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彭同华

作品数：35 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
相关领域：理学电子电信化学工程一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 19篇专利
  • 13篇会议论文
  • 1篇学位论文
  • 1篇标准
  • 1篇科技成果

领域

  • 9篇理学
  • 7篇电子电信
  • 2篇化学工程
  • 1篇经济管理
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 16篇晶体
  • 15篇碳化硅
  • 11篇单晶
  • 7篇碳化硅单晶
  • 7篇硅单晶
  • 7篇SIC晶体
  • 6篇单晶生长
  • 6篇籽晶
  • 6篇包裹物
  • 4篇致密
  • 4篇石墨
  • 4篇碳膜
  • 4篇晶体质量
  • 3篇受主
  • 3篇退火
  • 3篇欧姆接触
  • 3篇晶体生长
  • 3篇半绝缘
  • 3篇SIC
  • 3篇掺杂

机构

  • 35篇中国科学院
  • 4篇新疆天科合达...
  • 3篇北京天科合达...
  • 1篇有色金属技术...

作者

  • 35篇彭同华
  • 20篇陈小龙
  • 13篇王文军
  • 9篇杨慧
  • 9篇王刚
  • 8篇王皖燕
  • 8篇刘春俊
  • 6篇倪代秦
  • 4篇李龙远
  • 4篇朱丽娜
  • 3篇王波
  • 3篇刘宇
  • 2篇金士锋
  • 2篇娄艳芳
  • 2篇林菁菁
  • 2篇王顺冲
  • 2篇赵宁
  • 2篇胡伯清
  • 2篇李康
  • 2篇贾玉萍

传媒

  • 1篇第14届全国...
  • 1篇第15届全国...
  • 1篇第十七届全国...
  • 1篇中国晶体学会...

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2018
  • 2篇2016
  • 6篇2015
  • 3篇2013
  • 5篇2012
  • 2篇2011
  • 2篇2010
  • 7篇2009
  • 3篇2008
  • 3篇2006
共 35 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
碳化硅晶体制备技术
陈小龙吴星胡伯清李龙远彭同华王皖燕倪代秦鲍慧强张贺刘春俊王波王文军许燕萍朱丽娜
碳化硅(SiC)作为重要的第三代半导体材料，是制作高温、高频、大功率、高压以及抗辐射电子器件的理想材料，在军工、航天、固态照明和电力电子等领域具有重要的应用价值，因此成为全球半导体材料产业的前沿和制高点之一。物理气相传输...
关键词：
关键词：半导体材料
SiC晶体中类似平面六方空洞缺陷研究
SiC作为目前发展最成熟的宽带隙半导体材料,其优异的性能可以满足现代电子技术对高温、高频、高功率、高压以及抗辐射的要求而受到人们越来越多的关注。但SiC晶体生长过程中仍有很多缺陷有待研究,如微管,位错等[1]。在掺N的6...
王波彭同华刘春俊赵宁陈小龙
关键词：SIC单晶掺杂
文献传递
半绝缘碳化硅单晶
公开了一种半绝缘碳化硅单晶，包括本征点缺陷、深能级掺杂剂、本底浅施主和受主杂质；其中所述深能级掺杂剂和本征点缺陷的浓度之和大于浅施主和浅受主杂质浓度之间差值，且所述本征点缺陷的浓度小于深能级掺杂剂的浓度。该半绝缘碳化硅单...
陈小龙刘春俊彭同华李龙远王刚刘宇
文献传递
一种用于生长高质量碳化硅晶体的籽晶托
本发明提供了一种用于物理气相传输法生长高质量碳化硅晶体的籽晶托，该籽晶托包括石墨基底和设置在石墨基底表面上的致密膜层。该致密膜层在高温下稳定而且致密，消除了石墨基底由于多孔性带来的缺陷。由于膜层的致密性，抑制了晶体背面蒸...
陈小龙彭同华杨慧王文军倪代秦王皖燕
文献传递
半绝缘SiC晶体最新研究进展
碳化硅(SiC)是继硅(Si)、砷化镓(GaAs)之后的第三代宽禁带半导体。与Si和GaAs为代表的传统半导体材料相比,SiC在工作温度、抗辐射、耐击穿电压等性能方面具有很大
彭同华鲍慧强刘春俊王波李龙远张贺张玮郭钰王锡铭陈小龙
文献传递
一种无石墨包裹物的导电碳化硅晶体生长工艺
一种无石墨包裹物的导电碳化硅晶体生长工艺，利用氢原子可以在高温下与石墨颗粒反应生成气态的碳氢化合物或碳氢自由基，将石墨颗粒在原料中或从料面到晶体生长面的输运过程中消除，从而生长出无石墨包裹物导电碳化硅晶体；其过程为：将可...
王波彭同华刘春俊赵宁娄艳芳王文军王刚陈小龙
文献传递
一种用于生长高质量碳化硅晶体的籽晶托
本发明提供了一种用于物理气相传输法生长高质量碳化硅晶体的籽晶托，该籽晶托包括石墨基底和设置在石墨基底表面上的致密膜层。该致密膜层在高温下稳定而且致密，消除了石墨基底由于多孔性带来的缺陷。由于膜层的致密性，抑制了晶体背面蒸...
陈小龙彭同华杨慧王文军倪代秦王皖燕
文献传递
碳化硅晶体表面损伤层去除和表面重构
碳化硅(SiC)具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点,是制作高亮度发光二极管、场效应晶体管等器件的理想衬底材料[1]。碳化硅晶片在机械加工过程中会引入损伤,使得晶片表面有序的晶格排列被破坏。而碳化...
郭钰彭同华蔡振立陈小龙
关键词：碳化硅损伤层
一种无石墨包裹物的导电碳化硅晶体生长工艺
一种无石墨包裹物的导电碳化硅晶体生长工艺，利用氢原子可以在高温下与石墨颗粒反应生成气态的碳氢化合物或碳氢自由基，将石墨颗粒在原料中或从料面到晶体生长面的输运过程中消除，从而生长出无石墨包裹物导电碳化硅晶体；其过程为：将可...
王波彭同华刘春俊赵宁娄艳芳王文军王刚陈小龙
文献传递
一种高质量碳化硅晶体生长的方法
本发明公开了一种高质量碳化硅晶体生长的方法，其包括位于高温区的碳化硅原料，位于温度低于原料区的籽晶，以及覆盖于原料之上的一层耐高温化学性能稳定的碳化物粉末层。相比于常规的气相传输法生长碳化硅晶体，本发明不同之处在于碳化硅...
刘春俊彭同华陈小龙王波赵宁
文献传递
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