黄旼
- 作品数：46 被引量：22H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
- 发文基金：江苏省自然科学基金国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺自动化与计算机技术机械工程更多>>
- 一种高选择性掺钪氮化铝湿法刻蚀工艺方法
- 本发明涉及一种高选择性掺钪氮化铝湿法刻蚀工艺方法。包括（1）准备衬底晶圆，在衬底上依次沉积，种子层、掺钪氮化铝压电层、介质层，形成多层复合膜结构；（2）采用湿法工艺对介质层进行刻蚀，实现压电层的图形化掩蔽；（3）利用湿法...
- 李杰姜理利王雷陈聪黄旼郁元卫
- 文献传递
- 小型化硅基毫米波MEMS三维异构集成开关滤波器件被引量：2
- 2021年
- 针对传统开关滤波器组件体积庞大、重量重、调试复杂、集成度低的问题,设计并制作了一种小型化六通道毫米波硅基MEMS三维异构集成开关滤波器件。该器件以四层堆叠的高阻硅材料为衬底,工作频段覆盖18~40 GHz,内部集成了6款小型化空间堆叠的MEMS滤波器和2个单片开关,采用3D-TSV(硅通孔)异构集成工艺,实现了开关与滤波器组的晶圆级集成。为了优化毫米波频段集成滤波器性能,提出了MEMS混合交叉耦合多层堆叠SIW(基片集成波导)滤波器拓扑结构,且其工艺与整个开关滤波器件兼容,极大提升了滤波器的带外抑制。经测试,该开关滤波器件带内插损<8.2 dB(包括2个开关共约4 d B的损耗),反射损耗>10 dB,带边1 GHz处带外抑制>40 dBc。该器件体积仅19.0 mm×16.5 mm×1.1 mm,比传统开关滤波器体积减小了99.7%。
- 侯芳侯芳栾华凯黄旼黄旼朱健
- 关键词：微电子机械系统滤波器基片集成波导
- 一种嵌入式金刚石硅基微流体散热转接板及其制备方法
- 本发明公开了一种嵌入式金刚石硅基微流体散热转接板及其制备方法，该转接板由嵌入式金刚石薄片和硅基微流体散热结构组成，大功率密度芯片集成于嵌入式金刚石薄片上，微流体结构通过外接循环系统或集成微泵形式，驱动其中的冷却液循环。该...
- 禹淼张洪泽黄旼吴静朱健
- 文献传递
- 低应力掺钪氮化铝薄膜制备技术研究
- 2021年
- 分析了双层膜薄膜失效模型,提出了制备低应力掺钪氮化铝薄膜在薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器工艺中的必要性。利用反应溅射法制备掺钪氮化铝薄膜,并使用应力测试仪表征薄膜的力学性能,研究薄膜厚度、工艺时溅射功率、偏置功率以及工艺气压等参数对薄膜应力的影响,通过优化工艺参数制备了接近零应力的掺钪氮化铝薄膜。
- 王雷王冬蕊沈雁飞姜理利郁元卫黄旼
- 关键词：低应力
- 一种环形触点射频微机械开关及其制备方法
- 本发明公开了一种环形触点射频微机械开关及其制备方法，开关包括衬底结构、用于传输射频/微波信号的共面波导结构、悬臂梁结构及用于直流驱动的驱动结构。共面波导结构包括位于中间的输入信号线、输出信号线和位于两侧的地线。悬臂梁右顶...
- 姜理利黄镇王冬蕊吴杰黄旼
- 文献传递
- 一种异质衬底薄膜转移对准方法
- 本发明公开了一种异质衬底薄膜转移对准方法，通过两次背面套刻和标记转移，解决了异质衬底集成薄膜材料的便捷有效的对准问题；通过两次背面套刻，将转移的薄膜材料和目标衬底器件纳入到同一对准参照系中，为后续基于标准微电子工艺的异质...
- 戴家赟王飞黄旼潘斌孔月婵朱健
- 文献传递
- 一种高品质因数的薄膜体声波谐振器
- 本发明涉及一种高品质因数的薄膜体声波谐振器，包括上表面带有凹槽2的衬底1、位于衬底1上方的底电极层3、压电层4、带有空气桥结构6的顶电极层5，其特征在于，所述空气桥结构6内设有可起到对横向声波回弹作用并提升薄膜体声波谐振...
- 赵洪元黄旼
- 文献传递
- 一种硅基自适应喷涌式微流体散热基板及其制备方法
- 本发明涉及一种硅基自适应喷涌式微流体散热基板及其制备方法，散热基板由三层结构堆叠而成，自下而上依次设置支撑层、底层微流体结构层和顶层微流体结构层；支撑层上设置有入液口和支撑层出液口；底层微流体结构层上设置底层微流体通道、...
- 禹淼黄旼张洪泽吴静朱健
- 文献传递
- 芯片级原子钟碱金属吸收泡被引量：1
- 2015年
- 基于原子相干布局囚禁(Coherent population trapping)原理的芯片级原子钟是原子钟微型化发展的必然趋势,其中的核心微型化碱金属吸收泡起着关键性的作用。南京电子器件研究所与成都天奥电子股份有限公司联合研究。
- 黄旼朱健石归雄石归雄王文军
- 关键词：芯片级TRAPPING双腔圆片漏气率
- 碳化硅薄膜的力学性能理论研究
- 2016年
- 目前,SiC薄膜在极端苛刻环境下的力学性质尚不明确,相关力学参数仍需进一步研究。文章采用模拟软件ANSYS对微尺寸的SiC薄膜在不同条件下的力学性能进行了理论分析。研究了SiC薄膜的面积和厚度对刚度的影响,结果表明,其刚度与薄膜面积成反比,与薄膜厚度的三次方成正比。其次,研究了材料中缺陷的尺寸及其位置对SiC薄膜力学性能的影响,模拟结果表明,缺陷的位置越接近薄膜中心,对刚度的影响越大;缺陷的尺寸越大,密度越高,薄膜的刚度越小。根据实验测得高温下杨氏模量数据,模拟计算发现SiC薄膜的刚度在290-2 500K范围内,随温度升高呈准线性下降趋势。
- 何国堂刘斌戴姜平谢自力韩平张荣王守旭黄旼朱健
- 关键词：SIC薄膜ANSYS数值模拟刚度温度
