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郁元卫

作品数：59 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
相关领域：电子电信文化科学自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 58篇专利
  • 1篇科技成果

领域

  • 10篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇文化科学

主题

  • 13篇键合
  • 12篇圆片
  • 9篇滤波器
  • 7篇微电子
  • 7篇微机械
  • 7篇芯片
  • 7篇开关
  • 7篇刻蚀
  • 7篇键合工艺
  • 6篇电路
  • 5篇圆片级
  • 5篇微电子工艺
  • 5篇互连
  • 5篇波导
  • 5篇传输线
  • 4篇电路拓扑
  • 4篇电路拓扑结构
  • 4篇掩膜
  • 4篇天线
  • 4篇欧姆接触

机构

  • 59篇中国电子科技...

作者

  • 59篇郁元卫
  • 45篇朱健
  • 15篇贾世星
  • 14篇黄旼
  • 13篇姜理利
  • 10篇侯芳
  • 9篇吴璟
  • 8篇孙俊峰
  • 6篇张勇
  • 4篇姜国庆
  • 4篇孔月婵
  • 4篇孔岑
  • 4篇周建军
  • 4篇王守旭
  • 4篇郁鑫鑫
  • 3篇吴杰
  • 2篇黄镇
  • 2篇朱锋
  • 2篇石归雄
  • 2篇李晓鹏

年份

  • 3篇2024
  • 3篇2023
  • 4篇2022
  • 5篇2021
  • 2篇2020
  • 4篇2019
  • 3篇2018
  • 4篇2017
  • 9篇2016
  • 2篇2015
  • 5篇2014
  • 4篇2013
  • 3篇2011
  • 1篇2009
  • 4篇2008
  • 1篇2007
  • 1篇2006
  • 1篇2004
共 59 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种高选择性掺钪氮化铝湿法刻蚀工艺方法
本发明涉及一种高选择性掺钪氮化铝湿法刻蚀工艺方法。包括（1）准备衬底晶圆，在衬底上依次沉积，种子层、掺钪氮化铝压电层、介质层，形成多层复合膜结构；（2）采用湿法工艺对介质层进行刻蚀，实现压电层的图形化掩蔽；（3）利用湿法...
李杰姜理利王雷陈聪黄旼郁元卫
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一种MEMS微带环形器及其制备方法
本发明提供了一种MEMS微带环形器及其制备方法，包括：铁镍合金层；微带层，设置于所述铁镍合金层上；下硅层，设置于所述微带层远离所述铁镍合金层的一面上；铁氧体层，贯穿所述下硅层以及所述微带层，向下延伸至所述铁镍合金层上；传...
陶子文孙俊峰钱可强贾世星王守旭郁元卫
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基于微机械硅波导空间一体化集成的太赫兹微纳系统及其制造方法
本发明提供了一种基于微机械硅波导空间一体化集成的太赫兹微纳系统及其制造方法，所述微机械硅波导空间一体化集成的太赫兹微纳系统包括：自下而上设置的第一层硅衬底、第二层硅衬底、第三层硅衬底、第四层硅衬底、第五层硅衬底；射频芯片...
侯芳孙超栾华凯曹扬磊黄旼郁元卫朱健
一种GaN HEMT上低温欧姆接触的制备方法
本发明涉及的是一种基于微电子工艺，一种GaN HEMT上低温欧姆接触的制备方法，具体实施步骤包括：(1)生长介质层；(2)制作欧姆接触窗口；(3)制作欧姆接触通孔；(4)制作扩散层；(5)生长介质层；(6)扩散；(7)刻...
孔岑周建军孔月婵郁鑫鑫郁元卫
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一种单片集成多波段控制MEMS开关
本发明公开了一种单片集成多波段控制MEMS开关，衬底、三个串联接触式MEMS开关单元、信号传输线、波段控制单元、封帽；三个串联接触式MEMS开关单元、信号传输线和波段控制单元制作在衬底上，信号传输线将三个开关单元连接成一...
黄镇郁元卫罗仁虎匡蕾姜理利王冬蕊
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三维集成的多层堆叠结构微屏蔽MEMS滤波器组
本发明提供了一种三维集成的多层堆叠结构微屏蔽MEMS滤波器组，包括以下特征：所述滤波器组包括2个滤波器分别为A滤波器和B滤波器、4层衬底材料，A滤波器结构包括自下而上A衬底和B衬底，B滤波器结构包括自下而上C衬底和D衬底...
郁元卫侯芳朱健
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一种基于再生长技术降低GaN HEMT器件欧姆接触电阻的方法及GaN HEMT器件
本发明涉及的是一种基于微电子工艺，一种基于再生长技术降低GaN HEMT器件欧姆接触电阻的方法，具体实施步骤包括(1)生长高阻缓冲层/超晶格结构；(2)生长SiO<Sub>2</Sub>；(3)定义欧姆接触区域；(4)制...
周建军孔月婵孔岑郁鑫鑫张凯郁元卫
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基于微机械通孔的MEMS数字可调滤波器
本发明公开了一种基于微机械通孔的MEMS数字可调滤波器，采用容MEMS体工艺和表面牺牲层工艺相兼容的方法制成，包括高阻硅衬底，高阻硅衬底上方设有滤波器的谐振结构，谐振结构四周设有微机械通孔，谐振结构具有输入端和输出端，谐...
郁元卫侯芳姜理利朱健
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一种近零应力掺钪氮化铝薄膜制备方法
本发明公开了一种近零应力掺钪氮化铝薄膜制备方法，属于半导体制造技术领域。该方法具体包括以下步骤：a.对硅衬底进行烘烤，除去水汽和有机物沾污；b.对硅衬底进行预清洗，去除自然氧化层；c.对溅射靶材进行预处理，获得稳定的掺钪...
王雷李昊姜理利贾世星郁元卫黄旼朱健
一种小型化MEMS开关线移相器
本发明是一种小型化MEMS开关线移相器，包括MEMS开关、参考相移位传输线、相位延迟传输线、开关偏置线、背面接地层、介质衬底、微波接地端子、微机械通孔。优点：通过高阻抗分布式元件、集总元件和微机械通孔微波接地形成的相位延...
郁元卫朱健贾世星张勇
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