阮刚
- 作品数：7 被引量：1H指数：1
- 供职机构：复旦大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信经济管理更多>>
- 中国半导体专业创办三十周年
- 1987年
- 为纪念我国半导体专业创办三十周年,1986年10月16日至18日在北京大学隆重举行了“我国半导体专业创办三十周年学术报告会”(以下简称“报告会”)。三十年前为创办我国第一个半导体专业作出贡献的教职工及学生代表、有关领导和来宾共120多人参加了会议。这是我国半导体教育、科学及工业界的一次具有重要意义的历史性聚会。会议总结了三十年前创办我国第一个半导体专业的历史经验,交流了国内外半导体科技发展的信息,探讨了为发展我国半导体科技和教育事业的若干设想。会议开得很成功,告别会上不少代表表示希望在我国半导体专业创办四十周年时再相会。下面就“报告会”的主要活动作扼要介绍。
- 阮刚
- 关键词：半导体物理特邀报告报告会
- 基于速度饱和的CMOS倒相器延迟模型被引量：1
- 2000年
- 提出了一个新的小尺寸 CMOS倒相器延迟模型 ,它考虑了速度饱和效应以及非阶梯的输入信号对延迟的影响并给出了倒相器快输入响应与慢输入响应的判据 ,模型计算结果与SPICE BSIM1模型的模拟结果吻合得很好 .
- 宋任儒阮刚梁擎擎ReinhardStreiterThomasOttoThomasGessner
- 关键词：倒相器CMOS
- 轻掺杂漏LDD MOSFET的工艺及特性
- 1991年
- 对LDD MOSFET的两种形成技术——侧向刻蚀和边墙技术进行了分析和比较,证明了边墙技术对控制轻掺杂区域长度具有更高的精确性;同时,利用边墙技术和全离子注入工艺,在硅栅NMOS工艺基础上,成功地制得了1μm沟道长度的LDD MOSFET.测试结果表明,LDD MOSFET击穿电压高于常规MOSFET 3V以上,同时阈值电压的短沟效应明显减小.这些优点意味着LDD MOSFET结构在VLSI中有着广泛的应用前景.
- 郑庆平章倩苓阮刚陈晓
- 关键词：MOSFETLDD短沟道效应
- 一种肖特基二极管
- 本发明属于整流器件技术领域，具体为一种肖特基二极管。本发明使用圆弧形状的沟槽，提升器件反向性能。本发明相对于传统产品，能耐受更大的反向电压，且在击穿前具有更小的漏电流，具有更高的正反向电流比，同时几乎不损失正向电流驱动能...
- 李惟一茹国平蒋玉龙阮刚
- 文献传递
- 功率沟槽MOSFET的开关速度和栅漏电容Cgd的优化设计和研究
- 随着市场对于更高效的电源供给器件和更耐久供电的电源电子器件的需求日益增长,如何提高电源管理系统效率的研究成为十分重要的课题之一。面对这样的需求,在电源管理系统中经常使用的功率MOSFET就需要做到更低的导通损耗和开关损耗...
- 阮刚
- 关键词：开关速度优化设计
- 一种肖特基二极管
- 本发明属于整流器件技术领域，具体为一种新结构的肖特基二极管。该结构使用非矩形沟槽状导电通道，提升器件反向性能。本发明相对于传统产品，能耐受更大的反向电压，且在击穿前具有更小的漏电流，具有更高的正反电流比，同时几乎不损失正...
- 李惟一茹国平蒋玉龙阮刚
- 文献传递
- 一种小尺寸GaAs MESFET的热分析模型
- 阮刚徐向东刘训春
- 关键词：砷化镓肖特基势垒栅场效应晶体管热分析电场温度分布
