刘岩
- 作品数：64 被引量：61H指数：4
- 供职机构：西北核技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金中国人民解放军总装备部预研基金更多>>
- 相关领域：电子电信核科学技术理学自动化与计算机技术更多>>
- 一种双极型晶体管位移效应数值模拟方法
- 本发明属于辐射效应数值模拟技术领域，涉及一种双极型晶体管位移效应数值模拟方法。该方法从中子辐照后双极型晶体管位移损伤缺陷的实测数据出发，建立位移损伤缺陷模型，完成中子位移效应的数值模拟。本发明突破了现有少数载流子寿命法不...
- 陈伟王晨辉郭晓强杨善潮刘岩李俊霖龚建成
- 文献传递
- 一种中子注量在线测量的温度自动校正系统及方法
- 本发明具体涉及一种中子注量在线测量的温度自动校正系统及方法，解决了目前在温变环境中直接测量中子注量误差较大的问题。本发明提供的一种中子注量在线测量的温度自动校正系统，包括处理计算机、电源模块、恒流源模块、电流测量模块和探...
- 李瑞宾吴伟郭晓强甘惠元刘炜剑白小燕刘岩
- 0.18μm CMOS电路瞬时剂量率效应实验研究被引量：9
- 2014年
- 利用脉冲激光源及脉冲X射线源,开展了超深亚微米CMOS反相器及CMOS静态随机存储器的瞬时剂量率效应实验,测量了CMOS电路瞬时剂量率效应,并与微米级电路的瞬时剂量率效应进行了比较。结果表明,对于CMOS电路,特征尺寸的缩小对其抗瞬时剂量率性能的影响与电路的规模有关。0.18μm CMOS反相器的抗瞬时剂量率性能远优于微米级反相器,而0.18μm CMOS静态随机存储器的抗瞬时剂量率性能远低于微米级及亚微米级存储器。
- 王桂珍林东生齐超白小燕杨善潮李瑞宾马强金晓明刘岩
- 关键词：脉冲激光特征尺寸
- 一种预测三极管累积剂量后瞬时光电流持续时间的方法
- 本发明具体涉及一种预测三极管累积剂量后瞬时光电流持续时间的方法，解决了当前测量方法耗费大量时间以及能源的问题。本发明包括以下步骤：(1)得到累积剂量为零的三极管的基极电流随基极电压的变化曲线；(2)对三极管进行瞬时电离辐...
- 李瑞宾陈伟李俊霖王晨辉刘岩齐超刘炜剑甘惠元金晓明白小燕
- 一种利用SRAM存储器进行中子辐射环境监测的方法
- 本发明属于辐射探测领域，涉及一种利用SRAM存储器进行中子辐射环境监测的方法，包括以下步骤：1】对不同型号的SRAM存储器分别进行中子辐射标定，绘制数据翻转数与中子注量的关系曲线；2】筛选数据翻转数与中子注量呈线性关系的...
- 陈伟刘岩郭晓强杨善潮齐超
- 文献传递
- 基于栅控技术进行散裂中子源1MeV等效中子注量测量的方法
- 本发明提供基于栅控技术进行散裂中子源1MeV等效中子注量测量的方法，解决了现有散裂中子源测量低通量1MeV等效中子注量手段有限的技术问题，本发明利用双极型晶体管少数载流子寿命倒数和1MeV等效中子注量呈线性关系的特点，实...
- 刘岩陈伟郭晓强金晓明李俊霖白小燕王晨辉薛院院
- 文献传递
- 几种存储器瞬时剂量率效应比较
- 对三种不同类型存储器(SRAM、EEPROM 和FLASH)开展了“强光一号”瞬时剂量率效应实验,测量了存储器的瞬时辐射响应。对八种不同容量SRAM、三种EEPROM 及两种FLASH,进行了剂量率效应实验测量,测量了不...
- 王桂珍齐超李瑞宾白小燕杨善潮刘岩
- 关键词：SRAMEEPROMFLASH
- 横向PNP晶体管质子辐照损伤的缺陷间能级耦合机制被引量：1
- 2022年
- 为分析质子电离对位移损伤效应的影响机制,基于栅控电荷分离方法,对比分析了横向PNP晶体管3 MeV质子辐照与反应堆中子辐照位移损伤效应的差异,并对质子辐照后的长期退火特征进行了分析。通过对栅扫描峰值展宽机理的分析,提出了位移损伤深能级缺陷与界面浅能级缺陷之间的耦合机制。研究结果表明,当深能级与浅能级缺陷同时存在时,缺陷间的电荷转移将会显著加剧电子器件的载流子复合过程。
- 刘岩陈伟王忠明王茂成王迪刘卧龙王百川杨业姚志斌郭晓强王晨辉白小燕
- 关键词：质子辐照中子辐照
- 随机静态存储器低能中子单粒子翻转效应被引量：10
- 2009年
- 建立了中子单粒子翻转可视化分析方法，对不同特征尺寸（0．13～1．50μm）CMOS工艺商用随机静态存储器（SRAM）器件开展了反应堆中子单粒子翻转效应的实验研究，获得了SRAM器件的裂变谱中子单粒子翻转截面随特征尺寸变化的变化趋势。研究结果表明：SRAM器件的特征尺寸越小，其对低能中子导致的单粒子翻转的敏感性越高。
- 郭晓强郭红霞王桂珍林东生陈伟白小燕杨善潮刘岩
- 关键词：单粒子效应反应堆特征尺寸
- CMOS工艺单片机IO电路电离辐射效应模拟计算
- MOS工艺单片机IO电路的电离辐射效应进行了模拟计算.建立了NMOS寄生晶体管的物理模型,计算了晶体管阈值电压随总剂量的变化.通过改变晶体管的阈值电压,模拟了单片机IO电路的辐射响应,分析了典型结构电路参数的退化机制.模...
- 金晓明齐超杨善潮白小燕李瑞宾王桂珍刘岩
- 关键词：寄生晶体管
