李喜峰
- 作品数：140 被引量：72H指数：5
- 供职机构：上海大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划上海市科学技术委员会资助项目更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学金属学及工艺更多>>
- 一种靶材成膜装置
- 本发明公开一种靶材成膜装置，涉及靶材成膜技术领域，包括对称设置的基板和靶材，所述靶材远离所述基板的一侧设置有磁体，所述磁体上穿设有旋转轴；所述旋转轴与所述基板的运动方向垂直，且所述旋转轴能够带动所述磁体两端靠近或远离所述...
- 李喜峰杨世博袁雁妤于正航
- 文献传递
- 溶胶凝胶法制备高性能锆铝氧化物作为绝缘层的薄膜晶体管被引量：3
- 2014年
- 本文采用溶胶凝胶法制备了锆掺杂铝氧化物(锆铝氧化物)和铪铟锌氧化物薄膜,并用于制造薄膜晶体管的绝缘层和有源层.锆铝氧化物绝缘层具有较高的介电常数,其相对介电常数为19.67,且薄膜表面光滑,致密,其表面粗糙度仅为0.31 nm.获得的薄膜晶体管具备良好的器件性能,当器件宽长比为5时,器件的饱和迁移率为21.3 cm2/V·s,阈值电压为0.3 V,开关比可以达到4.3×107,亚阈值摆幅仅有0.32 V/dec.
- 高娅娜李喜峰张建华
- 关键词：薄膜晶体管迁移率
- 一种球磨制备纳米级粉体的方法
- 本发明涉及纳米粉体材料技术领域，提供了一种球磨制备纳米级粉体的方法，本发明在球磨过程中使软硬程度不同的磨球对原料进行研磨和搅拌，能明显降低反应活化能、细化晶粒、增强粉体活性、提高烧结能力，最终把微米级的原料粉体粉碎为纳米...
- 李喜峰袁雁妤彭聪张建华陈龙龙姜姝
- 文献传递
- ITO界面调制层对GZO电极LED器件性能的影响被引量：8
- 2012年
- 采用磁控溅射制备GZO和具有ITO界面调控层的GZO(ITO/GZO)透明导电薄膜作为大功率LED的电流扩散层,对比研究界面调控层对LED器件性能的影响。研究结果表明,ITO/GZO薄膜的透过率在可见光区达80%以上,退火后的ITO/GZO薄膜有较低的电阻率(1.15×10-3Ω.cm)。ITO调控层的介入能够调制GZO表面粗糙度,有利于改善LED外量子效率,降低GZO/p-GaN界面的接触势垒,提高LED器件的光电性能。通过ITO界面调控后,LED器件20 mA驱动电流下的工作电压从9.5 V降低为6.8 V,发光强度从245 mcd升到297 mcd,提高了20%;驱动电流为35 mA时,其发光强度从340.5 mcd升到511 mcd,提高了50%。
- 王万晶李喜峰石继峰张建华
- 关键词：LED
- 全透明式立体显示屏的制造工艺
- 本发明涉及一种全透明式立体显示屏的制造工艺。使用透明材料制作成透明的显示屏，可实现显示画面的双面观看；同时，可根据需要，在显示屏的一端加装3D显示偏光棱镜器件，可将2D显示效果转换为3D效果，实现了不同用户2D、3D同机...
- 陈龙龙李喜峰张建华
- 文献传递
- 一种换能器驱动系统及方法
- 本发明公开了一种换能器驱动系统用于驱动换能器工作；所述换能器驱动系统包括信号发生模块、隔离放大模块、逆变模块、阻抗匹配模块、电容分压模块、第一电压采样模块、第二电压采样模块及电流采样模块；信号发生模块输出第一脉冲信号经过...
- 李喜峰张选峰安纯尧苏含玉
- 文献传递
- 一种薄膜晶体管的结构
- 本实用新型的薄膜晶体管结构，自下而上依次有栅极、绝缘层、有源层、在有源层上覆盖有相隔的源电极和漏电极，栅极为“n”型形状，器件沟道的宽度等于“n”型底边的边宽，沟道处源电极和漏电极的宽度大于“n”型底边的宽度，器件沟道的...
- 吕建国张杰李喜峰叶志镇张焱吴萍
- 文献传递
- 薄膜晶体管的制备方法及具有导电孤岛的薄膜晶体管
- 本发明公开一种薄膜晶体管的制备方法，制备方法包括：设置基板，在基板上制备栅极薄膜；对栅极薄膜依次进行涂胶、烘烤、光刻、显影、刻蚀和去胶，形成栅电极；在栅电极上制备绝缘层，并在绝缘层上制备源漏电极层；对源漏电极层依次进行涂...
- 李喜峰杨祥岳致富姜姝许云龙陈龙龙张建华
- 卷对卷柔性衬底光刻方法和装置
- 本发明公开了一种卷对卷柔性衬底光刻方法和装置，通过对曝光紫外线传输路径及曝光方式进行设计，从而实现柔性衬底的光刻，而不需要传统柔性衬底需贴附在玻璃基板上光刻以及工艺最后的衬底剥离等工艺步骤，一方面节省了工艺设备成本，另一...
- 陈龙龙张建华李喜峰张帅黄霏
- 文献传递
- 自对准式TFT有源矩阵的制造方法
- 本发明涉及一种基于微机械加工工艺的自对准式TFT有源矩阵制造方法，该方法采用自对准式方法实现欧姆接触层的制作，从而使TFT有源矩阵的制造工艺难度大幅降低，提高制造成品率。区别于传统的TFT有源矩阵中欧姆接触层的制作方法，...
- 陈龙龙李喜峰张建华
