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白小燕

作品数:55 被引量:70H指数:5
供职机构:西北核技术研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点实验室开放基金中国人民解放军总装备部预研基金更多>>
相关领域:电子电信核科学技术理学自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 29篇期刊文章
  • 14篇专利
  • 12篇会议论文

领域

  • 26篇电子电信
  • 19篇核科学技术
  • 8篇理学
  • 7篇自动化与计算...
  • 2篇电气工程
  • 1篇航空宇航科学...
  • 1篇医药卫生

主题

  • 21篇中子
  • 13篇晶体管
  • 9篇剂量率
  • 8篇单粒子
  • 8篇电路
  • 7篇中子辐照
  • 7篇中子注量
  • 6篇单粒子翻转
  • 6篇脉冲
  • 6篇半导体
  • 6篇EEPROM
  • 5篇散裂中子源
  • 5篇中子源
  • 5篇剂量率效应
  • 5篇SRAM
  • 5篇CMOS电路
  • 4篇双极型
  • 4篇双极型晶体管
  • 4篇闩锁
  • 4篇脉冲宽度

机构

  • 55篇西北核技术研...
  • 1篇清华大学
  • 1篇西安交通大学
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 55篇白小燕
  • 39篇杨善潮
  • 38篇刘岩
  • 38篇王桂珍
  • 33篇金晓明
  • 32篇李瑞宾
  • 31篇林东生
  • 29篇陈伟
  • 28篇郭晓强
  • 24篇齐超
  • 19篇王晨辉
  • 13篇李俊霖
  • 6篇李斌
  • 6篇龚建成
  • 5篇马强
  • 3篇姚志斌
  • 3篇李瑞斌
  • 2篇王忠明
  • 2篇郭红霞
  • 1篇吴伟

传媒

  • 8篇强激光与粒子...
  • 7篇原子能科学技...
  • 7篇现代应用物理
  • 4篇微电子学
  • 1篇半导体技术
  • 1篇核电子学与探...
  • 1篇信息与电子工...
  • 1篇北京核学会第...
  • 1篇“创新——核...

