号宽度,半绝缘6H-SiC衬底对532 nm激光的吸收系数在0.601～0.692 mm–1之间;采用532 nm的激光激发光导开关,获得了纳秒量级的响应信号;流经开关的瞬态电流随着外加电压和激发光能量的增加而增大,随着衬底厚度的增加而减小.
- 常少辉刘学超黄维周天宇杨建华施尔畏
- 关键词：光导开关
- 晶体生长用坩埚以及释放碳化硅晶体热应力的方法
- 本发明涉及晶体生长用坩埚以及释放碳化硅晶体热应力的方法，所述坩埚是与制备的晶体侧面相接触的坩埚，所述坩埚具有环式非闭合拼接结构。该晶体生长用坩埚具有环式非闭合拼接结构，因此可以避免紧箍晶体，从而使晶体生长过程中在晶体内聚...
- 高攀王乐星忻隽刘学超郑燕青施尔畏
- 文献传递
- 微米级厚度晶片承载台
- 本发明提供一种可以实现对厚度在微米量级的晶片的承载和保护、特别适用于晶片加工及质检生产中一个工序完成后晶片的放置和转运中的保护的微米级厚度晶片承载台。所述承载台整体为圆筒形；在从所述承载台的边缘向内圆方向离开一定距离处，...
- 卓世异刘学超严成锋黄维陈卫宾孔海宽施尔畏
- 文献传递
- 改进型卧式球磨机
- 本实用新型涉及一种改进型卧式球磨机，所述改进型卧式球磨机包括：用于装载物料和磨球的球磨罐（1）、水平放置的滚筒（4）、将所述球磨罐（1）与水平方向呈规定角度地固定支撑在滚筒（4）中的支撑单元、以及使所述滚筒（4）围绕水平...
- 卓世异刘学超熊泽孔海宽黄维施尔畏
- 文献传递
- 碳化温度对异质外延3C-SiC薄膜结晶质量及表面形貌的影响被引量：2
- 2013年
- 本文以Si(100)为衬底,利用水平式常压冷壁化学气相沉积(APCVD)系统在不同温度(1100～1250℃)下制备的"缓冲层"上生长了3C-SiC薄膜。结果表明,薄膜为外延生长的单一3C-SiC多型,薄膜表面呈现"镶嵌"结构特征,Si/3C-SiC界面平整无孔洞。碳化温度对薄膜的结晶质量和表面粗糙度有显著的影响,当碳化温度低于或高于1200℃时,薄膜的结晶质量有所降低,且随着碳化温度的升高,薄膜表面粗糙度呈现增大的趋势。当在1200℃下制备的"缓冲层"上生长薄膜时,可以获得最优质量的3C-SiC外延膜,其(200)晶面摇摆曲线半峰宽约为0.34°,表面粗糙度约为5.2 nm。
- 石彪刘学超周仁伟杨建华郑燕青施尔畏
- 关键词：3C-SIC碳化缓冲层
- 单晶硅衬底异质外延3C-SiC薄膜研究进展被引量：7
- 2011年
- 3C-SiC薄膜的外延生长一直是SiC材料制备领域的一个热点,单晶Si衬底异质外延3C-SiC是实现大尺寸、低成本薄膜的有效方法,备受人们关注。单晶Si与3C-SiC之间存在较大的晶格失配(20%)和热膨胀系数差异(8%),严重制约着高质量单晶薄膜的制备。本文对单晶Si衬底异质外延3C-SiC薄膜的基本原理和工艺过程进行了总结,着重介绍了薄膜生长中的缺陷和可控掺杂方面的研究进展以及面临的挑战,并对今后的研究热点做了归纳展望。
- 石彪朱明星陈义刘学超杨建华施尔畏
- 关键词：3C-SIC化学气相沉积
- Ⅲ-Ⅵ族InSe半导体晶体生长研究进展
- 2022年
- Ⅲ-Ⅵ族InSe晶体是一种非常重要的化合物半导体材料,在高性能纳米电子器件、红外光探测、光电器件及柔性电子等领域有广泛应用。本文简要介绍了In-Se相图的发展历程,InSe具有非一致熔融特性,可通过包晶反应从准化学剂量比或非化学剂量比溶液中析晶获得,其中In/Se摩尔比对InSe转化率有重要影响。迄今,垂直布里奇曼法、提拉法、水平梯度凝固法、低温液相法及气相输运法等多种技术被成功用于制备InSe晶体。为全面了解InSe晶体生长的历史和现状,本文从工艺原理、技术要点、晶体生长结果等方面将国内外相关工作进行了梳理,并对各种方法的优缺点进行了比较。研究分析表明:垂直布里奇曼法因对设备要求简单,操作简易,现已成为制备高质量大尺寸InSe晶体的主流技术,水平梯度凝固法则在ε型InSe晶体生长方面颇具特色,未来可在新材料性能研究与应用探索上与垂直布里奇曼法形成一定补充。
- 何峰白旭东陆欣昱郑树颍李荣斌刘学超魏天然史迅金敏
- 关键词：INSE半导体晶体生长
- 一种碳化硅晶体生长过程中调节和旋转坩埚的装置及方法
- 一种碳化硅晶体生长过程中调节和旋转坩埚的装置及方法，该装置包括：用以采用物理气相传输方法生长碳化硅单晶的坩埚，裹绕所述坩埚的保温层，位于所述保温层外侧的感应线圈，载置有所述坩埚的底座，通过石墨杆和第一连接杆与所述底座连接...
- 高攀忻隽孔海宽严成锋郑燕青刘学超施尔畏
- 一种具有内禀铁磁性ZnO基稀磁半导体薄膜及其制备方法
- 本发明属于半导体薄膜材料技术领域，涉及一种高质量、低电阻率、具有内禀铁磁性的稀土金属离子掺杂ZnO稀磁半导体薄膜及其制备方法。本发明的薄膜，其化学成份符合化学通式Zn<Sub>1-x-y</Sub>Er<Sub>x</S...
- 刘学超陈之战杨建华施尔畏
