范晓丽
- 作品数：22 被引量：45H指数：4
- 供职机构：西北工业大学材料学院凝固技术国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金高等学校学科创新引智计划陕西省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术金属学及工艺自动化与计算机技术更多>>
- 一种基于同质结摩尔纹尺寸预测界面摩擦系数的方法
- 本发明提供了一种基于同质结摩尔纹尺寸预测界面摩擦系数的方法，该方法采用建模软件构建公度接触的二维双层同质结模型，进行不同角度的扭转，提取出所形成的摩尔纹结构单胞，将其转换为分子动力学模拟软件可识别的模型；选取能反映二维双...
- 范晓丽周峰阮晓鹏王晓梅李璨
- 文献传递
- 一个整体 多个层次 协同创新--材料基因组计划研究进展论坛侧记
- 2014年
- 2014年9月21日，“2014新材料国际屜趋势高层论坛——材料基因组计划研究进展论坛”（以下简称材料基因组分论坛）在西安都市之门一楼多功能厅如期举行，300余人的会场座无虚席。材料基因组分论坛由中国工程院化工、冶金与材料工程学部和中国材料研究学会主办。
- 范晓丽
- 关键词：基因组计划
- CuBiI三元化合物晶体结构预测及光电性能第一性原理研究
- 2021年
- 作为潜在的新型光电材料,三元金属卤化物一直以来广受关注.本文通过基于遗传算法的晶体结构预测软件USPEX,对三元CuBiI化合物(CuBi_(2)I_(7),Cu_(2)BiI_(5),Cu_(2)BiI_(7),Cu_(3)BiI_(6),Cu_(3)Bi_(2)I_(9),CuBi_(3)I_(10),Cu_(4)BiI_(7))在常压、绝对零度下的稳定晶体结构进行了全局搜索.采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,计算了所发现结构的形成能、弹性系数和声子色散谱,确定了12个具有良好的热力学、弹性力学及晶格动力学稳定性的CuBiI化合物结构.这12个潜在稳定结构的理论带隙为1.13—3.09 eV,其中CuBi_(2)I_(7),Cu_(2)BiI_(5),Cu_(2)BiI_(7)和Cu_(4)BiI_(7)在可见光区域表现出极强的光吸收能力(光吸收系数高于4×10^(5) cm^(–1)),光电转换效率最高可达31.63%.计算结果表明三元金属卤化物CuBiI具有成为高性能太阳能电池吸收层材料的潜力.
- 王兰程思远曾航航谢聪伟龚元昊郑植范晓丽
- 关键词：第一性原理光电转换效率
- 一种采用晶体相场方法模拟加热工艺对晶界预熔及熔化影响的方法
- 本发明涉及一种采用晶体相场方法模拟加热工艺对晶界预熔及熔化影响的方法，属于晶体模拟技术领域。具体包括以下步骤：(1)建立晶体相场模型：晶体相场模型基于传统相场方法的思想构建，将周期性函数形式引入模型中，序参量采用具有周期...
- 卢艳丽陈铮王永欣牧虹张静范晓丽张刘超胡婷婷贾德伟
- 文献传递
- 不同覆盖度下丙硫醇在Au(111)面吸附的理论研究被引量：2
- 2013年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理方法研究了丙烷硫醇(C3H7SH)在Au(111)面五种覆盖度(1/16,2/16,3/16,4/16,1/3)下的未解离和解离吸附的结构、能量和吸附性质.发现丙烷硫醇的倾斜角和吸附能均受覆盖度影响,计算结果显示丙烷硫醇的倾斜角随着覆盖度的增大减小了6—10,吸附能随覆盖度的增大减小了0.21 eV.特别针对饱和覆盖度,研究了三种可能的表面结构:(2√3×2√3)R30,2√3×3和(3×3).发现S—H键未解离时三种表面结构的吸附构型和吸附能基本一致;S—H键解离后,(2√3×2√3)R30和2√3×3结构的吸附能比以(3×3)结构的吸附能约高0.05—0.07 eV,说明C3H7S在Au(111)面吸附时,倾向于形成(2√3×2√3)R30和2√3×3结构.此外,采用DFT-D2方法对饱和覆盖度下C3H7SH分子在Au(111)面的吸附进行了范德华修正,结果显示分子间相互作用使吸附物和Au表面的距离减小,该相互作用对吸附能的修正值为0.53 eV,修正后结果与实验结果接近.
