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石凯

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇专利

领域

  • 3篇自动化与计算...

主题

  • 2篇存储器
  • 2篇存储器件
  • 2篇FLASH
  • 1篇电火花
  • 1篇电离
  • 1篇电流
  • 1篇电路
  • 1篇易燃气体
  • 1篇载流子
  • 1篇只读存储器
  • 1篇碰撞电离
  • 1篇偏置
  • 1篇气体
  • 1篇热载流子
  • 1篇组件
  • 1篇阈值电流
  • 1篇温度
  • 1篇温度控制
  • 1篇温度控制装置
  • 1篇耐久

机构

  • 4篇北京大学

作者

  • 4篇石凯
  • 2篇许铭真
  • 2篇谭长华
  • 1篇李恩敬
  • 1篇张志强
  • 1篇刘雪蕾

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇中国集成电路

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2007
  • 2篇2006
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
冰箱温度控制装置
本实用新型公开了一种冰箱温度控制装置，该温度控制装置仅将感测冰箱温度的传感器留在冰箱体内，而将温度控制组件部分移至冰箱体外，这样既能够有效控制冰箱内的温度，又可避免机械温控产生的电火花，防止与易燃气体接触后发生爆炸。
刘雪蕾吕明泉李恩敬张志强石凯
文献传递
用“阈值电流”评估FLASH存储器件可靠性
2006年
本文针对小功率、低功耗的FLASH存储器件“小阈值电压窗口”的特点,提出了用“阈值电流”作为读取位线的参考电流。研究了“大阈值电压窗口”的ETOXTMFLASH和“小阈值电压窗口”的SONOSFLASH存储器件读取电流和阈值电流的退化,论证了用阈值电流对各种阈值电压窗口的FLASH器件读取性能可靠性进行评估的可行性。
石凯许铭真谭长华
关键词：FLASH阈值电流存储器件SONOS参考电流
衬底负偏置对FLASH器件耐久性退化的影响
2006年
研究了ETOXTM结构FLASHmemory单元器件在VFG≈VD/2的热载流子写入应力条件下,衬底负偏置对单元器件耐久性退化的影响.结果表明:在既定的栅、漏偏置条件下,随着衬底负偏置的增加,器件耐久性退化会出现极小值.综合考虑了器件耐久性退化以及写入效率两方面的要求以后,确定了在VFG≈VD/2热载流子写入应力模式下,FLASHmemory单元器件具有增强写入效率以及最小耐久性退化的最佳衬底负偏置条件.
石凯许铭真谭长华
关键词：FLASHMEMORY热载流子耐久性碰撞电离
Flash EEPROM器件可靠性研究
当前集成电路生产领域中，器件的特征尺寸已经减小到45nm(Intel多核心CPU)，各种器件工艺尺寸亦随之减小。然而由于器件工作电压与器件特征尺寸等比例缩小之间所存在的矛盾，小尺寸器件都面临着高电场效应所带来的种种可靠性...
石凯
关键词：集成电路只读存储器存储器件
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