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邱进军

作品数：22 被引量：22H指数：3
供职机构：华中科技大学光学与电子信息学院电子科学与技术系更多>>
发文基金：武汉市青年科技晨光计划国家自然科学基金“上海－应用材料研究与发展”基金更多>>
相关领域：理学一般工业技术电气工程化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 22篇中文期刊文章

领域

  • 14篇理学
  • 7篇一般工业技术
  • 6篇电气工程
  • 5篇化学工程
  • 3篇自动化与计算...
  • 1篇机械工程

主题

  • 7篇矫顽力
  • 4篇氧化镍
  • 4篇巨磁电阻
  • 4篇巨磁电阻效应
  • 4篇磁电
  • 4篇磁电阻
  • 4篇磁电阻效应
  • 4篇磁光
  • 3篇双层膜
  • 3篇溅射
  • 3篇交换耦合
  • 3篇NIO
  • 3篇FE
  • 3篇磁材料
  • 3篇磁光薄膜
  • 3篇磁控
  • 3篇磁控溅射
  • 2篇多层膜
  • 2篇影响因素
  • 2篇软磁

机构

  • 18篇华中理工大学
  • 5篇中国科学院上...
  • 4篇华中科技大学
  • 1篇武汉大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇电子部

作者

  • 22篇邱进军
  • 18篇李佐宜
  • 9篇李震
  • 8篇胡用时
  • 7篇朱全庆
  • 5篇胡作启
  • 5篇郑远开
  • 5篇卢志红
  • 4篇吴丹丹
  • 3篇彭子龙
  • 3篇熊锐
  • 3篇卢正启
  • 2篇林更琪
  • 2篇沈德芳
  • 1篇陈善宝
  • 1篇吴丹丹
  • 1篇熊锐
  • 1篇李铁
  • 1篇蔡长波
  • 1篇荀坤

传媒

  • 5篇功能材料
  • 5篇磁记录材料
  • 4篇磁性材料及器...
  • 3篇华中理工大学...
  • 2篇功能材料与器...
  • 1篇物理学报
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇材料研究学报

