张俊兵
- 作品数：9 被引量：24H指数：3
- 供职机构：扬州大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：江苏省科技厅基金江苏省高技术研究计划项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 电极形状对GaN基发光二极管芯片性能的影响被引量：2
- 2010年
- 采用Crosslight APSYS这一行业专业软件对p-GaN,InGaN/InGaN多量子阱,n-GaN和蓝宝石的芯片结构研究了不同电极形状与器件的光电性能之间的关系.优化设计了普通指形电极、对称型指形电极、h形指形电极、旋转形电极、中心环绕形电极、树形电极等6种电极结构.通过电极优化设计,电流分布更加均匀,减小了电流的聚集效应.优化后的电极结构结果表明:芯片的电特性得到了提高,芯片的光特性得到了明显改善,芯片的出光效率大幅度提高,芯片的转化效率得到了提升.
- 宋雪云张俊兵曾祥华董雅娟
- 关键词：光电性能
- 大功率全方位反射镜发光二极管性能研究
- 2011年
- 在现有工艺条件下通过简单工艺实现大功率GaN基多量子阱全方位反射镜(ODR)发光二极管(LED)的研制,并对试制LED样品进行了光学、电学和色参数三个方面性能测试.测试结果发现,ODR芯片比普通芯片的光强提高了244mcd,极大提高了发光强度;ODRLED光通量、光效、色纯度比普通LED分别提高了6.04%,5.74%,78.64%.ODRLED具有绝对优势是其色温要比普通LED的色温低1804K,明显改善大功率LED的色温缺陷.
- 董雅娟张俊兵陈海涛曾祥华
- 关键词：发光二极管ODR
- 大功率ODRLED性能研究
- 在现有工艺条件下通过简单工艺实现大功率GaN基多量子阱ODRLED的研制,并对试制LED样品进行了光学、电学和色参数三个方面性能测试.测试结果发现,ODR外延片比普通外延片的光强提高了244 mcd,极大提高了发光强度；...
- 董雅娟张俊兵金豫浙林岳明陈海涛曾祥华
- 关键词：发光二极管ODR大功率GAN
- 不同电极形状GaN基蓝光LED的γ辐照效应
- 2013年
- 通过γ辐照和电流加速老化的方法研究环形、旋转形、中心环绕形、树形等4种电极芯片的抗辐射性能.结果表明:与环形电极相比,3种新型电极的抗辐射性能较好;随着辐照剂量的增加,环形电极的工作电压明显高于3种新型电极,而且辐照后环形电极的主波长和峰值波长红移现象明显,光通量和发光效率衰减更加明显;老化实验得知γ辐照后新型电极的寿命优于环形电极;通过对发光二极管(LED)芯片的电极进行优化,不仅可以减少电流的拥挤效应,而且可提升芯片的抗辐射性能,延长LED器件的使用寿命.
- 王秀茜卢俊峰董雅娟张俊兵宋雪云曾祥华
- 关键词：GAN基发光二极管Γ辐射
- AlGaInP LED出光效率的模拟被引量：3
- 2009年
- 采用有限元法来模拟研究采用透明电极AlGaInP LED出光效率的影响因素和分布情况,并在此基础上对不透明电极进行优化以提高芯片的出光效率。研究发现,随着窗口层厚度的增加,顶面出光效率有所下降,侧面出光效率大大提高,总出光效率呈上升趋势,且总出光效率的最高分布区从芯片的四个直角区域向中央圆形电极边缘靠近。然而,随着芯片尺寸的增加,其变化趋势正好与之相反。在此基础上进一步对普通生产芯片进行模拟分析,得知其光提取效率最高区主要分布在芯片的四个直角区域,并以此为指导进行不透明电极形状的优化,进而对其条形电极的宽度进行优化,可使所获得的出光效率比传统圆形电极提高了62.85%,能够为实际生产提供一定的理论指导。
- 林岳明张俊兵曾祥华
- 关键词：ALGAINPLED出光效率有限元法
- 图形蓝宝石衬底GaN基发光二极管的研制被引量：12
- 2010年
- 采用抗刻蚀性光刻胶作为掩膜,并利用光刻技术制作周期性结构,进行ICP干法刻蚀C面(0001)蓝宝石制作图形蓝宝石衬底(PSS);然后,在PSS上进行MOCVD制作GaN基发光二极管(LED)外延片;最终,进行芯片制造和测试。PSS的基本结构为圆孔,直径为3μm,间隔为2μm,深度为864 nm,呈六角形分布。与同批生长的普通蓝宝石衬底(CSS)GaN基LED芯片相比,PSS芯片的光强和光通量比CSS分别提高57.32%和28.33%(20 mA),并可减小芯片的反向漏电流,且未影响芯片的波长分布和电压特性。
- 张俊兵林岳明范玉佩王书昶曾祥华
- 关键词：光提取效率ICP
- GaN基不同电极形状的LED性能比较被引量：3
- 2011年
- 对前期工作中使用Crosslight APSYS软件模拟的6种优化电极的GaN基InGaN/GaN多量子阱蓝光LED芯片进行试制并测试分析,将实验结果与软件模拟结果进行比较,并进行可靠性分析。结果表明,优化电极的实验结果和软件模拟结果基本吻合,优化电极的光学、电学等特性的确有明显改善,芯片出光效率也有提升。对称型指形在光通量、光效和电压(电流为20 mA)等方面在这6种电极中最优;旋转形电极的寿命在预测中最高,为37 000 h,对称型指形位居第二;老化对优化电极的影响与未优化电极相差不多,所以综合考虑,对称型指形的性能最优。
- 董雅娟张俊兵林岳明金豫浙王书昶曾祥华
- 关键词：GAN发光二极管光电性能
- AlGaInP LED电极形状的优化被引量：10
- 2008年
- 利用有限元法模拟研究四元AlGaInP LED电极形状对电流扩展层GaP中电流分布的影响,通过优化电极形状获得较为均匀分布的电流,以此提高芯片的出光效率和提升产品品质.在MATLAB计算平台上建立3D载流子输运模型及芯片顶面的光出射模型,比较了传统圆形、十字形、箭形、花形及万字形电极等五种电极形状,研究发现万字形电极的芯片顶面出光效率最高.进而对其条形电极的宽度进行进一步优化,可获得的出光效率为传统圆形电极的2.7倍,能够为实际生产提供一定的理论指导.
- 张俊兵林岳明柏林曾祥华
- 关键词：出光效率电流扩展有限元法
- 用于高亮LED的Si键合研究
- 2010年
- 在Si和外延层之间使用一层薄金属层作为高效反射镜的所谓"镜面衬底",不但有助于提高芯片的出光效率,同时把键合温度降低到300℃以下。利用Au/In合金的方法,来实现用于高亮LED的Si片与AlGaInP四元外延片的键合。实验表明,在温度为250℃时,利用Au/In作为焊料,Si片与AlGaInP四元外延片可以实现比较好的键合,键合面可以达到60%。通过研磨减薄、X-ray测试和扫描电镜(SEM)测试得出键合面的界面特性,通过能谱分析得出键合面的物质分别为AuIn2和AuIn,实验测试得出此时Au的原子数占33.31%,In的原子数占36.64%。
- 王书昶林岳明李伙全刘剑霜张俊兵金豫浙曾祥华
- 关键词：发光二极管
