施尔畏
- 作品数：284 被引量：2,307H指数：30
- 供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划中国科学院知识创新工程重要方向项目更多>>
- 相关领域：理学化学工程电子电信一般工业技术更多>>
- 一种Al掺杂的氧化锌透明导电薄膜的制备方法
- 本发明属于透明导电薄膜领域，涉及Al掺杂的ZnO透明导电薄膜的制备方法，尤其涉及电感耦合等离子体增强物理气相沉积法(ICP-PVD)。该ICP-PVD法先制备Zn<Sub>1-x</Sub>Al<Sub>x</Sub>O...
- 刘学超陈之战宋力昕施尔畏
- 双室结构碳化硅晶体生长装置
- 本发明涉及一种双室结构碳化硅晶体生长装置，属于晶体生长装置领域。本发明采用进样室和晶体生长室，进样室和晶体生长室通过真空挡板阀连接分离，进样室和晶体生长室连接真空系统。本发明的晶体生长装置，能够克服现有技术的固有缺陷，保...
- 陈之战施尔畏严成锋肖兵
- 文献传递
- 氧化锌晶粒生长基元与生长形态的形成机理被引量：29
- 1997年
- 从负离子配位多面体生长基元模型出发,建立了氧化锌晶体生长基元数学模型.报道了ZnO晶粒水热制备实验以及晶粒生长基元稳定能计算的结果.
- 元如林施尔畏王步国夏长泰李文军仲维卓
- 关键词：生长基元晶体水热法
- 水热介质pH值对纳米(Ce)ZrO<,2>晶粒制备的影响
- 用水热法制得纳米(Ce)ZrO<,2>粉体，其晶粒粒度为3～7nm，而且为单一分散。用XRD、TEM分析了水热媒介pH值对粒度、m相含量、晶粒形貌的影响关系。结果表明：水热煤介pH值增大，ZrO<,2>晶粒也增大;pH值...
- 南春施尔畏郑燕青李文军
- 关键词：水热法反应机理
- 文献传递
- 钨酸铅晶粒生长基元及水热制备研究被引量：7
- 2000年
- 钨酸铅 (PbWO4 )晶体结构可看作是钨氧四面体WO4 与铅离子Pb2 +的有序结合 .根据“生长基元”模型 ,钨酸铅晶体的生长基元是由钨氧四面体和铅离子有序结合而成的具有不同几何结构的聚集体 .棱锥体状、四方柱状和四棱柱状生长基元是钨酸铅晶体的有利生长基元 .这些有利生长基元的几何构型与钨酸铅晶体结晶学单形的几何方位相一致 .在低受限度生长条件下 ,钨酸铅晶粒的生长形态是这些有利生长基元几何构型的聚合 .这些结论完全被水热法制备实验结果证实 .
- 元如林施尔畏李汶军郑燕青吴南春仲维卓
- 关键词：钨酸铅晶体生长基元水热法晶体生长
- Sm∶YCOB晶体生长及吸收光谱表征被引量：3
- 2013年
- 采用熔体提拉法生长了高质量Sm3+掺杂YCa4O(BO3)3(YCOB)晶体。通过X射线粉末衍射、高分辨X射线衍射摇摆曲线、ICP-AES、吸收光谱等对晶体的性能进行了研究。发现生长的Sm∶YCOB晶体与YCOB晶体具有相同的结构,结晶质量较好,半高宽可达31弧秒;5at%浓度掺杂时Sm3+在YCOB晶体中分凝系数为0.773;晶体在1400～1600 nm范围内有若干较强的吸收峰。
- 涂一帆涂小牛熊开南郑燕青高攀施尔畏
- 关键词：提拉法吸收光谱
- 一种高纯半绝缘碳化硅体单晶的生长装置
- 陈博源陈之战施尔畏严成锋
- 该发明属于晶体生长领域，具体涉及一种高纯半绝缘碳化硅体单晶的生长装置.该生长装置包括真空室、石墨坩埚和感应线圈.该发明的生长装置基于物理气相传输(PVT)技术生长高纯半绝缘碳化硅体单晶，无需特殊的生长工艺.其主要特点为：...
- 关键词：
- 关键词：单晶
- 氧化物晶体的成核机理与晶粒粒度被引量：71
- 2000年
- 从微观动力学角度研究了晶粒的成核机理，认为晶粒的成核机理主要包括生长基元的形成，生长基元之间的氧桥合作用和Ｏ桥转变为ＯＨ桥．并从成核速度角度分析了影响晶粒粒度的主要原因，揭示了影响晶粒粒度的内部原因为生长基元的生成能、晶体的晶格能．由此总结出不同结构类型的氧化物粉体的晶粒粒度的相对大小．即具有ＣａＦ２或ＴｉＯ２结构的氧化物粉体的晶粒粒度比具有α－Ａｌ２Ｏ３结构的氧化物粉体的晶粒粒度小，具有α－Ａｌ２Ｏ３结构的氧化物粉体的晶粒粒度比具有六方ＺｎＳ结构的氧化物粉体的晶粒粒度小．合理地解释了由水热法制得的氧化物粉体的晶粒粒度差别较大的原因以及溶液的ｐＨ值、反应温度对晶粒粒度的影响．
- 李汶军施尔畏郑燕青陈之战殷之文
- 关键词：成核机理水热法氧化物晶体
- 用于SiC晶体生长的高纯原料的合成及性能研究被引量：8
- 2013年
- SiC原料的纯度、粒径和晶型直接影响生长单晶的结晶质量和电学性质,尤其是高纯半绝缘本征SiC晶体的制备需要使用高纯SiC原料。本文采用超高温真空烧结炉,选择Si粉和C粉作为反应物,通过XRD、SEM、激光粒度测试仪和GDMS等测试手段研究了合成温度、压强、时间及原料配比等工艺条件对SiC颗粒成核、生长、晶型、粒径及堆积密度等综合性能的影响。结果表明,自合成的SiC原料一致性好、颗粒度均匀、纯度达到或超过5N。最后,使用自合成原料进行晶体生长,进一步证实其完全满足高质量半绝缘SiC晶体的制备。
- 高攀刘熙严成锋忻隽陈建军孔海宽郑燕青施尔畏
- 关键词：SIC晶体粒径堆积密度
- 一种弛豫SiGe虚拟衬底及其制备方法
- 本发明属于半导体材料技术领域，涉及一种弛豫高锗含量的SiGe虚拟衬底及其制备方法。该SiGe虚拟衬底包括Si衬底、在Si衬底上由内而外依次外延生长的Ge晶籽层、Ge缓冲层、组份渐变的SiGe缓冲层和组分恒定的SiGe层；...
- 刘学超陈之战施尔畏
- 文献传递
