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GaN MOCVD生长速率及表面形貌随生长工艺参数的变化: 本工作根据现有GaN 金属有机物化学气相淀积(Metalorganic Chemical Vapor Deposition，MOCVD)生长动力学理论，结合具体的MOCVD 反应腔体的构造，用计算流体力学和动力学蒙特卡罗...; 符凯张禹陈敦军韩平谢自力王荣华张荣郑有炓; 关键词：金属有机物化学气相淀积生长速率表面形貌氮化镓薄膜; 文献传递

InxGa1-xN合金薄膜In的表面分凝现象被引量：1: 2006年; 用MOCVD方法在α-Al2O3(0001)衬底上外延生长了InxGa1-xN合金薄膜.测量结果显示:所制备的InxGa1-xN样品中In的组分随外延生长温度而改变,生长温度由620℃升高到740℃,In的组分由0.72降低到0.27.这是由于衬底温度越高,In进入InxGa1-xN薄膜而成键的效率越低.样品的X射线衍射谱和X射线光电子能谱均显示:在生长温度为620℃和690℃时所生长的InxGa1-xN样品中均存在明显的In的表面分凝现象;而生长温度升至740℃时所得到的InxGa1-xN样品中,In的表面分凝现象得到了有效抑制.保持生长温度不变而将反应气体的Ⅴ/Ⅲ比从14000增加到38000,In的表面分凝现象也明显减弱.由此可以认为,较高的生长温度使得In原子的表面迁移能力增强,In原子从InxGa1-xN表面解吸附的几率增大,而较高的Ⅴ/Ⅲ比则能增加N与In成键几率,从而有利于抑制In的表面分凝.; 刘成祥谢自力韩平刘斌李亮符凯周建军叶建东文博王荣华张禹陈敦军江若琏顾书林施毅张荣郑有炓

Ⅲ族氮化物MOCVD生长的数值模拟: 以氮化镓(GaN)为代表的Ⅲ族氮化物是当代最重要的半导体材料，它在全彩显示、半导体照明、军事、数字化存储等领域有着重要的用途。GaN材料的制备主要是采用MOCVD(Metalorganic Chemical Vapor ...; 符凯; 关键词：MOCVD生长数值模拟半导体材料 GAN材料

Si1-xGex:C缓冲层上Ge薄膜的CVD外延生长被引量：3: 2006年; 用化学气相沉积方法,在Si(100)衬底上生长Si1xGex:C合金作为缓冲层,继而外延生长了Ge晶体薄膜.根据AES测量结果可以认为,缓冲层包括由衬底中的Si原子扩散至表面与GeH4,C2H4反应而生成的Si1-xGex:C外延层和由Si1-xGex:C外延层中Ge原子向衬底方向扩散而形成的Si1-xGex层.缓冲层上外延所得Ge晶体薄膜晶体取向较为单一,其厚度超过在Si上直接外延Ge薄膜的临界厚度,且薄膜中的电子迁移率与同等掺杂浓度(1.0×1019 cm-3)的体Ge材料的电子迁移率相当.; 王荣华韩平夏冬梅李志兵韩甜甜刘成祥符凯谢自力修向前朱顺明顾书林施毅张荣郑有炓; 关键词：化学气相淀积

GaN MOCVD生长速率及表面形貌随生长参数的变化被引量：4: 2008年; 根据现有氮化镓（GaN）金属有机物化学气相淀积（Metalorganic Chemical Vapor Deposition）生长动力学理论,结合具体的MOCVD反应腔体的构造,用计算流体力学和动力学蒙特卡罗方法对GaN MOCVD生长过程中的生长速率和表面形貌演变进行了计算机模拟。结果表明,在950-1350 K的温度范围内反应气体充分热分解,是适合GaN外延生长的温度区间;温度低于950 K,反应气体未能充分地分解,导致较低的生长速率;而温度高于1350 K则Ga组分的脱附现象开始变得严重,从而抑制GaN的生长速率。另一方面,较高的V/III也会抑制GaN的生长速率。生长过程中表面形貌随时间的演变结果显示,GaN薄膜在高温下（1073~1473 K）为2D层状生长,在1373 K的温度下生长的GaN薄膜表面最为平整。; 符凯张禹陈敦军韩平谢自力张荣; 关键词：氮化镓计算流体力学

AlN/S i(100)上CVD SiC薄膜的光致发光谱被引量：2: 2005年; 本工作用化学气相淀积方法在A lN/S i(100)复合衬底上生长S iC薄膜。外延生长过程中,采用C4H4和S iH4作为反应气源,H2作为载气。样品的X-射线衍射谱和拉曼散射谱显示,所得到的外延层为六角对称的S iC薄膜。俄歇电子能谱及X-射线光电子能谱的测量结果表明,在外延膜中存在来自衬底的A l和N元素。样品的光致发光测量显示,所有的样品均可在室温下观察到位于3.03 eV和3.17 eV处的发光峰,这分别相应于4H-S iC能带中电子从导带到A l受主能级之间的辐射跃迁和电子从N施主能级到价带之间的辐射跃迁,从而表明所得的外延薄膜的多形体为4H-S iC。; 秦臻韩平韩甜甜鄢波李志兵谢自力朱顺明符凯刘成祥王荣华李云菲S.XuN.Jiang顾书林张荣郑有炓; 关键词：CVD 光致发光

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符凯