陈湘亮
- 作品数：4 被引量：3H指数：1
- 供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 基于钛酸锶钡变容管的可调匹配网络被引量：2
- 2010年
- 采用钛酸锶钡(BST)薄膜变容管作为可调电容元件,在LaAlO3基片上采用微细加工技术制备了共面波导结构的C-L-Cπ型可调匹配网络。仿真及测试结果表明,通过在BST薄膜变容管上施加直流偏置电压对BST变容管的电容进行调节,可以在740～770 MHz频率范围内,实现该匹配网络与终端负载之间良好的阻抗匹配。其中,在760 MHz时测得的匹配网络的反射系数S11达到–45.8 dB。
- 陈湘亮蒋书文姜斌王元
- 基于BST可变电容的电调微带天线研究被引量：1
- 2012年
- 采用BaxSr1–xTiO3(BST)可变电容作为调谐元件研制了一种工作频率可调的电调谐微带天线。该天线通过利用单片机控制电源单元输出不同的偏置电压来改变BST可变电容的电容大小,进而实现工作频点的调整。结果表明,当电源输出偏压在0-52 V变化时,该微带天线的工作频点可在1.47-1.61 GHz调节,回波损耗低于–15 dB。
- 张光强肖勇许程源陈湘亮蒋书文
- 关键词：微带天线单片机
- Al_2O_3陶瓷基片上Ba_(0.7)Sr_(0.3)TiO_3薄膜可调介电性能的研究
- 2011年
- 采用磁控溅射方法在Al2O3陶瓷基片上溅射生长Ba0.7Sr0.3TiO3（BST）薄膜，使用光刻工艺制作平板结构的BST薄膜可变电容。研究了溅射条件对BST薄膜可调介电性能和介电损耗的影响。结果表明，在溅射气压为4Pa、O2：Ar比为30：70、基片温度800℃下制备的BST薄膜具有较高的介电调谐率（约52％）和较低的损耗（约0．8％），BST薄膜可变电容的品质因素随频率升高而降低，在1～100MHZ频率范围内品质因素从125下降为42。
- 王元蒋书文陈湘亮
- 关键词：BST薄膜AL2O3陶瓷基片可变电容
- 介质变容管可调匹配网络及微带天线研制
- 钛酸锶钡(Ba_xSr_(1-x)TiO_3)材料具有极强的非线性介电性质,其介电常数随外加直流偏压变化,利用这种介电非线性可以制备薄膜变容管。钛酸锶钡介质薄膜变容管因容易与射频微波电路集成,能有效减小电路尺寸,能够应用...
- 陈湘亮
- 文献传递
