赵增林
- 作品数：27 被引量：34H指数：3
- 供职机构：昆明物理研究所更多>>
- 发文基金：云南省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学核科学技术更多>>
- 压力引起的CdZnTe(111)表面局部形变被引量：1
- 2005年
- 本文报道了在碲锌镉(CZT)晶片(111)Cd面上发现的等边三角形和四边形形变,并在CZT(111)面上做了压力实验。结果表明我们所发现的多边形是碲锌镉在压应力作用下产生的,不仅可以在(111)Cd面出现,也可以在(1 11)Te面出现。文中从经典的晶体范性形变理论和面心立方闪锌矿结构晶体所具有的滑移特性出发,阐明了出现在CZT(111)Cd面的多边形的形成机理,其内角必为60°或120°。并对磨抛工艺提出了改进意见。
- 胡赞东赵增林张朋举姬荣斌
- 关键词：碲锌镉滑移线
- CdZnTe晶片中沉积相分布特性的研究被引量：3
- 2007年
- 利用红外显微镜分别对富Cd和富Te配料生长的两组碲锌镉晶片的沉积相进行观察,对观察结果做统计分析,发现两组晶片中的沉积相在形状和分布情况方面有很大差别,采用数据拟合的方法发现两组CdZnTe晶片中不同尺寸的沉积相颗粒的密度满足指数分布。
- 万锐敏黄晖赵增林陈雪梅胡赞东张小文姬荣斌
- 关键词：CDZNTE沉积相
- 一种适用于碲镉汞外延薄膜表面的抛光夹具
- 本发明公开了一种适用于碲镉汞外延薄膜表面的抛光夹具。该抛光夹具为圆柱形，包括置片块和配重块；置片块和配重块用螺纹连接，置片块上表面中心位置设置有作为片槽的凹陷区域，该区域的四周设置有弧形槽；凹陷区域为正四边形，其四条边中...
- 宋林伟孔金丞王静宇洪雁赵增林马震宇雷晓红木迎春杨洪文姬荣斌
- 一种新的生长碲锌镉晶体技术
- 本发明属于一种生长晶体的工艺方法，主要用于碲锌镉晶锭的晶体生长。其主要技术方案是：按照选定的优势引晶晶向，制备出一定规格范围的籽晶块或棒，将籽晶装入石英管底腔中，石英管上部装入碲锌镉合金晶锭，进行生长碲锌镉晶体。本发明使...
- 姬荣斌赵增林万锐敏岳全龄张鹏举吴刚胡赞东黄晖王晓薇张小文计瑞松宋炳文蔡春江
- 文献传递
- 全向多段加热控制的碲锌镉晶体生长炉及晶体生长方法
- 一种全向多段加热控制的碲锌镉晶体生长炉及晶体生长方法，包括晶体生长炉炉体、背景加热单元、不锈钢炉、生长坩埚、多段全向加热装置、支撑装置及温度控制器；晶体生长炉设置有夹层，夹层中沿竖直方向装有多个背景加热单元；在不锈钢炉的...
- 姜军陈少璠赵文庹梦寒袁绶章蔡春江赵增林刘永传唐清云姬荣斌
- 碲锌镉晶体组分的辉光放电质谱分析
- 碲锌镉(CdZnTe,CZT)被认为是当今红外焦平面探测器材料碲镉汞(HgCdTe,MCT)的最佳衬底,研究亦表明:CZT还是核能探测、天文射线研究、工业探伤诊断中X射线、λ射线探测器的优异材料。
- 荣百炼唐利斌赵增林黄晖黄蓓姬荣斌
- 文献传递
- Cd1-xZnxTe晶体中由本征缺陷引起的导电类型转变界面研究被引量：2
- 2022年
- 在富Te生长条件下,采用垂直布里奇曼法(vertical Bridgman method,VB)生长的部分碲锌镉(Cd_(1-x)Zn_(x)Te,CZT)晶体内存在导电类型转变界面。为深入探讨碲锌镉晶体导电类型转变界面形成的原因,结合晶体导电类型和红外光谱透过率的测试结果与第一性原理的理论计算进行分析,结果表明,碲锌镉晶体内的导电类型转变界面是晶体生长过程中形成的Cd空位(V_(Cd))缺陷与Cd间隙(Cd_(i))缺陷导致的。在富Te条件的生长过程中,Cd空位缺陷易于形成,碲锌镉晶体材料中含有大量的Cd空位缺陷,材料的导电型为p型。在晶体生长结束阶段的降温过程中,Cd原子会扩散至碲锌镉晶体中,促进了Cd间隙缺陷的形成,在碲锌镉晶体材料中形成Cd间隙缺陷,导致晶体材料的导电性转变为n型。
- 赵文孔金丞姜军赵增林陈少璠宋林伟俞见云陈珊庹梦寒李俊贺政姬荣斌
- 关键词：碲锌镉扩散
- 一种采用PBN坩埚合成碲锌镉晶体的方法及装置
- 本发明公开了一种采用PBN坩埚合成碲锌镉晶体的方法及装置，该方法包括：利用PBN坩埚作为载体，在PBN坩埚内进行高温合成，实现碲锌镉多晶体材料的制备；同时为防止高温合成条件下材料发生化学反应导致材料溢出，增加高强度密封盖...
- 姜军孔金丞赵鹏陈少璠姬荣斌赵文袁绶章蔡春江赵增林刘永传唐清云
- 文献传递
- 碲锌镉材料的研制
- 了国内外关于碲锌镉材料的研制情况,介绍了昆明物理研究所研制碲锌镉材料的进展和目前达到的水平.
- 黄晖赵增林万锐敏岳全龄王晓薇姬荣斌
- 关键词：碲锌镉半导体材料
- 一种采用PBN坩埚合成碲锌镉晶体的方法及装置
- 本发明公开了一种采用PBN坩埚合成碲锌镉晶体的方法及装置，该方法包括：利用PBN坩埚作为载体，在PBN坩埚内进行高温合成，实现碲锌镉多晶体材料的制备；同时为防止高温合成条件下材料发生化学反应导致材料溢出，增加高强度密封盖...
- 姜军孔金丞赵鹏陈少璠姬荣斌赵文袁绶章蔡春江赵增林刘永传唐清云
