陈青云
- 作品数：12 被引量：104H指数：5
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- Fe和Ni共掺杂ZnO的电子结构和光学性质被引量：13
- 2009年
- 基于密度泛函理论的第一性原理研究Fe,Ni单掺杂和(Fe,Ni)共掺杂纤锌矿型ZnO的能带结构、电子态密度分布、介电函数、光学吸收系数,分析了掺杂后电子结构与光学性质的变化.计算结果表明:掺杂体系的费米能级附近电子态密度主要来源于Fe3d,Ni3d态电子的贡献;与纯净ZnO相比,Fe,Ni单掺杂和(Fe,Ni)共掺杂ZnO的介电函数虚部均在0.46eV左右出现了一个新峰;Fe,Ni单掺杂和共掺杂ZnO的吸收光谱均发生明显的红移,并都在1.3eV处出现较强吸收峰.结合他人的计算和实验结果,给出了定性的讨论.
- 胡志刚段满益徐明周勋陈青云董成军令狐荣锋
- 关键词：掺杂第一性原理光学性质
- 中子嬗变掺杂前后Ge纳米晶的结构和性质
- 2010年
- 采用第一性原理计算模拟Ge纳米晶在中子嬗变掺杂(NTD)后受空位、O和As杂质的影响.结果表明,退火方法引入的O并不能消除纳米晶中的辐照致空位缺陷的影响,而NTD产生的As掺杂能补偿这些空位缺陷并消除禁带中产生的杂质能级,从而改善半导体掺杂性能.计算还发现,由于较高的电负性,纳米晶中O对Ge原子较强的吸附作用阻止了空位的形成,导致与缺陷相关的非辐射发光中心的浓度减小,发光效率提高,因此中子辐照掺杂前的高温退火处理是非常有必要的.计算较好地解释了已报道的实验结果.
- 陈青云孟川民卢铁城徐明胡又文
- 关键词：中子嬗变掺杂第一性原理空位缺陷
- 过渡金属与氮共掺杂ZnO电子结构和光学性质的第一性原理研究被引量：63
- 2007年
- 采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法,结合广义梯度近似(GGA)研究了过渡族金属(Mn,Fe,Co,Cu)与N共掺杂ZnO的能带结构、电子态密度分布、差分电荷密度和光学性质.计算表明Mn,Fe,Co与N共掺ZnO的光学性质与Mn,Fe,Co单掺杂相近,但是过渡族金属与N共掺杂有利于获得p型ZnO.
- 段满益徐明周海平沈益斌陈青云丁迎春祝文军
- 关键词：ZNO第一性原理电子结构光学性质
- Si／SiNx／SiO2多层膜的光致发光被引量：3
- 2008年
- 采用射频磁控溅射法,制备了具有强光致可见发光的纳米Si/SiNx/SiO2多层膜,利用傅立叶红外吸收(FTIR)谱,光致发光(PL)谱对其进行了研究。用260nm光激发得到的PL谱中观察到高强度的392nm(3.2eV)和670nm(1.9eV)光致发光峰,分析认为它们分别来自于缺陷态≡Si-到价带顶和从导带底到缺陷态≡Si-的辐射跃迁而产生的光致激发辐射复合发光。PL谱中只有370nm(3.4eV)处发光峰的峰位会受退火温度的影响,结合FTIR谱认为370nm发光与低价氧化物—SiOx(x<2.0)结合体有密不可分的关系。当SiO2层的厚度增大时,发光强度有所增强,800℃退火后出现最强发光,认为具有较大SiO2层厚度的Si/SiNx/SiO2结构多层膜更有利于退火后形成Si—N网络,能够得到更高效的光致发光。用量子限制-发光中心(QCLC)模型解释了可能的发光机制,并建立了发光的能隙态(EGS)模型。
- 陈青云段满益周海平董成军魏屹纪红萱黄劲松陈卫东徐明
- 关键词：红外吸收光致发光
- 一种Al<Sub>X</Sub>In<Sub>1-X</Sub>N薄膜的制备方法
- 一种Al<Sub>x</Sub>In<Sub>1－x</Sub>N薄膜的制备方法，工艺步骤如下：(1)在常温常压下将衬底清洗干净后置于氮气环境中吹干；(2)将处理后的衬底放入溅射室，在真空条件下采用溅射法在衬底上生长缓冲...
- 徐明董成军纪红萱陈青云魏屹
- 文献传递
- Si掺杂InN的电子结构和光学性质的第一性原理计算被引量：6
- 2009年
- 采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势(PWP)方法,结合广义梯度近似(GGA)计算了Si掺杂的InN的电子结构和光学性质,包括能带结构、态密度、介电常数、吸收系数、反射和电子能量损失等.计算表明掺入Si后电子趋于深能级分布,介电函数虚部出现新峰、反射峰的强度有所增强,吸收边和电子能量损失谱有蓝移现象;这些变化与Si掺杂后引起电子密度改变有关.
- 董成军陈青云徐明周海平段满益胡志刚
- 关键词：第一性原理电子结构光学性质
- 碳掺杂ZnO的电子结构和光学性质被引量：15
- 2008年
- 采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理计算研究碳掺杂ZnO的电子结构和光学性质.计算结果表明:C原子替代O原子和C原子替代Zn原子两种掺杂体系的电子结构存在明显差异,这主要是由于C原子的电子分布及对周围原子的影响不同;碳掺杂ZnO光学性质的变化集中在低能量区,而高能量区的光学性质没有明显变化.结合电子结构定性解释了光学性质的变化.
- 段满益徐明周海平陈青云胡志刚董成军
- 关键词：ZNO碳掺杂电子结构光学性质
- γ-Si_3N_4在高压下的光学性质研究被引量：8
- 2007年
- 采用基于密度泛函平面波赝势方法(PWP)和广义梯度近似(GGA-PW91),详细计算了不同压力下γ-Si3N4的光学性质(反射系数、吸收系数、复介电常数、折射系数).分析了压力对光学性质的影响,发现在高压条件γ-Si3N4的一些光学性质并不发生太大的变化,表明γ-Si3N4在高压条件下的光学应用是可行的.
- 丁迎春徐明沈益斌陈青云段满益
- 关键词：光学性质第一性原理
- 一种Al<Sub>x</Sub>In<Sub>1-x</Sub>N薄膜的制备方法
- 一种Al<Sub>x</Sub>In<Sub>1-x</Sub>N薄膜的制备方法，工艺步骤如下：(1)在常温常压下将衬底清洗干净后置于氮气环境中吹干；(2)将处理后的衬底放入溅射室，在真空条件下采用溅射法在衬底上生长缓冲...
- 徐明董成军纪红萱陈青云魏屹
- 文献传递
- Ga掺杂^(70)Ge纳米晶的制备与研究被引量：1
- 2009年
- 通过离子注入及中子嬗变掺杂制备了Ga(镓)掺杂^(70)Ge(锗)纳米晶,并对样品进行了质子激发X射线荧光分析谱(PIXE)、光致发光谱(PL)、激光拉曼散射谱(LRS)的测量与研究。结果表明:随着Ga杂质浓度的增加,580 nm附近的荧光峰的发光强度不断地下降,这可能是非辐射的俄歇复合过程与纳米晶数量的减少共同作用的结果。此外,从PL上面看到580nm附近的荧光峰蓝移则可能是由纳米晶尺寸的减小和非辐射的俄歇复合过程引起的。
- 游草风卢铁城胡又文陈青云敦少博胡强范立伟张松宝唐彬代君龙
- 关键词：中子嬗变掺杂光致发光
