郭增笑
- 作品数：7 被引量：5H指数：1
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- 基于标准SiGe BiCMOS工艺的光电集成接收机
- 本发明属于光纤通信系统及光互连领域，为实现单片集成所具有的体积小、成本低、可靠性好、功能丰富等优点。本发明提出一种与标准SiGe BiCMOS工艺兼容的光电探测器，以及集成该探测器的高速、高灵敏度单片集成光接收机。为了达...
- 谢生毛陆虹郭增笑付友康玉琢
- 文献传递
- 基于标准SiGe BiCMOS工艺的光电集成接收机
- 本发明属于光纤通信系统及光互连领域，为实现单片集成所具有的体积小、成本低、可靠性好、功能丰富等优点。本发明提出一种与标准SiGe？BiCMOS工艺兼容的光电探测器，以及集成该探测器的高速、高灵敏度单片集成光接收机。为了达...
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- 基于标准BiCMOS工艺的1.5 Gbit/s调节型共源共栅光接收机被引量：4
- 2014年
- 基于IBM 0.18μm SiGe BiCMOS标准工艺设计实现了一种高速、低功耗的光接收机前端模拟电路。接收机芯片包括调节型共源共栅(RGC)跨阻放大器(TIA)、四级限幅放大器(LA)和输出缓冲电路(buffer)。采用高跨导SiGe异质结双极晶体管(HBT)作为输入级的RGC TIA有效隔离了探测器结电容和输入寄生电容的影响,更好地拓展了光接收机的带宽。仿真结果表明,在1.8V电源电压供电下,驱动50Ω电阻和10pF电容负载时,光接收机前端的跨阻增益为76.67dB,-3dB带宽为2.1GHz。测试结果表明,光接收机前端电路的-3dB带宽为1.2GHz,跨阻增益为72.2dB,在误码率(BER)为10-9的条件下,光接收机实现了1.5Gbit/s的数据传输速率。在1.8V电源电压下,芯片功耗仅为44mW,芯片总面积为800μm×370μm。
- 郭增笑谢生付友毛陆虹康玉琢张世林
- 关键词：光接收机BICMOS
- 基于BiCMOS工艺的光接收机前端电路被引量：1
- 2013年
- 基于IBM 0.18μm SiGe BiCMOS工艺设计,实现了光接收机模拟前端,电路整体结构包括差分共射跨阻放大器(TIA)、限幅放大器(LA)以及输出缓冲级(Buffer)。采用SiGe异质结双极晶体管(HBT)作为输入级的差分共射跨阻放大器大大地减小了输入电阻,更好地展宽了频带。仿真结果表明,在1.8V电源电压供电下,驱动50Ω电阻和10pF电容负载时光接收机前端跨阻增益为74.59dB,带宽为2.4GHz,功耗为39.6mW。在误码率为10-9、输入电流为50μA的条件下,光接收机前端电路实现了3Gb/s的数据传输速率。实测结果表明,光接收机的-3dB带宽为1.9GHz。芯片面积为910μm×420μm。
- 付友谢生郭增笑毛陆虹康玉琢张世林
- 关键词：光接收机跨阻放大器锗硅双极互补金属氧化物半导体
- 标准SiGeBiCMOS共射共栅光接收机的研究与设计
- 随着通信网络数据量的不断增大,传输速率持续提高,传统的通信网络已不能满足人们对信息交换日益增长的需求,致使大容量、高速率的光纤通信网络得到不断发展。光接收机位于光纤通信网络的数据接收端,它的性能优劣直接反映了光纤通信网络...
- 郭增笑
- 关键词：光纤通信光接收机优化设计
- 用于塑料光纤通信的空间调制光电探测器
- 2013年
- 基于UMC 0.18μm 1P6M CMOS工艺流程,设计了一种全差分输出的空间调制光电探测器(SMPD)。利用商用器件仿真器ATLAS建立了器件模型,对N-well宽度和间距进行了优化。基于优化的器件结构,对SMPD的光谱响应、带宽和瞬态特性进行了二维模拟。模拟结果表明,探测器在650nm处的响应度为0.23A/W,当器件有效受光面积为120μm×120μm、反偏电压为5V时,-3dB带宽约为942MHz。瞬态响应曲线表明,器件可用于1.25Gb/s数据速率的光探测。
- 刘娜谢生郭增笑毛陆虹张世林
- 关键词：光电探测器空间调制塑料光纤
- 基于标准SiGe BiCMOS工艺的光电集成接收机
- 本实用新型属于光纤通信系统及光互连领域，为实现单片集成所具有的体积小、成本低、可靠性好、功能丰富等优点。本实用新型提出一种与标准SiGe BiCMOS工艺兼容的光电探测器，以及集成该探测器的高速、高灵敏度单片集成光接收机...
- 谢生毛陆虹郭增笑付友康玉琢
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