石继锋
- 作品数：11 被引量：25H指数：3
- 供职机构：上海大学通信与信息工程学院新型显示技术及应用集成教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市科学技术委员会资助项目国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程更多>>
- AgO_x界面插入层对GZO电极LED器件性能的影响
- 2012年
- 采用磁控溅射的方法在p-GaN上制备了GZO透明导电薄膜,通过在p-GaN和GZO界面之间插入AgOx薄层来改善LED器件的接触性能。研究结果表明:氮气退火后,采用界面插入层的AgOx/GZO薄膜电阻率为5.8×10-4Ω.cm,在可见光的透过率超过80%。AgOx界面插入层有效地降低了GZO与p-GaN之间的接触势垒,表现出良好的欧姆接触特性,同时使LED器件的光电性能获得了显著的提高。在50 mA的注入电流下,相比于常规的GZO电极LED器件,AgOx/GZO电极LED器件的正向电压由9.68 V降至6.92 V,而发光强度提高了13.5%。
- 顾文石继锋李喜峰张建华
- 关键词：欧姆接触
- 射频磁控溅射低温制备非晶铟镓锌氧薄膜晶体管被引量：5
- 2012年
- 利用射频磁控溅射技术室温制备了铟镓锌氧(IGZO)薄膜,采用X射线衍射(XRD)表征薄膜的晶体结构,原子力显微镜(AFM)观察其表面形貌,分光光度计测量其透光率。结果表明:室温制备的IGZO薄膜为非晶态且薄膜表面均匀平整,可见光透射率大于80%。将室温制备的IGZO薄膜作为有源层,在低温(<200℃)条件下成功地制备了铟镓锌氧薄膜晶体管(a-IGZO TFT),获得的a-IGZO-TFT器件的场效应迁移率大于6.0 cm2.V-1.s-1,开关比约为107,阈值电压为1.2 V,亚阈值摆幅(S)约为0.9 V/dec,偏压应力测试a-IGZO TFT阈值电压随时间向右漂移。
- 信恩龙李喜峰陈龙龙石继锋李春亚张建华
- 关键词：薄膜晶体管
- 基于柔性PI基底的氧化物IGZO TFT器件工艺及特性研究被引量：9
- 2015年
- 讨论了基于柔性PI基底上的底栅型TFT器件工艺,通过工艺优化解决了双层结构干刻速率不同造成的下切角形状。本文TFT器件是基于氧化物IGZO为有源层,栅绝缘层采用Si3N4/SiO2双层结构,采用两次补偿曝光、干刻方式消除干刻引入的下切角形状,有效解决了薄膜沉积引入的断线风险。实验结果表明,经过SEM断面观察,干刻后双层结构taper角度适合TFT器件后续沉膜条件,柔性基底上制作的TFT器件迁移率达到14.8cm2/(V·s),阈值电压Vth约0.5V,亚域值摆幅SS约0.5V/decade,TFT器件的开关比Ion/Ioff>106。通过此方法制作出的器件性能良好,满足LCD、OLED或电子纸的驱动要求。
- 陈龙龙张建华李喜峰石继锋孙翔
- 关键词：迁移率
- 有机光电显示设计与制造专业技术服务平台
- 张建华张志林朱文清李喜峰曹进张浩路林石继锋李春亚陈龙龙张良李俊王赛陈雪徐峰吴军刘记忠廖英杰张勇靳卫鹏吴晓京李越生黄曜曾伟俞宏坤张昕张兆强黄郁芳
- 公共服务资源：大型工艺设备19台，测试设备20台，网上对外服务.其中：19台加入公共服务研发平台，20台在平台网页公开(30万以下).已形成针对纯水与环境中阴离子的检测能力.服务技术水平与能力1)、申请发明专利43项；制...
- 关键词：
- 关键词：有机发光材料
- 平板显示高精细度图案化工艺和装备关键技术开发及应用
- 张建华周畅曾章和徐兵陈龙龙顾寒昱李喜峰朱岳彬马骏石继锋杨志勇凌志华孙翔李煜芝霍思涛
- 项目所属技术领域：属于电子信息(新型显示、半导体装备)领域。主要内容及特点：基于薄膜晶体管(TFT)技术的新一代平板显示器制造具有制造面积大、精细度高、器件结构复杂的极端制造典型特征。国内已投入巨资发展平板显示产业，但与...
- 关键词：
- 关键词：薄膜晶体管平板显示器
- 栅绝缘层气氛处理对TFT器件特性影响的研究
- 本文研究的目的：基于氧化物IGZO 的底栅TFT 器件电学性能如阈值电压、亚阈值摆幅等易受到工艺成膜条件的影响，会出现阈值电压为负值，不能满足器件驱动的要求，由此生产的氧化物器件会出现电流无法关断或低电压下器件开启的技术...