- 冉润欣范晓丽杨永良方小亮
- 关键词：第一性原理覆盖度范德华力
- 一种基于Voronoi镶嵌法的可控纳米梯度多晶材料建模方法
- 本发明提出一种基于Voronoi镶嵌法的可控纳米梯度多晶材料建模方法，首先，根据用户需要的梯度方向、晶粒尺寸、晶粒层数等参数，初始化生成完美立方体的盒子模型，并保存各完美立方体晶粒的中心坐标；然后，将梯度方向的一维坐标和...
- 史俊勤江宇轩王钧义范晓丽
- Ni-Al-V合金中异相界面成分及其演化的微观相场模拟被引量：3
- 2012年
- 基于微观相场模型模拟Ni-Al-V合金沉淀过程,研究合金中有序无序界面和异相间有序畴界的成分及其演化。研究表明,合金元素的偏聚和贫化与界面类型有关。在DO22相与无序相间的有序无序界面处,Ni和Al偏聚,V贫化;在L12相与无序相间的有序无序界面处,Ni和Al贫化,V偏聚;在异相间有序畴界处,V在界面的DO22相一侧贫化,在界面的L12相一侧偏聚;Al则在界面的DO22相一侧偏聚,在界面的L12相一侧贫化。Ni的成分分布与界面的形成方式有关。随着时间的进行,界面处合金元素的成分分布变得更加明锐,但合金元素的偏聚和贫化倾向不变。
- 张明义杨坤陈铮王永欣范晓丽
- 关键词：微观相场
- 乙炔和乙烯分子在Ge(001)表面吸附的第一性原理研究被引量：1
- 2010年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理方法和平板模型研究了乙炔和乙烯分子在Ge(001)表面的吸附构型和电子结构.通过系统考察一系列可能存在的吸附方式,结果表明,在0.5monolayer(ML)覆盖度时,两种分子的di-σ吸附构型最为稳定;在覆盖度为1.0ML时的最稳定吸附方式是pairedend-bridge构型.能带结构分析结果可知,吸附构型以及吸附分子的覆盖度均对Ge(001)表面带隙有较大影响,其原因在于费米能级附近的能带主要来自表面二聚体的Ge原子,它们与表面Ge原子的配位环境密切相关,而后者又取决于分子的吸附方式和覆盖度.对于相同的吸附方式,乙烯和乙炔分子具有类似的吸附行为和电子结构.此外,还进一步与Si(001)表面的研究结果进行对比.
- 范晓丽闵家祥孙承才池琼程千忠
- 关键词：密度泛函理论
- Au(111)面甲烷硫醇吸附的密度泛函理论研究被引量：7
- 2011年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理方法和平板模型研究了CH3SH分子在Au(111)表面的吸附构型和电子结构.系统地计算了S原子在不同位置以不同方式吸附的系列构型,计算结果表明,CH3SH分子倾向于吸附在top位上,S—C键相对于Au表面法线的夹角为62°～78°;而S—H键断裂后CH3S_H则倾向于吸附在bri-fcc位上,S—C键相对于Au(111)表面法线的夹角为49°～57°.比较分析CH3SH分子和CH3S_H的吸附,发现CH3SH分子倾向于不解离吸附,表面温度的提升和缺陷的出现可能促使S—H键的断裂.通过比较S原子在独立的CH3SH分子和吸附状态下的局域态密度,发现S—H键断裂后S原子和表面的键合强于S—H键未断裂时S原子和表面的键合.扫描隧道显微镜(STM)图像模拟显示了CH3SH和CH3S_H在Au(111)表面吸附的3个典型的STM图像.
- 闵家祥范晓丽程千忠池琼
- 关键词：密度泛函理论AU(111)表面电子态密度STM图像
- 高通量计算二维材料界面摩擦
- 2023年
- 建立了基于第一性原理方法研究二维材料界面摩擦的高通量计算程序,该程序实现了自动化批量建模、批量提交任务、多任务并发计算,以及计算结果自动收集、处理和图像绘制,使用该程序可以节省时间.采用此程序计算了不同层间距离下双层氮化硼和双层石墨烯的滑移势能面,及层间界面摩擦力和摩擦系数.研究发现,随着层间距离减小,双层氮化硼界面的平均摩擦力近似线性增大,摩擦系数为0.11—0.17,双层石墨烯界面摩擦力先增大后减小再增大,其摩擦系数在12 nN载荷下达到最小值(0.014),这些结果与已有研究结果一致,验证了该计算程序的可靠性.此外还研究了表面氢化和氟化对双层氮化硼界面摩擦的影响,发现氟化氮化硼/氮化硼界面的摩擦系数更低.
- 崔子纯杨莫涵阮晓鹏范晓丽周峰周峰
- 关键词：第一性原理方法势能面
