廖桂红
- 作品数：7 被引量：175H指数：5
- 供职机构：中国科学技术大学物理学院物理系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金安徽省自然科学基金中国科学院知识创新工程更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- ZnO薄膜的反射、透射光谱及能带结构测量
- ZnO是近年来发展起来的近紫外发光材料.本实验通过反射和透射光谱测量方法来确定ZnO薄膜材料的禁带宽度和局域能级.
- 傅竹西林碧霞何一平廖桂红
- 关键词：ZNO薄膜光谱测量禁带宽度局域能级
- 文献传递
- 溅射方法生长的氧化锌薄膜的阴极射线和光致发光特性被引量：21
- 2001年
- 近紫外光发射氧化锌薄膜是一种新兴的发光材料 ,它的发光波长比氮化镓的蓝光波长更短 ,在光存储应用中可以进一步提高光存储的密度 ,因而在光电子领域具有重要应用价值而备受关注。在此介绍我们用直流反应溅射方法在硅衬底上生长的氧化锌薄膜 ,观察了它们的阴极射线发光和光致发光光谱 ,研究了发光与薄膜晶体结构 ,以及发光与激发电子束流的关系等。
- 林碧霞傅竹西贾云波廖桂红
- 关键词：氧化锌光致发光光谱发光特性
- 氧化锌半导体薄膜的发光光谱特性被引量：21
- 1999年
- 用直流反应溅射方法在Ｓｉ（１００）基片上生长出具有六角晶型的ＺｎＯ 薄膜．测量了样品的阴极射线发光特性及其与薄膜晶体结构的关系．在所有测量样品中均观察到较强的绿带（５２０ｎｍ ）发射，随着薄膜单晶程度的提高，光谱中开始出现蓝带（～４５０ｎｍ ），并在类单晶薄膜中看到了强度大于绿带的近紫外谱带（３９０ｎｍ ）；它的强度随着阴极射线电子束流密度增加而迅速增加．根据ＺｎＯ 中激子的结合能数据，推测紫带发射来源于ＺｎＯ 的激子跃迁．实验结果说明。
- 傅竹西林碧霞郭常新廖桂红
- 关键词：氧化锌半导体薄膜
- 氧气后处理对氧化锌薄膜紫外发射性质的影响被引量：4
- 2004年
- 为了提高ZnO光发射效率和制备p型ZnO,对热处理的氧分压对薄膜的结构、形貌、光致光发射和ZnO/Si异质结的Ⅰ-Ⅴ特性的影响进行了研究。用直流反应溅射法在p型硅衬底上生长ZnO薄膜形成n-ZnO/P-Si异质结。在1000℃下用不同比例的氧和氨热处理,我们发现,在纯氮气中得到的样品有强的紫外发射(390nm),随氧气比例增大,紫外增强,同时绿光也产生并随之增强。但过大的氧分压反而产生多的受主缺陷,使越来越多的激发能量转移到发射能量低的绿光中心,从而使紫外减弱。在纯氧和无氧条件下热处理的俄歇谱表明纯氧下氧过量,而无氧下锌大大过量。ZnO/p-Si异质结的Ⅰ-Ⅴ特性表明,无氧热处理表现为典型的n-ZnO/p-Si异质结;而在纯氧气氛中处理后所得Ⅰ-Ⅴ曲线反向,这表明在高氧压下受主缺陷的产生,表明ZnO薄膜有可能由于高氧压热处理由n型转为p型。
- 林碧霞傅竹西廖桂红
- 关键词：氧化锌薄膜光致发光谱化学计量半导体材料
- ZnO薄膜光学常数测量被引量：18
- 2004年
- 利用Kramers-Kronig方法(K-K方法)测量了ZnO薄膜的复分电常数和复折射率(折射率和消光系数)。为了满足K-K方法所要求的条件,光源发出的光束通过一个特殊设计的中间带孔的反射镜垂直投射到ZnO薄膜表面,在ZnO薄膜表面产生的反射光穿过反射镜中间的小孔进入单色仪,从而测量出正入射情况下ZnO薄膜的反射光谱。对有限波段下测量的数据经合理的外推后,得出全波段的薄膜反射谱,然后利用K-K方法计算出ZnO薄膜的复分电常数和复折射率。实验结果表明,氧化锌薄膜在可见光范围内的折射率近似为一常数3.5;在430 nm附近出现折射率最大值,而在短波长范围所对应的折射率大大降低,其值在0.5～2.5之间起伏波动。
- 傅竹西林碧霞何一平廖桂红
- 关键词：氧化锌薄膜光学常数反射光谱单色仪光电子材料
- 氧化锌薄膜Zn/O比和发光性能的关系被引量：20
- 2005年
- 用直流反应溅射在硅基片上生长具有高取向晶粒的氧化锌薄膜,在氧气、氮气、空气气氛和不同温度下进行热处理,对所得到的样品用俄歇谱(AES)仪进行元素深层分布分析,并测量光致发光光谱。研究结果表明: 1.经热处理的薄膜表面全部为缺氧表面,不同深度Zn和O含量分布(Zn/O)有所不同; 2.当在氧气氛中1 000℃下热处理后,在薄膜的深层可产生比较明显的氧过量;而在空气中950℃下热处理后,则可产生局部氧过量; 3.光致发光谱表明,薄膜中全部为锌过量时产生纯紫外发射,而具有局部氧过量的薄膜则在产生紫外发射的同时产生绿色发光,绿光和紫外的强度比则随局部氧过量增多而增大。
- 林碧霞傅竹西廖桂红
- 关键词：ZNO薄膜光致发光
- 非掺杂ZnO薄膜中紫外与绿色发光中心被引量：103
- 2001年
- 用直流反应溅射方法在硅衬底上淀积了ZnO薄膜 ,测量它们的光致发光 (PL)光谱 ,观察到两个发光峰 ,峰值能量分别为 3 .18(紫外峰 ,UV)和 2 .3 8eV(绿峰 ) .样品用不同温度分别在氧气、氮气和空气中热处理后 ,测量了PL光谱中绿峰和紫外峰强度随热处理温度和气氛的变化 ,同时比较了用FP LMT方法计算的ZnO中几种本征缺陷的能级位置 .根据实验和能级计算的结果 ,推测出ZnO薄膜中的紫外峰与ZnO带边激子跃迁有关 ,而绿色发光主要来源于导带底到氧错位缺陷 (OZn)能级的跃迁 ,而不是通常认为的氧空位 (VO)、锌填隙 (Zni)或锌空位 (VZn)、氧填隙 (Oi) .
- 林碧霞傅竹西贾云波廖桂红
- 关键词：ZNO薄膜光致发光光谱