- 陈龙龙张建华李喜峰石继锋孙翔
- 关键词：阈值电压迁移率IGZO
- 等离子体处理对非晶IGZO柔性薄膜晶体管性能的影响（英文）被引量：1
- 2018年
- 研究了柔性基板上的薄膜晶体管,使用IGZO作为有源层,栅极绝缘层采用NH_3等离子体和N_2O等离子体分别进行处理,研究器件性能变化。结果表明等离子体类型及处理时间对阈值电压、场效应迁移率、开关比、亚阈值摆幅(SS)和偏压稳定性都有影响。TFT器件用NH_3等离子体处理10 s显示出最佳的器件性能,阈值电压达到0.34 V,场效应迁移率为15.97cm^2/Vs,开关比为6.33×107,亚阈值摆幅为0.36 V/dec。提出的柔性IGZO-TFT是下一代柔性显示驱动装置较好选择。
- 陈龙龙孙翔石继锋
- 关键词：薄膜晶体管等离子体处理
- 大π共轭分子四苯基二苯并荧蒽及二茚并苝的有机光电器件研究进展被引量：1
- 2020年
- 近年来,有机半导体的开发及应用推动了有机光电器件的迅速发展。其中小分子半导体器件相比聚合物半导体器件具有更好的重现性和可控性,制备工艺更多样化,界面调控更简单且机理更清晰。然而,小分子半导体在成膜设备和成膜工艺方面要求相对更高,尤其是工艺参数对膜中分子聚集态和取向性有显著影响。目前,小分子半导体材料存在的不足在于:(1)常规制备工艺难以获得分子排列高度有序的薄膜;(2)可同时蒸镀和溶液加工的小分子半导体相对缺乏;(3)光吸收范围相对较窄且激子扩散长度较短。2009年首次报道的二萘嵌苯类小分子半导体四苯基二苯并荧蒽(Tetraphenyldibenzoperiflanthene,DBP)及其衍生物二茚并苝(Diindeno-perylene,DIP)凭借优异的光电性能,如DBP在可见光区强吸收、双极传输特性、高空穴迁移率、强水平分子取向趋势、高光/热稳定性以及DIP的双极传输特性、垂直分子取向和高结晶性等,引起了越来越多的关注。近年来,研究者们主要从设备改造、制备工艺、器件结构和材料匹配等方面进行尝试,不断提升基于DBP和DIP的有机光电器件的性能。DBP和DIP在有机光伏电池、有机发光二极管、有机晶体管中被有效应用。主要通过热退火和溶剂蒸气退火工艺提升DBP光伏电池的光电流、填充因子,并将DBP作为受体匹配合适的给体或将DBP与非富勒烯受体匹配后获得更高的开路电压。在基于DBP的有机发光二极管和有机场效应晶体管方面,主要研究了器件性能与缓冲层传输特性、发光层结构、基板温度和沟道长度等之间的关联性。关于DIP薄膜,近几年的研究工作将角度倾斜沉积、温度控制、退火工艺、分子模板等手段引入到薄膜分子取向调控中。并利用DIP的双极传输制备了基于DIP给体或DIP受体的光伏电池,获得了较高的电池效率(5.8%)。此外,通过易结晶的DIP诱导其
- 余俊乐郑燕琼唐杰杨芳王超魏斌魏斌李喜峰
- 关键词：DBP有机光伏电池
- 基于柔性PI垫底的氧化物IGZO TFT器件工艺及特性研究
- 本文讨论了基于柔性PI垫底上的底栅结构TFT器件工艺,TFT器件是基于氧化物IGZO为有源层,栅绝缘层采用SiNx/SiOx双层结构,通过工艺改进解决了双层结构干刻速率不同造成的下切角形状,有效解决了薄膜沉积带入的断线风...
- 陈龙龙李喜峰石继锋孙翔张建华
- 文献传递
- 薄膜厚度对GZO透明导电膜及其LED器件性能的影响被引量：1
- 2013年
- 采用射频磁控溅射的方法制备了GZO透明导电薄膜,通过原子力显微镜(AFM)、X射线衍射仪(XRD)、霍尔效应测试仪及紫外-可见光分光光度计等手段研究了厚度对于GZO薄膜性能的影响,并制备了相应的LED器件。实验结果表明:随着薄膜厚度增加,薄膜结晶质量提高,薄膜的电阻率也随之降低。当厚度为500 nm时,薄膜的电阻率最低为2.79×10-4Ω.cm,同时其在460 nm蓝光区域的光透过率高达97.9%。对所制备的以GZO薄膜为透明电极的LED器件进行了测试分析,发现GZO薄膜厚度对LED的正向电压影响不大,但对LED芯片的出光效率有较大影响。
- 顾文徐韬石继锋李喜峰张建华
- 关键词：GZO透过率透明导电氧化物