年份

  • 2篇2001
  • 4篇2000
  • 11篇1999
  • 5篇1998
共 22 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
NiO靶烧结温度对NiO/Ni_(81)Fe_(19)双层膜的影响
2000年
在不同的温度下烧结制备 Ni O靶 ,用射频磁控溅射法淀积 Ni O/ Ni81 Fe1 9双层膜 ,研究了不同的温度烧结 Ni O靶对 Ni O/ Ni Fe双层膜特性的影响 ,结果表明 ,使用不同的烧结温度制备的 Ni O靶溅射所得的 Ni O膜中 Ni的化学价态及其含量不同 ,进而影响 Ni O/ Ni81 Fe1
胡用时邱进军李佐宜刘兴阶
关键词：烧结温度矫顽力双层膜射频磁控溅射
玻璃基片和石英试杆对磁光薄膜居里温度测量的影响及其消除方法被引量：1
2001年
在磁光薄膜居里温度的测量中 ,当薄膜的磁化强度信号与石英试杆和玻璃基片的磁化强度信号具有同一数量级时 ,石英试杆和玻璃基片对薄膜居里温度的确定引入了很大的误差。提出了消除石英试杆和玻璃基片影响的三种方法。实验结果表明 ,由三种方法消除石英试杆和玻璃基片影响后所确定得到的磁光薄膜居里温度相对偏差小于 5%。因此 。
李震邱进军朱全庆胡用时
关键词：磁光薄膜
基于降温法的直接重写磁光记录薄膜居里温度的快速测量
2000年
在测量单层或多层磁光记录薄膜的居里温度时 ,为了达到有目的测量和提高测量的效率 ,采用了在快速升温过程中 (<5min) ,在感兴趣的温度范围里观察被测薄膜 Ms～ T曲线变化的全过程 ;然后 ,初步判断薄膜的居里温度可能在哪个温度区域里 ,决定是否需要精确测量 ;最后 ,若决定测量 ,选择居里温度附近的一段温度区域里利用降温过程测量。整个测量过程比采用逐步升温、并在每个恒定的温度上读取饱和磁化强度 Ms的方法节省大量的时间。只要选择一类响应时间快的热电偶 ,可以达到与逐步升温方法同样的测量精度。
李震邱进军朱全庆胡用时
关键词：居里温度降温法
非晶稀土-过渡金属磁光薄膜热稳定性研究
1998年
采用射频磁控溅射方法制备非晶 Dy Fe Co磁光薄膜。样品的克尔回线、转矩曲线的测试显示 ,薄膜具有优良的磁和磁光性能。退火研究表明 ,随着退火时间的增加 ,矫顽力下降 ,垂直磁各向异性能减少 ,但克尔角变化不明显 ,其内在机制与薄膜中的微缺陷和应力的弛豫过程有关。
熊锐李佐宜卢正启林更其胡作启杨晓非邱进军
关键词：磁光薄膜退火热稳定性
AgCo颗粒膜的制备工艺及巨磁电阻效应被引量：1
1998年
采用磁控射频溅射法制备了AgCo颗粒膜；研究了薄膜成份及制备工艺对薄膜巨磁电阻效应的关系。在低Co含量时，薄膜磁电阻变化率随着Co含量的增加和退火温度的升高而变大。
郑远开李佐宜于军林更琪卢正启彭子龙邱进军谢基凡
NiO/NiFe双层膜的制备及其交换耦合作用研究被引量：1
1998年
用直流磁控反应溅射制备ＮｉＯ／ＮｉＦｅ双层膜。在保持ＮｉＦｅ层的厚度２０ｎｍ不变的条件下，发现尽管没有用外加磁场引导单向各向异性，由于底盘旋转等因素的影响，ＮｉＯ（７０ｎｍ）／ＮｉＦｅ（２０ｎｍ）双层结构仍显示较好的单向各向异性，交换耦合场可达３０Ｏｅ以上。通过改变ＮｉＯ层的厚度、溅射气体Ａｒ分压以及溅射气体与反应气体的比例Ａｒ／Ｏ２，研究了反铁磁层厚度以及溅射条件对交换耦合场的影响。
卢志红邱进军荀坤吴丹丹姚新华熊锐周健李佐宜沈德芳
关键词：双层膜
基于快速傅里叶变换(FET)的磁性参数的计算方法
2000年
当微弱的磁化强度信号被噪声污染时 ,甚至外加磁场信号也被噪声污染时 ,用快速傅里叶变换方法可以获得两种信号有限项的傅里叶级数表达式 ,然后由表达式直接计算出磁性参数 。
李震李佐宜邱进军胡用时朱全庆
关键词：快速傅里叶变换磁性参数
薄膜厚度对NiO/NiFe/Cu/NiFe自旋阀多层膜的磁阻效应的影响
1999年
用射频磁控溅射方法制备多层膜，研究了双层膜NiO／NiFe的矫顽力Hc和交换耦合场Hex与反铁磁层NiO、铁磁层NiFe厚度的关系。结果表明：NiO厚度为70nm时，Hex最大；Hc随NiO厚度增大而增大。当NiFe厚度增加时，Hex近似线性减小；而矫顽力则随NiFe厚度增大开始有缓慢增加，然后才减小。对于NiO（70nm）／NiFe（t1nm）／Cu（2．2nm）／NiFe（t2nm）自旋阀多层膜材料，研究了NiFe膜厚度对磁阻效应的影响。结果表明：被钉扎层NiFe的厚度为3nm时，自由层NiFe的厚度为5nm时，MR值分别最大，约为1．6％。
吴丹丹李佐宜邱进军卢志红
关键词：磁阻效应矫顽力磁头
软磁材料矫顽力的高精度测量方法研究被引量：1
2001年
软磁材料的矫顽力一般分布于零点附近。一方面 ,在零外加磁场状态下 ,测量易受到噪声的干扰 ;另一方面 ,相对使之达到饱和所施加的最大磁场而言 ,软磁材料矫顽力的分辨率受到一定的限制。提出一种延迟外推的方法 ,高精度地估算软磁材料的矫顽力。
李震邱进军
关键词：软磁材料矫顽力
膜厚对NiO/NiFe/Cu/NiFe磁阻效应的影响
1999年
用射频磁控溅射方法制备多层膜，研究了双层膜ＮｉＯ／ＮｉＦｅ的矫顽力Ｈｃ和交换耦合场Ｈｅｘ与反铁磁层ＮｉＯ、铁磁层ＮｉＦｅ厚度的关系，结果表明：ＮｉＯ厚度为７０ｎｍ时，Ｈｅｘ最大；Ｈｃ随ＮｉＯ厚度增大而增大．当ＮｉＦｅ厚度增加时，Ｈｅｘ近似线性减小；而Ｈｃ则随ＮｉＦｅ厚度增大开始有缓慢增加，然后才减小．对于ＮｉＯ（７０ｎｍ）／ＮｉＦｅ（ｔ１）／Ｃｕ（２．２ｎｍ）／ＮｉＦｅ（ｔ２）自旋阀多层膜材料（括号内的量表示厚度），研究了ＮｉＦｅ膜厚度对磁阻效应的影响，结果表明：被钉扎层ＮｉＦｅ的厚度为３ｎｍ，自由层ＮｉＦｅ的厚度为５ｎｍ时，ＭＲ值最大，约为１．６％．
吴丹丹李佐宜邱进军卢志红
关键词：磁阻效应膜厚多层膜氧化镍镍铁合金
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