林岳明
- 作品数：4 被引量：4H指数：1
- 供职机构：扬州大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：江苏省科技厅基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 大功率ODRLED性能研究
- 在现有工艺条件下通过简单工艺实现大功率GaN基多量子阱ODRLED的研制,并对试制LED样品进行了光学、电学和色参数三个方面性能测试.测试结果发现,ODR外延片比普通外延片的光强提高了244 mcd,极大提高了发光强度；...
- 董雅娟张俊兵金豫浙林岳明陈海涛曾祥华
- 关键词：发光二极管ODR大功率GAN
- AlGaInP LED出光效率的模拟被引量：3
- 2009年
- 采用有限元法来模拟研究采用透明电极AlGaInP LED出光效率的影响因素和分布情况,并在此基础上对不透明电极进行优化以提高芯片的出光效率。研究发现,随着窗口层厚度的增加,顶面出光效率有所下降,侧面出光效率大大提高,总出光效率呈上升趋势,且总出光效率的最高分布区从芯片的四个直角区域向中央圆形电极边缘靠近。然而,随着芯片尺寸的增加,其变化趋势正好与之相反。在此基础上进一步对普通生产芯片进行模拟分析,得知其光提取效率最高区主要分布在芯片的四个直角区域,并以此为指导进行不透明电极形状的优化,进而对其条形电极的宽度进行优化,可使所获得的出光效率比传统圆形电极提高了62.85%,能够为实际生产提供一定的理论指导。
- 林岳明张俊兵曾祥华
- 关键词：ALGAINPLED出光效率有限元法
- CdS的电子结构和光学性质被引量：1
- 2008年
- 根据密度泛函理论体系下的平面波赝势(PW P)和广义梯度近似(GGA)方法,利用第一性原理对CdS晶体闪锌矿结构进行研究计算,得到其平衡晶格常数、电子态密度分布、能带结构、光吸收系数等性质,详细讨论其电子结构,并且结合实验结果定性分析了半导体CdS的光学性质.
- 林岳明季正华曾祥华
- 关键词：闪锌矿结构态密度密度泛函理论
- GaN-LED芯片上ITO膜侧蚀异常的改善
- 2009年
- 氧化铟锡(ITO)对可见光具有高透过率及高电导率,常当作透明电极被广泛应用于发光元件上。使用合金的热处理方式,探讨了ITO经热处理后对刻蚀的影响。用电子束蒸镀机在GaN外延片上蒸镀一层ITO膜,用wIn2O3∶wSnO2=0.95∶0.05的ITO锭做靶材,然后把每个外延片切成两半,其中一半在氮气氛中合金,另一半不做合金,然后所有的半圆片去做光刻,最后刻蚀ITO,去胶测量图中圆形(电极直径)的尺寸并比较侧蚀量的大小,发现合金后刻蚀ITO比不合金直接刻蚀ITO要好。
- 林岳明韩买兴曾祥华
- 关键词：刻蚀外延片
