张大伟
- 作品数：7 被引量：3H指数：1
- 供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
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- 纳米级MOSFET多晶区量子修正解析模型被引量：1
- 2005年
- 利用ISE8.0的DESSIS,对多晶区量子力学效应进行了摸拟。结果表明,纳米级MOSFET多晶区内的量子效应不可忽略,且它对器件特性的影响与多晶耗尽效应相反。从密度梯度模型,简化得到多晶区量子效应修正,并建立了多晶区内量子效应的集约模型。该模型与数值模拟结果吻合。
- 章浩张大伟余志平田立林
- 关键词：量子力学效应
- FinFET器件的集约阈电压模型(英文)
- 2005年
- 对FinFET器件(或称三栅MOSFET器件)的二维截面做了解析静电学分析以得出阈电压的计算公式.结果显示,由于三栅结构在高度方向的限制作用,需要引入一个H系数来修正栅电容,随着高度不断变大,它渐近于双栅MOSFET器件的情况.由该解析模型得出的电势分布与数值模拟结果吻合.提出了一个包含量子效应的Fin FET器件的集约阈电压模型,结果表明,当高度或者顶栅的氧化层厚度变小时,栅电容及阈电压都会上升,这与FinFET设计时发现的趋势是相符合的.
- 张大伟田立林余志平
- 关键词：阈电压
- 考虑量子效应的双栅MOSFET的阈电压解析建模(英文)
- 2005年
- 推导了双栅MOSFET器件在深度方向上薛定谔方程的解析解以求得电子密度和阈电压.该解析解考虑了任意深度情况下沟道中深度方向上电势的不均匀分布,结果与数值模拟吻合.给出了电子密度的隐式表达式和阈电压的显式表达式,它们都充分考虑了量子力学效应.模型显示,在亚阈值区或者弱反型区,电子密度随深度增加而增加;然而,在强反型区,它与深度无关,这与数值模拟的结果吻合.结果进一步显示,只考虑方形势阱的量子力学结果,略高估计了阈电压,且低估了电子密度.误差随着深度的增加或者栅氧厚度的减少而增加.
- 张大伟田立林余志平
- 关键词：双栅MOSFET电子密度阈电压
- 考虑二维量子力学效应的MOSFET解析电荷模型被引量：1
- 2005年
- 在亚 5 0 nm的 MOSFET中 ,沿沟道方向上的量子力学效应对器件特性有很大的影响。基于 WKB理论 ,考虑MOSFET中该效应对垂直沟道方向上能级的影响 ,引入了其对于阈电压的修正。在此基础上 ,对沟道方向的子带作了抛物线近似 ,从而建立了一个考虑二维量子力学的电荷解析模型。根据该模型 ,得到二维量子力学修正和沟道长度以及其他工艺参数的关系。与数值模拟结果的比较表明 ,该解析模型的精度令人满意 ,并且得出以下结论 :二维量子力学效应使阈电压下降 ,并且在亚 5 0 nm的 MOSFET中 ,这个修正不可忽略。
- 张大伟章浩余志平田立林
- 关键词：金属氧化物半导体场效应晶体管
- GCS法及多晶区量子效应的集约建模(英文)
- 2004年
- 提出了一种新的建立集约模型的方法 ,即栅电容修正法 .此方法考虑了新型效应对栅电压的依赖关系 ,且可以对各种效应相对独立地建模并分别嵌入模型中 .另外 ,利用该方法和密度梯度模型建立了一个多晶区内量子效应的集约模型 .该模型与数值模拟结果吻合 .模型结果和模拟结果均表明 ,多晶区内的量子效应不可忽略 ,且它对器件特性的影响与多晶耗尽效应相反 .
- 张大伟章浩田立林余志平
- 关键词：纳米级
- 考虑源漏隧穿的DG MOSFET弹道输运及其模拟
- 2004年
- 在经典弹道输运模型中引入源漏隧穿 (S/ D tunneling) ,采用 WKB方法计算载流子源漏隧穿几率 ,对薄硅层(硅层厚度为 1nm) DG(dual gate) MOSFETs的器件特性进行了模拟 .模拟结果表明当沟道长度为 10 nm时 ,源漏隧穿电流在关态电流中占 2 5 % ,在开态电流中占 5 % .随着沟道长度进一步减小 ,源漏隧穿比例进一步增大 .因此 ,模拟必须包括源漏隧穿 .
- 郑期彤张大伟江波田立林余志平
- 关键词：DGMOSFET
- 亚100nm体硅MOSFET集约I-V模型被引量：1
- 2005年
- 利用“局域化”的概念和二维泊松方程的解析解,建立了沟道方向上二维量子效应对阈电压的修正模型.基于密度梯度理论,建立了多晶硅栅内量子效应对阈电压的修正模型.在此基础上,结合弹道理论,开发了一个适用于亚100nm MOSFET的集约I V模型.通过与 TSMC提供的沟长为 45nm实际器件测试结果[1],以及与三组亚100nm MOSFET的数值模拟结果的比较,证明了该模型具有良好的精度(平均误差小于8%)和可延伸性.
- 张大伟章浩朱广平张雪莲田立林余志平
- 关键词：量子力学效应
