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王元

作品数：2 被引量：2H指数：1
供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 1篇电性能
  • 1篇陶瓷
  • 1篇陶瓷基
  • 1篇陶瓷基片
  • 1篇钛酸
  • 1篇钛酸锶
  • 1篇钛酸锶钡
  • 1篇介电
  • 1篇介电性
  • 1篇介电性能
  • 1篇可变电容
  • 1篇基片
  • 1篇变容管
  • 1篇AL2O3
  • 1篇BST薄膜
  • 1篇BA

机构

  • 2篇电子科技大学

作者

  • 2篇陈湘亮
  • 2篇蒋书文
  • 2篇王元
  • 1篇姜斌

传媒

  • 1篇功能材料
  • 1篇电子元件与材...

年份

  • 1篇2011
  • 1篇2010
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
Al_2O_3陶瓷基片上Ba_(0.7)Sr_(0.3)TiO_3薄膜可调介电性能的研究
2011年
采用磁控溅射方法在Al2O3陶瓷基片上溅射生长Ba0.7Sr0.3TiO3（BST）薄膜，使用光刻工艺制作平板结构的BST薄膜可变电容。研究了溅射条件对BST薄膜可调介电性能和介电损耗的影响。结果表明，在溅射气压为4Pa、O2：Ar比为30：70、基片温度800℃下制备的BST薄膜具有较高的介电调谐率（约52％）和较低的损耗（约0．8％），BST薄膜可变电容的品质因素随频率升高而降低，在1～100MHZ频率范围内品质因素从125下降为42。
王元蒋书文陈湘亮
关键词：BST薄膜AL2O3陶瓷基片可变电容
基于钛酸锶钡变容管的可调匹配网络被引量：2
2010年
采用钛酸锶钡(BST)薄膜变容管作为可调电容元件,在LaAlO3基片上采用微细加工技术制备了共面波导结构的C-L-Cπ型可调匹配网络。仿真及测试结果表明,通过在BST薄膜变容管上施加直流偏置电压对BST变容管的电容进行调节,可以在740～770 MHz频率范围内,实现该匹配网络与终端负载之间良好的阻抗匹配。其中,在760 MHz时测得的匹配网络的反射系数S11达到–45.8 dB。
陈湘亮蒋书文姜斌王元
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