年份

  • 2篇2024
  • 3篇2023
  • 1篇2022
  • 3篇2021
  • 2篇2020
  • 4篇2019
  • 1篇2018
  • 3篇2017
  • 2篇2016
  • 4篇2015
  • 12篇2014
  • 2篇2013
  • 2篇2012
  • 7篇2010
  • 7篇2009
55 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
散裂中子源1MeV等效中子注量的测量方法
本发明属于辐射探测领域,涉及一种散裂中子源1MeV等效中子注量测量的方法。解决了现有散裂中子源中子束流无法直接提供1MeV等效中子注量且计算等效注量不确定度较大的技术问题,本发明采用的方法是利用双极型晶体管增益倒数和1M...
刘岩陈伟郭晓强金晓明李俊霖杨善潮王晨辉白小燕
文献传递
中子和γ综合辐射环境下横向PNP晶体管电流增益退化的数值模拟
建立了中子位移效应、总剂量效应以及总剂量和位移综合辐射效应的数值模拟方法,运用半导体仿真工具TCAD,通过同时改变少数载流子寿命、表面复合速度以及在SiO2钝化层中添加电荷陷阱,完成了对中子和γ综合辐射环境下横向PNP晶...
王晨辉白小燕陈伟杨善潮刘岩金晓明
关键词:总剂量效应
国产LiF(Mg,Ti)-M剂量片γ射线响应的线性上限和重复性研究被引量:2
2013年
利用50Co实验研究了国产LiF(Mg,Ti)-M热释光剂量片(TLD)的线性响应上限及重复性.结果表明,国产LiF(Mg,Ti)-M的线性响应上限在150~200 Gy之间,超过线性上限后灵敏度下降.在剂量片线性响应范围内重复使用,灵敏度基本不变;超过线性上限后重复使用,灵敏度会增加.实验结果还表明,通过筛选可以使一组剂量片的响应一致性满足使用要求,而且不论后续使用中的辐照剂量是否在线性范围,它们的响应一致性均不会因多次使用而变差,因此可以采用成批使用的方法测量非线性区吸收剂量,以提高大剂量测量的准确度.
白小燕齐超金晓明刘岩王桂珍林东生杨善潮龚建成李瑞宾
关键词:TLD
脉冲中子辐照下三极管电流-时间响应曲线的试验研究被引量:1
2020年
利用西安脉冲反应堆(XAPR)的脉冲中子进行辐照,在固定发射极电流下,测量了9种类型三极管的电流-时间响应曲线。理论分析认为,可将基极电流的时间响应分为3个阶段:第1阶段基极电流随时间增大而减小,该过程主要受光电流的影响;第2阶段基极电流随时间增大而快速增大,该过程主要受位移损伤缺陷累积作用的影响;第3阶段基极电流随时间增大而减小并趋于稳定,该过程主要受位移损伤缺陷短期退火的影响。基于测量的集电极电流和基极电流,计算了三极管的放大倍数及短期退火曲线。结果表明,9种类型三极管辐照前后放大倍数的变化率之比大于2,但短期退火曲线差别较小,最大退火因子为1.2~1.3,远小于快堆上得到的短期退火因子2~5。分析认为,该结果是因为加电辐照和XAPR脉宽较长造成的,高载流子密度和长脉宽下,脉冲中子辐照期间缺陷的产生与演化同步发生,导致有效的缺陷数量减少,短期退火因子变小。同时,研究发现,短期退火曲线呈指数衰减,这与缺陷演化的一级动力学过程相符。
白小燕白小燕王桂珍刘岩金晓明王桂珍王晨辉齐超
关键词:脉冲中子三极管
深亚微米CMOS随机静态存储器反应堆中子辐射效应实验研究
西北核技术研究所自主研制的存储器辐射效应测试系统,选取了0.25 μm 工艺4M 容量和0.13 μm 工艺16M容量的CMOS随机静态存储器(SRAM),在西安脉冲堆进行了中子辐射效应实验,研究了CMOS SRAM 在...
杨善潮郭晓强林东生陈伟王桂珍李瑞宾白小燕
关键词:中子辐照深亚微米单粒子翻转
典型双极能隙基准源的瞬时电离辐射效应分析
2014年
分析了典型双极型二管和三管能隙基准源受瞬时电离辐射后的输出响应,以及以双极能隙基准源为基本电路的集成稳压器的瞬时辐射效应,并对含典型三管能隙基准源的集成稳压器L7805芯片进行了瞬时电离辐射实验验证。实验结果表明,基准源受辐射后输出电平降至零电平附近,致使稳压器输出降低,并且电平恢复时间与剂量率成对数关系,与理论分析结果一致。
李瑞宾林东生陈伟王桂珍杨善潮白小燕金晓明
关键词:能隙基准源集成稳压器
氧化物正电荷影响下半导体空间电势的近似解析解研究
2015年
建立了半导体空间电势与界面氧化物正电荷之间联系的解析表达式。从一维情况下精确的泊松方程及其边界条件出发,对N(P)型硅半导体中的泊松方程作积累(耗尽)近似,根据德拜屏蔽效应对边界条件作截断近似,得到了氧化物正电荷影响下两种类型半导体内电势的近似解析解。另外,还进行了精确数值计算,并将它与近似解析解的结果进行比较,结果表明,当氧化物正电荷增加到使P型半导体发生强反型后,近似解不再成立。根据强反型的条件,给出了P型半导体中近似解的适用范围。
白小燕陈伟林东生王桂珍刘岩金晓明杨善潮李瑞宾
关键词:泊松方程
不同负载条件下LDO中子辐射效应
对不同型号的LDO进行了中子辐射效应实验研究,得到了不同负载条件下输出电压随中子注量的变化关系。结果表明,不同型号LDO的中子辐射效应受负载条件影响不同,特定电路结构的LDO的中子辐射失效阈值与负载条件密切相关。通过电路...
金晓明白小燕李瑞宾刘岩李俊霖齐超王晨辉
关键词:LDO
敏化LiF(Mg,Ti)热释光剂量片γ射线响应特性被引量:2
2016年
敏化LiF(Mg,Ti)热释光剂量片(LiF(Mg,Ti)-M TLD)是用于强脉冲辐射场剂量测量的主要探测器.对国内4个厂家生产的敏化LiF(Mg,Ti)热释光剂量片进行了γ射线响应的一致性、重复性和线性的比较研究,测量了γ射线辐照后4种敏化LiF(Mg,Ti)热释光剂量片试验样品的吸收剂量读数平均值及标准偏差,比较了4种样品在不同吸收剂量下的灵敏度及其变异系数,并获得了超出线性上限的大剂量辐照对剂量片线性响应特性的影响规律.研究结果表明,北京防化研究院生产的剂量片性能最优,试验样品在吸收剂量为6Gy(Si)时读数变异系数为3.11%,重复性指标在5%以内,线性响应上限在50-100Gy(Si)之间.吸收剂量为150Gy(Si)并退火后再次使用时的灵敏度漂移幅度约为11%.
王晨辉陈伟金军山金晓明杨善潮白小燕林东生王桂珍李斌
关键词:Γ射线响应特性灵敏度
一种中子注量在线测量的温度自动校正系统及方法
本发明具体涉及一种中子注量在线测量的温度自动校正系统及方法,解决了目前在温变环境中直接测量中子注量误差较大的问题。本发明提供的一种中子注量在线测量的温度自动校正系统,包括处理计算机、电源模块、恒流源模块、电流测量模块和探...
李瑞宾吴伟郭晓强甘惠元刘炜剑白小燕刘岩
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