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熊伟

作品数:7 被引量:60H指数:3
供职机构:广东工业大学更多>>
发文基金:广东省科技攻关计划教育部留学回国人员科研启动基金广东省自然科学基金更多>>
相关领域:金属学及工艺电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇电子电信

主题

  • 5篇抛光
  • 5篇抛光垫
  • 3篇导轨
  • 3篇修整器
  • 3篇修整装置
  • 3篇抛光机
  • 3篇自锁螺母
  • 3篇化学机械抛光
  • 3篇机械抛光
  • 2篇修整
  • 1篇线切割
  • 1篇接触应力
  • 1篇金刚石
  • 1篇金刚石工具
  • 1篇晶片
  • 1篇聚氨酯
  • 1篇刚石
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体晶片
  • 1篇材料去除率

机构

  • 7篇广东工业大学

作者

  • 7篇熊伟
  • 6篇魏昕
  • 5篇袁慧
  • 3篇胡伟
  • 2篇黄蕊慰
  • 1篇杜宏伟
  • 1篇解振华

传媒

  • 2篇金刚石与磨料...
  • 1篇全国生产工程...

年份

  • 1篇2010
  • 1篇2007
  • 2篇2006
  • 3篇2004
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
化学机械抛光机理的建模分析
本文主要综述了化学机械抛光(ChemicalMechanicalPolishing,简称CMP)过程的运动轨迹、接触应力场、材料去除率的几种有代表性的模型,分析了各种模型的优缺点及应用场合,并分析了影响化学机械抛光过程的...
魏昕熊伟袁慧杜宏伟
关键词:化学机械抛光接触应力材料去除率
半导体晶片的金刚石工具切割技术被引量:22
2004年
晶片切割是半导体加工的重要工序,它直接影响到晶片的成本、质量以及各种性能。目前,晶片切割主要的方法有金刚石内圆切割和线切割。本文详细介绍了内圆切割和线切割系统的特点、存在的主要问题及其改进方法。内圆切割具有切片精度高、径向和晶片厚度方向调整方便、加工成本低等优点,改进装刀方法,提高刀片的安装精度,可刀片受力均匀,有效减小锯切损伤程度。线切割是最新发展的一种晶片加工方法,具有多片切割效率高、损伤层厚度小等优点,在大直径(Φ≥200mm)薄(厚度≤0.3mm)晶片的加工中有着广泛的应用前景。提高切割线的刚度,减小线的横向振动,可提高线切割精度和切割线的利用率。
解振华魏昕黄蕊慰熊伟
关键词:半导体晶片线切割金刚石工具
化学机械抛光中抛光垫的作用研究
目前化学机械抛光广泛应用于衬底晶片和多层布线的层间平坦化加工中。抛光垫是化学机械抛光(CMP)系统的重要组成部分,具有贮存抛光液,并把它均匀运送到工件的整个加工区域等作用。抛光垫的性能主要由抛光垫的材料性能、表面结构与状...
熊伟
关键词:化学机械抛光抛光垫修整
文献传递
抛光垫修整装置及修整方法
本发明公开了一种抛光垫修整装置及修整方法,该装置利用双头抛光机上立柱安装孔固定在抛光机上,修整装置的支撑主体采用框架结构,支撑主体的横梁上水平安装驱动电机、导轨,安装在导轨内的滚动丝杠通过联轴器与驱动电机相连;滑块安装在...
魏昕熊伟袁慧胡伟
文献传递
抛光垫修整装置及修整方法
本发明公开了一种抛光垫修整装置及修整方法,该装置利用双头抛光机上立柱安装孔固定在抛光机上,修整装置的支撑主体采用框架结构,支撑主体的横梁上水平安装驱动电机、导轨,安装在导轨内的滚动丝杠通过联轴器与驱动电机相连;滑块安装在...
魏昕熊伟袁慧胡伟
文献传递
化学机械抛光中抛光垫的研究被引量:31
2004年
抛光垫是化学机械抛光 (CMP)系统的重要组成部分。它具有贮存抛光液 ,并把它均匀运送到工件的整个加工区域等作用。抛光垫的性能主要由抛光垫的材料种类、材料性能、表面结构与状态以及修整参数等决定。本文介绍CMP过程常用的抛光垫材料种类、材料性能、表面结构 ,总结了抛光垫的性能对CMP过程影响规律 ,认为 :抛光垫的剪切模量或增大抛光垫的可压缩性 ,CMP过程材料去除率增大 ;采用表面合理开槽的抛光垫 ,可提高材料去除率 ,降低晶片表面的不均匀性 ;抛光垫粗糙的表面有利于提高材料去除率。对抛光垫进行适当的修整可以增加抛光垫表面粗糙度、使材料去除率趋于一致。与离线修整相比较 。
魏昕熊伟黄蕊慰袁慧
关键词:化学机械抛光抛光垫聚氨酯修整
抛光垫修整装置
本实用新型公开了一种抛光垫修整装置,该装置利用双头抛光机上立柱安装孔固定在抛光机上,修整装置的支撑主体采用框架结构,支撑主体的横梁上水平安装驱动电机、导轨,安装在导轨内的滚动丝杠通过联轴器与驱动电机相连;滑块安装在垂直方...
魏昕熊伟袁慧胡伟
文献传递
共1页<1>
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